| 圖片 |
型號 |
產(chǎn)品描述 |
庫存狀況 |
包裝規(guī)格 |
單位價格
(不含稅) |
數(shù)量 |
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STMICROELECTRONICS - VNS7NV04TR-E - 場效應(yīng)管 MOSFET OMNIFETII 40V 6A 8-SOIC |
晶體管極性:N Channel
開態(tài)電阻, Rds(on):60mohm
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:SOIC
封裝類型:SOIC
晶體管類型:Power MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測量:5V
電壓, Vds 典型值:45V
電流, Id 連續(xù):3.5A
表面安裝器件:表面安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:2.5V
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上海 0
新加坡 0
英國2500 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - VNS3NV04D-E - 場效應(yīng)管 功率MOSFET 自動保護(hù) 8-SOIC |
晶體管極性:Dual N Channel
開態(tài)電阻, Rds(on):120mohm
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:SOIC
封裝類型:SOIC
晶體管類型:Power MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測量:5V
電壓, Vds 典型值:45V
電流, Id 連續(xù):1.5A
表面安裝器件:表面安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:2.5V
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上海 0
新加坡 0
英國270 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - VNS1NV04D-E - 場效應(yīng)管 MOSFET 2N溝道 40V 1.7A 8-SOIC |
晶體管極性:N Channel
開態(tài)電阻, Rds(on):250mohm
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:SOIC
封裝類型:SOIC
晶體管類型:Power MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測量:5V
電壓, Vds 典型值:45V
電流, Id 連續(xù):0.5A
表面安裝器件:表面安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:2.5V
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上海 0
新加坡82
英國486 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - VNS14NV04TR-E - 場效應(yīng)管 MOSFET OMNIFETII 40V 12A SO-8 |
晶體管極性:N Channel
開態(tài)電阻, Rds(on):35mohm
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:SOIC
封裝類型:SOIC
晶體管類型:Power MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測量:5V
電壓, Vds 典型值:45V
電流, Id 連續(xù):7A
表面安裝器件:表面安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:2.5V
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上海 0
新加坡 0
英國49 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - VNQ830-E - 芯片 驅(qū)動器 高壓側(cè) 四路 28-SOIC |
驅(qū)動芯片類型:高邊
針腳數(shù):28
工作溫度范圍:-40°C to +150°C
封裝類??:SOIC
功耗, Pd:6.25W
器件標(biāo)號:830
電源電壓 最大:36V
電源電壓 最小:5.5V
表面安裝器件:表面安裝
輸出數(shù):4
輸出電流:6A
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上海 0
新加坡12
英國1181 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - VNQ810-E - 芯片 驅(qū)動器 高壓側(cè) 四路 28-SOIC |
驅(qū)動芯片類型:高邊
針腳數(shù):28
工作溫度范圍:-40°C to +150°C
封裝類??:SOIC
功耗, Pd:6.25W
器件標(biāo)號:810
電源電壓 最大:36V
電源電壓 最小:5.5V
表面安裝器件:表面安裝
輸出數(shù):4
輸出電流:3.5A
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上海 0
新加坡20
英國65 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - VNQ690SP - 芯片 固態(tài)繼電器 高壓側(cè) 四路 POWERSO10 |
驅(qū)動芯片類型:高邊
針腳數(shù):10
工作溫度范圍:-40°C to +150°C
封裝類型:PowerSOIC
功耗, Pd:78W
器件標(biāo)號:690
電源電壓 最大:36V
電源電壓 最小:6V
表面安裝器件:表面安裝
輸出數(shù):4
輸出電流:10A
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上海 0
新加坡10
英國63 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - VNQ660SP-E - 芯片 固態(tài)繼電器 高壓側(cè) 四路 POWERSO10 |
驅(qū)動芯片類型:高邊
針腳數(shù):10
工作溫度范圍:-40°C to +150°C
封裝類型:PowerSOIC
功耗, Pd:114W
器件標(biāo)號:660
電源電壓 最大:36V
電源電壓 最小:6V
表面安裝器件:表面安裝
輸出數(shù):4
輸出電流:6A
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上海 0
新加坡 0
英國39 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - VNQ5160K-E - 芯片 驅(qū)動器 高壓側(cè) 四路 POWERSSO24 |
驅(qū)動芯片類型:高邊
針腳數(shù):24
工作溫度范圍:-40°C to +150°C
封裝類型:PowerSSO
器件標(biāo)號:5160
電源電壓 最大:36V
電源電壓 最小:4.5V
表面安裝器件:表面安裝
輸出數(shù):4
輸出電流:5A
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上海 0
新加坡17
英國94 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - VNQ05XSP16TR-E - 芯片 固態(tài)繼電器 高壓側(cè) 四路 36V PWRSO16 |
驅(qū)動芯片類型:高邊
針腳數(shù):16
工作??度范圍:-40°C to +150°C
封裝類型:PowerSOIC
功耗, Pd:78W
器件標(biāo)號:05
電源電壓 最大:36V
電源電壓 最小:5.5V
表面安裝器件:表面安裝
輸出數(shù):4
輸出電流:5A
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上海 0
新加坡10
英國1186 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - VNP35NV04-E - 場效應(yīng)管 MOSFET OMNIFETII 40V 30A TO-220 |
晶體管極性:N Channel
開態(tài)電阻, Rds(on):13mohm
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:TO-220
封裝類型:TO-220
晶體管類型:Power MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測量:5V
電壓, Vds 典型值:45V
電流, Id 連續(xù):15A
表面安裝器件:通孔安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:2.5V
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上海 0
新加坡10
英國351 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - VNP35N07-E - 場效應(yīng)管 MOSFET OMNIFET 70V 35A TO-220 |
晶體管極性:N Channel
開態(tài)電阻, Rds(on):0.028ohm
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:TO-220
封裝類型:TO-220
晶體管類型:Power MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds 典型值:70V
電流, Id 連續(xù):18A
表面安裝器件:通孔安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:3V
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上海 0
新加坡 0
英國644 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - VNP28N04-E - 場效應(yīng)管 MOSFET OMNIFET 42V 28A TO-220 |
晶體管極性:N Channel
開態(tài)電阻, Rds(on):0.035ohm
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:TO-220
封裝類型:TO-220
晶體管類型:Power MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds 典型值:42V
電流, Id 連續(xù):14A
表面安裝器件:通孔安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:3V
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上海 0
新加坡 0
英國245 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - VNP20N07-E - 場效應(yīng)管 MOSFET OMNIFET 70V 20A TO-220 |
晶體管極性:N Channel
開態(tài)電阻, Rds(on):0.05ohm
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:TO-220
封裝類型:TO-220
晶體管類型:Power MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds 典型值:70V
電流, Id 連續(xù):10A
表面安裝器件:通孔安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:3V
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上海 0
新加坡20
英國301 |
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1 |
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STMICROELECTRONICS - VNP14NV04-E - 場效應(yīng)管 MOSFET OMNIFETII 40V 12A TO-2203 |
晶體管極性:N Channel
開態(tài)電阻, Rds(on):35mohm
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:TO-220
封裝類型:TO-220
晶體管類型:Power MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測量:5V
電壓, Vds 典型值:45V
電流, Id 連續(xù):7A
表面安裝器件:通孔安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:2.5V
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上海 0
新加坡30
英國362 |
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1 |
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