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型號 |
產(chǎn)品描述 |
庫存狀況 |
包裝規(guī)格 |
單位價格
(不含稅) |
數(shù)量 |
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ON SEMICONDUCTOR - NGD15N41CLT4G. - 晶體管 IGBT模塊 |
晶體管 IGBT模塊
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无库存 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRGPS60B120KDP.. - 晶體管 IGBT Super-247 105A 1200V |
晶體管 IGBT Super-247 105A 1200V
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美國 0
上海 0
美國 0
新加坡10 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - HGTP2N120CN - 晶體管 IGBT |
晶體管 IGBT
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无库存 |
1 |
10 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FGPF7N60RUFDTU - 晶體管 IGBT CO-PAK TO-220F 7A 600V |
晶體管類型:IGBT
集電極直流電流:14A
飽和電壓, Vce sat 最大:2.8V
最大功耗:41W
電壓, Vceo:600V
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:TO-220F
針腳數(shù):3
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
上升時間:60ns
下降時間:170ns
功率, Pd:41W
功耗:41W
封裝類型:TO-220F
晶體管數(shù):1
晶體管極性:N Channel
最大連續(xù)電流, Ic:7A
溫度 @ 電流測量:25°C
滿功率溫度:25°C
熱阻, 結(jié)至外殼 A:3°C/W
電壓, Vces:600V
電流, Ic @ Vce飽和:7A
電流, Icm 脈沖:21A
結(jié)溫, Tj 最低:-55°C
結(jié)溫, Tj 最高:150°C
表面安裝器件:通孔安裝
針腳配置:With flywheel diode
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上海 0
新加坡 0
英國289 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FGA90N30TU - 晶體管 IGBT TO-3P |
晶體管類型:IGBT
飽和電壓, Vce sat 最大:1.4V
電壓, Vceo:300V
封裝類型:TO-3P
針腳數(shù):3
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
上升時間:200ns
下降時間:110ns
功率, Pd:219W
功耗:219W
封裝類型:TO-3P
晶體管數(shù):1
晶體管極性:N
最大連續(xù)電流, Ic:90A
溫度 @ 電流測量:25°C
滿功率溫度:25°C
熱阻, 結(jié)至外殼 A:0.57°C/W
電壓, Vces:300V
電流, Ic @ Vce飽和:20A
電流, Icm 脈沖:220A
結(jié)溫, Tj 最低:-55°C
結(jié)溫, Tj 最高:150°C
表面安裝器件:通孔安裝
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上海 0
新加坡 0
英國9 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FGA90N30DTU - 晶體管 IGBT TO-3P |
晶體管類型:IGBT
飽和電壓, Vce sat 最大:1.4V
電壓, Vceo:300V
封裝類型:TO-3P
針腳數(shù):3
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
上升時間:200ns
下降時間:110ns
功率, Pd:219W
功耗:219W
封裝類型:TO-3P
晶體管數(shù):1
晶體管極性:N
最大連續(xù)電流, Ic:90A
溫度 @ 電流測量:25°C
滿功率溫度:25°C
熱阻, 結(jié)至外殼 A:0.57°C/W
電壓, Vces:300V
電流, Ic @ Vce飽和:20A
電流, Icm 脈沖:220A
結(jié)溫, Tj 最低:-55°C
結(jié)溫, Tj 最高:150°C
表面安裝器件:通孔安裝
針腳配置:With flywheel diode
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上海 0
新加坡 0
英國1 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FGA15N120ANTDTU - 晶體管 IGBT NPT TO-3P 1200V |
晶體管類型:IGBT
集電極直流電流:30A
飽和電壓, Vce sat 最大:2.4V
最大功耗:186W
電壓, Vceo:1200V
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:TO-3P
針腳數(shù):3
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
上升時間:20ns
下降時間:100ns
功率, Pd:186W
功耗:186W
封裝類型:TO-3P
晶體管數(shù):1
晶體管極性:N Channel
最大連續(xù)電流, Ic:30A
溫度 @ 電流測量:25°C
滿功率溫度:25°C
熱阻, 結(jié)至外殼 A:0.67°C/W
電壓, Vces:1200V
電流, Ic @ Vce飽和:15A
電流, Icm 脈沖:45A
結(jié)溫, Tj 最低:-55°C
結(jié)溫, Tj 最高:150°C
表面安裝器件:通孔安裝
針腳配置:With flywheel diode
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停产 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - STGD3NB60SD-1 - 晶體管 IGBT I-PAK |
晶體管類型:IGBT - PowerMESH - Low Drop
飽和電壓, Vce sat 最大:1.5V
封裝類型:I-PAK
上升時間:150000ns
下降時間:720ns
功率, Pd:48W
功耗:48W
封裝類型:I-PAK
晶體管極性:N
最大連續(xù)電流, Ic:3A
溫度 @ 電流測量:25°C
滿功率溫度:25°C
電壓, Vces:600V
電流, Icm 脈沖:25A
表面安裝器件:通孔安裝
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无库存 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - STGD10NC60KDT4 - 晶體管 IGBT D-PAK |
晶體管類型:IGBT
飽和電壓, Vce sat 最大:2V
電壓, Vceo:600V
封裝類型:D-PAK
上升時間:6.5ns
下降時間:82ns
功率, Pd:60W
功耗:60W
封裝類型:D-PAK
封裝類型, 替代:TO-252
晶體管極性:N
最大連續(xù)電流, Ic:10A
溫度 @ 電流測量:100°C
滿功率溫度:100°C
電壓, Vces:600V
電流, Icm 脈沖:40A
表面安裝器件:表面安裝
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无库存 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRGP4062DPBF - 晶體管 IGBT COPAK TO-247 |
晶體管類型:IGBT
集電極直流電流:48A
飽和電壓, Vce sat 最大:1.65V
最大功耗:250W
電壓, Vceo:600V
工作溫度范圍:-55°C to +175°C
封裝類型:TO-247
上升時間:22ns
功率, Pd:250W
功耗:250W
封裝類型:TO-247
晶體管極性:N Channel
最大連續(xù)電流, Ic:48A
電壓, Vces:600V
電流, Icm 脈沖:96A
表面安裝器件:通孔安裝
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上海 0
新加坡96
英國 0 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRGB4062DPBF - 晶體管 IGBT COPAK TO-220 |
晶體管類型:IGBT
集電極直流電流:48A
飽和電壓, Vce sat 最大:1.65V
最大功耗:250W
電壓, Vceo:600V
工作溫度范圍:-55°C to +175°C
封裝類型:TO-220
針腳數(shù):3
上升時間:22ns
功率, Pd:250W
功耗:250W
封裝類型:TO-220
晶體管極性:N Channel
最大連續(xù)電流, Ic:48A
電壓, Vces:600V
電流, Icm 脈沖:96A
表面安裝器件:通孔安裝
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无库存 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRGB4061DPBF - 晶體管 IGBT 600V TO-220 |
晶體管類???:IGBT
飽和電壓, Vce sat 最大:1.65V
最大功耗:206W
電壓, Vceo:600V
封裝類型:TO-220
針腳數(shù):3
上升時間:25ns
功率, Pd:206W
功耗:206W
封裝類型:TO-220
晶體管極性:N
最大連續(xù)電流, Ic:36A
電壓, Vces:600V
電流, Icm 脈沖:72A
表面安裝器件:通孔安裝
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无库存 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRGB4060DPBF - 晶體管 IGBT 600V TO-220 |
晶體管類型:IGBT
集電極直流電流:16A
飽和電壓, Vce sat 最大:1.55V
最大功耗:99W
電壓, Vceo:600V
工作溫度范圍:-55°C to +175°C
封裝類型:TO-220
針腳數(shù):3
上升時間:15ns
功率, Pd:99W
功耗:99W
封裝類型:TO-220
晶體管極性:N Channel
最大連續(xù)電流, Ic:16A
電壓, Vces:600V
電流, Icm 脈沖:32A
表面安裝器件:通孔安裝
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上海 0
新加坡 0
英國4 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRGB4059DPBF - 晶體管 IGBT 600V TO-220 |
晶體管類???:IGBT
飽和電壓, Vce sat 最大:1.75V
最大功耗:56W
電壓, Vceo:600V
封裝類型:TO-220
針腳數(shù):3
上升時間:10ns
功率, Pd:56W
功耗:56W
封裝類型:TO-220
晶體管極性:N
最大連續(xù)電流, Ic:8A
電壓, Vces:600V
電流, Icm 脈沖:16A
表面安裝器件:通孔安裝
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无库存 |
1 |
5 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRGB4056DPBF - 晶體管 IGBT COPAK TO-220 |
晶體管類型:IGBT
集電極直流電流:24A
飽和電壓, Vce sat 最大:1.55V
最大功耗:140W
電壓, Vceo:600V
工作溫度范圍:-55°C to +175°C
封裝類型:TO-220
針腳數(shù):3
上升時間:17ns
功率, Pd:140W
功耗:140W
封裝類型:TO-220
晶體管極性:N Channel
最大連續(xù)電流, Ic:24A
電壓, Vces:600V
電流, Icm 脈沖:48A
表面安裝器件:通孔安裝
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上海 0
新加坡92
英國80 |
1 |
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