| 圖片 |
型號 |
產(chǎn)品描述 |
庫存狀況 |
包裝規(guī)格 |
單位價(jià)格
(不含稅) |
數(shù)量 |
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DYNEX - DIM500BSS06-S000 - 單IGBT 500A 600V |
晶體管類型:IGBT
飽和電壓, Vce sat 最大:2.6V
電壓, Vceo:600V
封裝類型:B
上升時(shí)間:150ns
下降時(shí)間:250ns
功率, Pd:2907W
功耗:2907W
封裝類型:B
晶體管數(shù):1
晶體管極性:N
最大連續(xù)電流, Ic:500A
溫度 @ 電流測量:65°C
滿功率溫度:25°C
電壓, Vces:600V
電流, Ic @ Vce飽和:375A
電流, Icm 脈沖:1000A
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无库存 |
1 |
1 |
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DYNEX - DIM375WHS06-S000 - 晶體管 IGBT 半橋 375A 600V |
晶體管極性:N
飽和電壓, Vce sat 最大:2.6V
電壓, Vceo:600V
封裝類型:W
封裝類型:W
晶體管數(shù):2
晶體管類型:IGBT
上升時(shí)間:150ns
下降時(shí)間:250ns
功率, Pd:1736W
功耗:1736W
最大連續(xù)電流, Ic:375A
溫度 @ 電流測量:65°C
滿功率溫度:25°C
電壓, Vces:600V
電流, Ic @ Vce飽和:350A
電流, Icm 脈沖:750A
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无库存 |
1 |
1 |
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DYNEX - DIM250WHS06-S000 - 晶體管 IGBT 半橋 250A 600V |
晶體管極性:N
飽和電壓, Vce sat 最大:2.6V
電壓, Vceo:600V
封裝類型:W
封裝類型:W
晶體管數(shù):2
晶體管類型:IGBT
上升時(shí)間:130ns
下降時(shí)間:250ns
功率, Pd:1157W
功耗:1157W
最大連續(xù)電流, Ic:250A
溫度 @ 電流測量:65°C
滿功率溫度:25°C
電壓, Vces:600V
電流, Ic @ Vce飽和:250A
電流, Icm 脈沖:500A
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无库存 |
1 |
1 |
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DYNEX - DIM200WKS12-A000 - 斬波IGBT 200A 1200V |
晶體管類型:IGBT
飽和電壓, Vce sat 最大:2.7V
電壓, Vceo:1200V
封裝類型:W
上升時(shí)間:110ns
下降時(shí)間:70ns
功率, Pd:1390W
功耗:1390W
封裝類型:W
晶體管數(shù):2
晶體管極性:N
最大連續(xù)電流, Ic:200A
溫度 @ 電流測量:80°C
滿功率溫度:25°C
電壓, Vces:1200V
電流, Ic @ Vce飽和:200A
電流, Icm 脈沖:400A
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无库存 |
1 |
1 |
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DYNEX - DIM200WHS12-A000 - 晶體管 IGBT 半橋 200A 1200V |
晶體管極性:N
飽和電壓, Vce sat 最??:2.7V
電壓, Vceo:1200V
封裝類型:W
封裝類型:W
晶體管數(shù):2
晶體管類型:IGBT
上升時(shí)間:95ns
下降時(shí)間:50ns
功率, Pd:1390W
功耗:1390W
最大連續(xù)電流, Ic:200A
溫度 @ 電流測量:80°C
滿功率溫度:25°C
電壓, Vces:1200V
電流, Ic @ Vce飽和:200A
電流, Icm 脈沖:400A
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无库存 |
1 |
1 |
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DYNEX - DS1104SG16 - 密封式二極管 1849A 1600V |
二極管類型:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù)
電壓, Vrrm:1600V
電流, If 平均:1849A
電流, Ifs 最大:20000A
封裝形式:G
外徑:58.5mm
外部長度/高度:27mm
封裝類型:G
正向電壓, 于If:1.3V
溫度 @ 電流測量:75°C
熱阻, 結(jié)至外殼 A:0.032°C/W
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无库存 |
1 |
1 |
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DYNEX - DS502ST14 - 密封式二極管 866A 1400V |
二極管類型:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù)
電壓, Vrrm:1400V
電流, If 平均:866A
電流, Ifs 最大:8000A
封裝形式:T
外徑:42mm
外部長度/高度:15mm
封裝類型:T
正向電壓, 于If:1.07V
溫度 @ 電流測量:75°C
熱阻, 結(jié)至外殼 A:0.07°C/W
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无库存 |
1 |
1 |
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DYNEX - DS502ST10 - 密封式二極管 866A 1000V |
二極管類型:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù)
電壓, Vrrm:1000V
電流, If 平均:866A
電流, Ifs 最大:8000A
封裝形式:T
外徑:42mm
外部長度/高度:15mm
封裝類型:T
正向電壓, 于If:1.07V
溫度 @ 電流測量:75°C
熱阻, 結(jié)至外殼 A:0.07°C/W
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无库存 |
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