| 圖片 |
型號(hào) |
產(chǎn)品描述 |
庫(kù)存狀況 |
包裝規(guī)格 |
單位價(jià)格 (不含稅) |
數(shù)量 |
 |
NXP - BUK9508-55B - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N溝道 55V 75A TO-220AB |
晶體管極性:N Channel
漏極電流, Id 最大值:110A
電壓, Vds 最大:55V
開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):6.2mohm
電壓 @ Rds測(cè)量:10V
電壓, Vgs 最高:15V
功耗:203W
工作溫度范圍:-55°C to +175°C
封裝類型:TO-220AB
封裝類型:TO-220AB
晶體管類型:MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
電壓, Vds 典型值:55V
電流, Id 連續(xù):25A
表面安裝器件:通孔安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:1.5V
|
停产 |
1 |
1 |
 |
 |
NXP - TJA1041AT - 芯片 收發(fā)器 CAN總線 高速 14SOIC |
工作溫度范圍:-40°C to +150°C
針腳數(shù):14
封裝類型:SOIC
器件標(biāo)號(hào):1041
電源電壓 最大:5.25V
電源電??? 最小:2.8V
電源電流:55mA
表面安裝器件:表面安裝
控制接口:CAN
數(shù)據(jù)率, 最高:1Mbps
通信功能:CAN收發(fā)器
|
上海 0 新加坡 0 英國(guó)321 |
1 |
1 |
 |
 |
NXP - TJA1021T - 芯片 收發(fā)器 LIN總線 2.1/SAE J2602 8SOIC |
工作溫度范圍:-40°C to +150°C
針腳數(shù):8
封裝類型:SOIC
器件標(biāo)號(hào):1021
電源電壓 最大:27V
電源電壓 最小:5.5V
電源電流:2mA
表面安裝器件:表面安裝
控制接口:LIN
數(shù)據(jù)率, 最高:20Kilobaud
通信功能:LIN收發(fā)器
|
无库存 |
1 |
1 |
 |
 |
NXP - LPC2292FBD144 - 芯片 16/32位微控制器 ARM7 256K閃存 144LQFP |
Controller Family/Series:LPC2
磁芯尺寸:16bit / 32bit
輸入/輸出數(shù):112
程序存儲(chǔ)器大小:256KB
存儲(chǔ)器容量, RAM:16KB
處理器速度:60MHz
振蕩器類型:External
計(jì)時(shí)器數(shù):2
周邊設(shè)備:ADC, RTC, Timer, PWM
接口:CAN, I2C, SPI, UART
PWM通道數(shù):6
封裝形式:LQFP
電源電壓范圍:1.65V to 1.95V, 3V to 3.6V
工作溫度范圍:-40°C to +85°C
針腳數(shù):144
封裝類型:LQFP
接口類型:I2C, SPI, SSP, UART
時(shí)鐘頻率:60MHz
模數(shù)轉(zhuǎn)換器輸入數(shù):8
電源電壓 最大:3.6V
電源電壓 最小:1.65V
芯片標(biāo)號(hào):LPC2292
表面安裝器件:表面安裝
輸入/輸出線數(shù):112
閃存容量:256KB
|
上海 0 新加坡 0 英國(guó)82 |
1 |
1 |
 |
 |
NXP - LPC2212FBD144 - 芯片 16/32位微控制器 ARM7 128K閃存 144LQFP |
Controller Family/Series:LPC2
磁芯尺寸:16bit / 32bit
輸入/輸出數(shù):112
程序存儲(chǔ)器大小:128KB
存儲(chǔ)器容量, RAM:16KB
處理器速度:60MHz
振蕩器類型:External
計(jì)時(shí)器數(shù):2
周邊設(shè)備:ADC, RTC, Timer, PWM
接口:I2C, SPI, UART
PWM通道數(shù):6
封裝形式:LQFP
電源電壓范圍:1.65V to 1.95V, 3V to 3.6V
工作溫度范圍:-40°C to +85°C
針腳數(shù):144
封裝類型:LQFP
接口類型:I2C, SPI, SSP, UART
時(shí)鐘頻率:60MHz
模數(shù)轉(zhuǎn)換器輸入數(shù):8
電源電壓 最大:3.6V
電源電壓 最小:1.65V
芯片標(biāo)號(hào):LPC2212
表面安裝器件:表面安裝
輸入/輸出線數(shù):112
閃存容量:128KB
|
上海 0 新加坡4 英國(guó)3 |
1 |
1 |
 |
 |
NXP - LPC2138FBD64 - 芯片 16/32位微控制器 ARM7 512K閃存 64LQFP |
Controller Family/Series:LPC2
磁芯尺寸:16bit / 32bit
輸入/輸出數(shù):47
程序存儲(chǔ)器大小:512KB
存儲(chǔ)器容量, RAM:32KB
處理器速度:60MHz
振蕩器類型:External
計(jì)時(shí)器數(shù):2
周邊設(shè)備:ADC, DAC, RTC, Timer, PWM
接口:I2C, UART
PWM通道數(shù):6
封裝形式:LQFP
電源電壓范圍:3V to 3.6V
工作溫度范圍:-40°C to +85°C
針腳數(shù):64
存儲(chǔ)器類型:FLASH
封裝類型:LQFP
接口類型:I2C, SPI, SSP, UART
時(shí)鐘頻率:60MHz
模數(shù)轉(zhuǎn)換器輸入數(shù):16
電源電壓 最大:3.6V
電源電壓 最小:3V
芯片標(biāo)號(hào):LPC2138
表面安裝器件:表面安裝
輸入/輸??線數(shù):47
閃存容量:512KB
|
上海 0 新加坡2 英國(guó)758 |
1 |
1 |
 |
 |
NXP - LPC2134FBD64 - 芯片 16/32位微控制器 ARM7 128K閃存 64LQFP |
Controller Family/Series:LPC2
磁芯尺寸:16bit / 32bit
輸入/輸出數(shù):47
程序存儲(chǔ)器大小:128KB
存儲(chǔ)器容量, RAM:16KB
處理器速度:60MHz
振蕩器類型:External
計(jì)時(shí)器數(shù):2
周邊設(shè)備:ADC, DAC, RTC, Timer, PWM
接口:I2C, UART
PWM通道數(shù):6
封裝形式:LQFP
電源電壓范圍:3V to 3.6V
工作溫度范圍:-40°C to +85°C
針腳數(shù):64
存儲(chǔ)器類型:FLASH
封裝類型:LQFP
接口類型:I2C, SPI, SSP, UART
時(shí)鐘頻率:60MHz
模數(shù)轉(zhuǎn)換器輸入數(shù):16
電源電壓 最大:3.6V
電源電壓 最小:3V
芯片標(biāo)號(hào):LPC2134
表面安裝器件:表面安裝
輸入/輸??線數(shù):47
閃存容量:128KB
|
上海 0 新加坡5 英國(guó)283 |
1 |
1 |
 |
 |
NXP - 74AHCT1G08GW - 芯片 單路2輸入與門(mén) 74AHCT 5TSSOP |
邏輯類型:AND
輸出電流:8mA
輸入數(shù):1
電源電壓范圍:4.5V to 5.5V
封裝類型:TSSOP
針腳數(shù):5
工作溫度范圍:-40°C to +125°C
封裝類型:TSSOP
器件標(biāo)號(hào):74
電源電壓 最大:5.5V
電源電壓 最小:4.5V
芯片標(biāo)號(hào):74AHCT1G08
表面安裝器件:表面安裝
輸出電流 最大:8mA
邏輯芯片功能:2 Input AND Gate
邏輯芯片基本號(hào):7408
邏輯芯片系列:AHCT
|
上海 0 新加坡990 英國(guó)2556 |
1 |
1 |
 |
 |
NXP - 74AHC1G02GW - 芯片 單路2輸入或非門(mén) 74AHC SC88A-5 |
邏輯類型:NOR
輸出電流:8mA
輸入數(shù):2
電源電壓范圍:2V to 5.5V
封裝類型:TSSOP
針腳數(shù):5
工作溫度范圍:-40°C to +125°C
封裝類型:TSSOP
器件標(biāo)號(hào):74
電源電壓 最大:5.5V
電源電壓 最小:2V
芯片標(biāo)號(hào):74AHC1G02
表面安裝器件:表面安裝
輸出電流 最大:8mA
邏輯芯片功能:2 Input NOR Gate
邏輯芯片基本號(hào):74102
邏輯芯片系列:AHC
|
上海 0 新加坡 0 英國(guó)3623 |
1 |
1 |
 |
 |
NXP - PSMN9R0-30YL - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N溝道 30V 55A SOT669 |
晶體管極性:N Channel
漏極電流, Id 最大值:55A
電壓, Vds 最大:30V
開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):6.16mohm
電壓 @ Rds測(cè)量:10V
電壓, Vgs 最高:20V
功耗:46W
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:SOT-669
功率, Pd:46W
封裝類型:SOT-669
晶體管類型:MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
電壓, Vds 典型值:30V
電流, Id 連續(xù):55A
表面安裝器件:表面安裝
通態(tài)電阻, Rds on 最大:0.008ohm
閾值電壓, Vgs th 典型值:1.7V
|
上海 0 新加坡83 英國(guó) 0 |
1 |
1 |
 |
 |
NXP - PSMN7R0-30YL - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N溝道 30V 65A SOT669 |
晶體管極性:N Channel
漏極電流, Id 最大值:65A
電壓, Vds 最大:30V
開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):4.92mohm
電壓 @ Rds測(cè)量:10V
電壓, Vgs 最高:20V
功耗:51W
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:SOT-669
功率, Pd:51W
封裝類型:SOT-669
晶體管類型:MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
電壓, Vds 典型值:30V
電流, Id 連續(xù):65A
表面安裝器件:表面安裝
通態(tài)電阻, Rds on 最大:0.007ohm
閾值電壓, Vgs th 典型值:1.7V
|
上海 0 新加坡90 英國(guó)954 |
1 |
1 |
 |
 |
NXP - PSMN6R0-30YL - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N溝道 30V 73A SOT669 |
晶體管極性:N Channel
漏極電流, Id 最大值:73A
電壓, Vds 最大:30V
開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):4.26mohm
電壓 @ Rds測(cè)量:10V
電壓, Vgs 最高:20V
功耗:55W
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:SOT-669
功率, Pd:55W
封裝類型:SOT-669
晶體管類型:MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
電壓, Vds 典型值:30V
電流, Id 連續(xù):73A
表面安裝器件:表面安裝
通態(tài)電阻, Rds on 最大:0.006ohm
閾值電壓, Vgs th 典型值:1.7V
|
上海 0 新加坡80 英國(guó)253 |
1 |
1 |
 |
 |
NXP - PSMN5R0-30YL - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N溝道 30V 84A SOT669 |
晶體管極性:N Channel
漏極電流, Id 最大值:84A
電壓, Vds 最大:30V
開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):3.63mohm
電壓 @ Rds測(cè)量:10V
電壓, Vgs 最高:20V
功耗:61W
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:SOT-669
功率, Pd:61W
封裝類型:SOT-669
晶體管類型:MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
電壓, Vds 典型值:30V
電流, Id 連續(xù):84A
表面安裝器件:表面安裝
通態(tài)電阻, Rds on 最大:0.005ohm
閾值電壓, Vgs th 典型值:1.7V
|
上海 0 新加坡73 英國(guó)220 |
1 |
1 |
 |
 |
NXP - PSMN4R0-30YL - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N溝道 30V 99A SOT669 |
晶體管極性:N Channel
漏極電流, Id 最大值:99A
電壓, Vds 最大:30V
開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):2.72mohm
電壓 @ Rds測(cè)量:10V
電壓, Vgs 最高:20V
功耗:69W
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:SOT-669
功率, Pd:69W
封裝類型:SOT-669
晶體管類型:MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
電壓, Vds 典型值:30V
電流, Id 連續(xù):99A
表面安裝器件:表面安裝
通態(tài)電阻, Rds on 最大:0.004ohm
閾值電壓, Vgs th 典型值:1.7V
|
上海 0 新加坡60 英國(guó)83 |
1 |
1 |
 |
 |
NXP - PSMN3R5-30YL - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N溝道 30V 100A SOT669 |
晶體管極性:N Channel
漏極電流, Id 最大值:100A
電壓, Vds 最大:30V
開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):2.43mohm
電壓 @ Rds測(cè)量:10V
電壓, Vgs 最高:20V
功耗:74W
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:SOT-669
功率, Pd:74W
封裝類型:SOT-669
晶體管類型:MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
電壓, Vds 典型值:30V
電流, Id 連續(xù):100A
表面安裝器件:表面安裝
通態(tài)電阻, Rds on 最大:0.0035ohm
閾值電壓, Vgs th 典型值:1.7V
|
上海 0 新加坡35 英國(guó)203 |
1 |
1 |
 |
| 共 76 頁(yè) | 第 1 頁(yè) | 首頁(yè) 上一頁(yè) 下一頁(yè) 尾頁(yè) |