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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDG316P - 場效應管 MOSFET N溝道 30V 1.6A SC70-6 |
晶體管極性:P Channel
漏極電流, Id 最大值:1.6A
電壓, Vds 最大:30V
開態(tài)電阻, Rds(on):0.19ohm
電壓 @ Rds測量:-10V
電壓, Vgs 最高:-1.6V
功耗:0.75W
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:SC-70
針腳數(shù):6
器件標記:.36
封裝類型:SC70
晶體管類型:MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds 典型值:30V
電流, Id 連續(xù):1.6A
電流, Idm 脈沖:6A
表面安裝器件:表面安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:-1.6V
閾值電壓, Vgs th 最高:3V
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上海 0 美國235 新加坡 0 英國1881 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDG315N - 場效應管 MOSFET N溝道 30V 2A SC70-6 |
晶體管極性:N
漏極電流, Id 最大值:2A
電壓, Vds 最大:30V
???態(tài)電阻, Rds(on):0.12ohm
電壓 @ Rds測量:10V
電壓, Vgs 最高:1.8V
功耗:0.75W
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:SC-70
針腳數(shù):6
器件標記:.15
封裝類型:SC70
晶體管類型:MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds 典型值:30V
電流, Id 連續(xù):2A
電流, Idm 脈沖:6A
表面安裝器件:表面安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:1.8V
閾值電壓, Vgs th 最高:3V
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上海 0 美國 0 新加坡200 英國965 |
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