| 圖片 |
型號 |
產(chǎn)品描述 |
庫存狀況 |
包裝規(guī)格 |
單位價格
(不含稅) |
數(shù)量 |
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SANYO - VEC2305-TL-E - 場效應(yīng)管 雙MOSFET PP溝道 18V 2.5A VEC8 |
晶體管極性:Dual P Channel
???極電流, Id 最大值:2.5A
電壓, Vds 最大:12V
開態(tài)電阻, Rds(on):115mohm
電壓 @ Rds測量:4.5V
閾值電壓, Vgs th 典型值:1V
功耗:1W
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:VEC8
針腳數(shù):8
封裝類型:VEC8
晶體管類型:Switching
表面安裝器件:表面安裝
電壓 Vgs @ Rds on 測量:4.5V
電壓, Vds 典型值:18V
電壓, Vgs 最高:8V
電流, Id 連續(xù):1.5A
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上海 0
新加坡 0
英國100 |
1 |
1 |
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SANYO - VEC2303-TL-E - 場效應(yīng)管 雙MOSFET PP溝道 12V 4A VEC8 |
晶體管極性:Dual P Channel
漏極電流, Id 最大值:4A
電壓, Vds 最大:12V
開態(tài)電阻, Rds(on):49mohm
電壓 @ Rds測量:4.5V
閾值電壓, Vgs th 典型值:1V
功耗:1W
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:VEC8
針腳數(shù):8
封裝類型:VEC8
晶體管類型:Switching
表面安裝器件:表面安裝
電壓 Vgs @ Rds on 測量:4.5V
電壓, Vds 典型值:12V
電壓, Vgs 最高:8V
電流, Id 連續(xù):2A
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上海 0
新加坡 0
英國97 |
1 |
1 |
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SANYO - VEC2301-TL-E - 場效應(yīng)管 雙MOSFET PP溝道 20V 3A VEC8 |
晶體管極性:Dual P Channel
漏極電流, Id 最大值:3A
電壓, Vds 最大:20V
開態(tài)電阻, Rds(on):81mohm
電壓 @ Rds測量:4.5V
閾值電壓, Vgs th 典型值:1.3V
功耗:1W
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:VEC8
針腳數(shù):8
封裝類型:VEC8
晶體管類型:Switching
表面安裝器件:表面安裝
電壓 Vgs @ Rds on 測量:4.5V
電壓, Vds 典型值:20V
電壓, Vgs 最高:10V
電流, Id 連續(xù):2A
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上海 0
新加坡 0
英國100 |
1 |
1 |
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SANYO - SCH2315-TL-E - 場效應(yīng)管 雙MOSFET PP溝道 12V 0.9A SCH6 |
晶體管極性:Dual P Channel
漏極電流, Id 最大值:0.9A
電壓, Vds 最大:12V
開態(tài)電阻, Rds(on):615mohm
電壓 @ Rds測量:4.5V
閾值電壓, Vgs th 典型值:1V
功耗:650mW
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:SCH6
針腳數(shù):6
封裝類型:SCH6
晶體管類型:Switching
表面安裝器件:表面安裝
電壓 Vgs @ Rds on 測量:4.5V
電壓, Vds 典型值:12V
電壓, Vgs 最高:8V
電流, Id 連續(xù):0.5A
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上海 0
新加坡 0
英國100 |
1 |
1 |
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SANYO - SCH1419-TL-E - 場效應(yīng)管 MOSFET N溝道 30V 1.5A SCH6 |
晶體管極性:N
漏極電流, Id 最大值:1.5A
電壓, Vds 最大:30V
開態(tài)電阻, Rds(on):215mohm
電壓 @ Rds測量:4V
電壓, Vgs 最高:12V
功耗:800mW
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:SCH6
針腳數(shù):6
封裝類型:SCH6
晶體管類型:Switching
電壓 Vgs @ Rds on 測量:4V
電壓, Vds 典型值:30V
電流, Id 連續(xù):1.5A
表面安裝器件:表面安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:1.3V
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上海 0
新加坡 0
英國100 |
1 |
1 |
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SANYO - SCH1417-TL-E - 場效應(yīng)管 MOSFET N溝道 15V 1.8A SCH6 |
晶體管極性:N
漏極電流, Id 最大值:1.8A
電壓, Vds 最大:15V
開態(tài)電阻, Rds(on):160mohm
電壓 @ Rds測量:4V
電壓, Vgs 最高:10V
功耗:650mW
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:SCH6
針腳數(shù):6
封裝類型:SCH6
晶體管類型:Switching
電壓 Vgs @ Rds on 測量:4V
電壓, Vds 典型值:15V
電流, Id 連續(xù):1.8A
表面安裝器件:表面安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:1.3V
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上海 0
新加坡 0
英國100 |
1 |
1 |
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SANYO - SCH1402-TL-E - 場效應(yīng)管 MOSFET N溝道 20V 3A SCH6 |
晶體管極性:N
漏極電流, Id 最大值:3A
電壓, Vds 最大:20V
開態(tài)電阻, Rds(on):82mohm
電壓 @ Rds測量:4V
電壓, Vgs 最高:10V
功耗:800mW
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:SCH6
針腳數(shù):6
封裝類型:SCH6
晶體管類型:Switching
電壓 Vgs @ Rds on 測量:4V
電壓, Vds 典型值:20V
電流, Id 連續(xù):3A
表面安裝器件:表面安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:1.3V
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上海 0
新加坡 0
英國100 |
1 |
1 |
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SANYO - SCH1302-TL-E - 場效應(yīng)管 MOSFET P溝道 20V 2A SCH6 |
晶體管極性:P
漏極電流, Id 最大值:-2A
電壓, Vds 最大:-20V
開態(tài)電阻, Rds(on):165mohm
電壓 @ Rds測量:-4V
電壓, Vgs 最高:10V
功耗:800mW
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:SCH6
針腳數(shù):6
封裝類型:SCH6
晶體管類型:Switching
電壓 Vgs @ Rds on 測量:4V
電壓, Vds 典型值:20V
電流, Id 連續(xù):2A
表面安裝器件:表面安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:10V
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上海 0
新加坡 0
英國93 |
1 |
1 |
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SANYO - SCH1301-TL-E - 場效應(yīng)管 MOSFET P溝道 12V 2.4A SCH6 |
晶體管極性:P
漏極電流, Id 最大值:-2.4A
電壓, Vds 最大:-12V
開態(tài)電阻, Rds(on):120mohm
電??? @ Rds測量:-4.5V
電壓, Vgs 最高:8V
功耗:800mW
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:SCH6
針腳數(shù):6
封裝類型:SCH6
晶體管類型:Switching
電壓 Vgs @ Rds on 測量:4.5V
電壓, Vds 典型值:12V
電流, Id 連續(xù):2.4A
表面安裝器件:表面安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:1V
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上海 0
新加坡 0
英國100 |
1 |
1 |
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SANYO - MCH6635-TL-E - 場效應(yīng)管 雙MOSFET PP溝道 20V 0.8A MCPH6 |
晶體管極性:Dual P Channel
漏極電流, Id 最大值:0.8A
電壓, Vds 最大:20V
開態(tài)電阻, Rds(on):900mohm
電壓 @ Rds測量:4V
閾值電壓, Vgs th 典型值:1.3V
功耗:800mW
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:SC-88
針腳數(shù):6
封裝類型:SC-88
晶體管類型:Switching
表面安裝器件:表面安裝
電壓 Vgs @ Rds on 測量:4V
電壓, Vds 典型值:20V
電壓, Vgs 最高:10V
電流, Id 連續(xù):0.4A
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上海 0
新加坡 0
英國95 |
1 |
1 |
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SANYO - MCH6629-TL-E - 場效應(yīng)管 雙MOSFET PP溝道 30V 0.4A MCPH6 |
晶體管極性:Dual P Channel
漏極電流, Id 最大值:0.4A
電壓, Vds 最大:30V
開態(tài)電阻, Rds(on):1900mohm
電壓 @ Rds測量:4V
閾值電壓, Vgs th 典型值:1.4V
功耗:800mW
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:SC-88
針腳數(shù):6
封裝類型:SC-88
晶體管類型:Switching
表面安裝器件:表面安裝
電壓 Vgs @ Rds on 測量:4V
電壓, Vds 典型值:30V
電壓, Vgs 最高:10V
電流, Id 連續(xù):0.2A
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上海 0
新加坡 0
英國100 |
1 |
1 |
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SANYO - MCH6617-TL-E - 場效應(yīng)管 雙MOSFET PP溝道 20V 1A MCPH6 |
晶體管極性:Dual P Channel
漏極電流, Id 最大值:1A
電壓, Vds 最大:20V
開態(tài)電阻, Rds(on):500mohm
電壓 @ Rds測量:4V
閾值電壓, Vgs th 典型值:1.3V
功耗:800mW
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:SC-88
針腳數(shù):6
封裝類型:SC-88
晶體管類型:Switching
表面安裝器件:表面安裝
電壓 Vgs @ Rds on 測量:4V
電壓, Vds 典型值:20V
電壓, Vgs 最高:10V
電流, Id 連續(xù):0.5A
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上海 0
新加坡 0
英國90 |
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1 |
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SANYO - MCH6601-TL-E - 場效應(yīng)管 雙MOSFET PP溝道 30V 0.2A MCPH6 |
晶體管極性:Dual P Channel
漏極電流, Id 最大值:0.2A
電壓, Vds 最大:30V
開態(tài)電阻, Rds(on):10400mohm
電壓 @ Rds測量:4V
閾值電壓, Vgs th 典型值:1.4V
功耗:800mW
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:SC-88
針腳數(shù):6
封裝類型:SC-88
晶體管類型:Switching
表面安裝器件:表面安裝
電壓 Vgs @ Rds on 測量:4V
電壓, Vds 典型值:30V
電壓, Vgs 最高:10V
電流, Id 連續(xù):0.05A
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上海 0
新加坡 0
英國100 |
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SANYO - MCH6429-TL-E - 場效應(yīng)管 MOSFET N溝道 20V 6A MCPH6 |
晶體管極性:N
漏極電流, Id 最大值:6A
電壓, Vds 最大:20V
開態(tài)電阻, Rds(on):28mohm
電壓 @ Rds測量:4V
電壓, Vgs 最高:12V
功耗:1.5W
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:SC-88
針腳數(shù):6
封裝類型:SC-88
晶體管類型:Switching
電壓 Vgs @ Rds on 測量:4V
電壓, Vds 典型值:20V
電流, Id 連續(xù):6A
表面安裝器件:表面安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:1.3V
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上海 0
新加坡 0
英國39 |
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SANYO - MCH6412-TL-E - 場效應(yīng)管 MOSFET N溝道 30V 5A MCPH6 |
晶體管極性:N
漏極電流, Id 最大值:5A
電壓, Vds 最大:30V
開態(tài)電阻, Rds(on):41mohm
電壓 @ Rds測量:4V
電壓, Vgs 最高:10V
功耗:1.5W
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:SC-88
針腳數(shù):6
封裝類型:SC-88
晶體管類型:Switching
電壓 Vgs @ Rds on 測量:4V
電壓, Vds 典型值:30V
電流, Id 連續(xù):5A
表面安裝器件:表面安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:1.3V
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上海 0
新加坡 0
英國39 |
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