| 圖片 |
型號 |
產(chǎn)品描述 |
庫存狀況 |
包裝規(guī)格 |
單位價格
(不含稅) |
數(shù)量 |
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STMICROELECTRONICS - VNB35N07TR-E - 場效應(yīng)管 MOSFET OMNIFET 70V 35A D2PAK |
晶體管極性:N Channel
開態(tài)電阻, Rds(on):0.028ohm
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:D2PAK
封裝類型:D2PAK
晶體管類型:Power MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds 典型值:70V
電流, Id 連續(xù):18A
表面安裝器件:表面安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:3V
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上海 0
新加坡20
英國928 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - VNB28N04-E - 場效應(yīng)管 MOSFET OMNIFET 42V 28A D2PAK |
晶體管極性:N Channel
開態(tài)電阻, Rds(on):0.035ohm
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:D2PAK
封裝類型:D2PAK
晶體管類型:Power MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds 典型值:42V
電流, Id 連續(xù):14A
表面安裝器件:表面安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:3V
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上海 0
新加坡20
英國883 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - STP26NM60N - 場效應(yīng)管 MOSFET N溝道 600V 20A TO220 |
晶體管極性:N Channel
開態(tài)電阻, Rds(on):0.135ohm
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:TO-220
封裝類型:TO-220
晶體管類型:Power MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds 典型值:600V
電流, Id 連續(xù):10A
表面安裝器件:通孔安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:3V
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上海 0
新加坡10
英國 0 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - STF26NM60N - 場效應(yīng)管 MOSFET N溝道 600V 20A TO220FP |
晶體管極性:N Channel
開態(tài)電阻, Rds(on):0.135ohm
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:TO-220FP
封裝類型:TO-220FP
晶體管類型:Power MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds 典型值:600V
電流, Id 連續(xù):10A
表面安裝器件:通孔安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:3V
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上海 0
新加坡 0
英國1 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - STP13NM60N - 場效應(yīng)管 MOSFET N溝道 600V 11A TO220 |
晶體管極性:N Channel
開態(tài)電阻, Rds(on):0.28ohm
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:TO-220
封裝類型:TO-220
晶體管類型:Power MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds 典型值:600V
電流, Id 連續(xù):5.5A
表面安裝器件:通孔安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:3V
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上海 0
新加坡 0
英國50 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - STF13NM60N - 場效應(yīng)管 MOSFET N溝道 600V 11A TO220FP |
晶體管極性:N Channel
開態(tài)電阻, Rds(on):0.28ohm
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:TO-220FP
封裝類型:TO-220FP
晶體管類型:Power MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds 典型值:600V
電流, Id 連續(xù):5.5A
表面安裝器件:通孔安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:3V
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上海 0
新加坡 0
英國50 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - STD13NM60N - 場效應(yīng)管 MOSFET N溝道 600V 11A DPAK |
晶體管極性:N Channel
開態(tài)電阻, Rds(on):0.28ohm
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:DPAK
封裝類型:DPAK
晶體管類型:Power MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds 典型值:600V
電流, Id 連續(xù):5.5A
表面安裝器件:表面安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:3V
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上海 0
新加坡 0
英國2265 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - STK38N3LLH5 - 場效應(yīng)管 MOSFET N溝道 30V 38A POLARPAK |
晶體管極性:N Channel
開態(tài)電阻, Rds(on):1.3mohm
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:PolarPAK
封裝類型:PolarPAK
晶體管類型:Power MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds 典型值:30V
電流, Id 連續(xù):19A
表面安裝器件:表面安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:2.5V
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上海 0
新加坡 0
英國2929 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - STB50N25M5 - 場效應(yīng)管 MOSFET N溝道 250V 28A D2PAK |
晶體管極性:N Channel
開態(tài)電阻, Rds(on):0.055ohm
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:D2PAK
封裝類型:D2PAK
晶體管類型:Power MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds 典型值:250V
電流, Id 連續(xù):14A
表面安裝器件:表面安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:4V
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上海 0
新加坡 0
英國982 |
1 |
1 |
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VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - V10P10-M3/86A - 肖特基整流二極管 |
二極管類型:Schottky
電壓, Vrrm:100V
電流, If 平均:10A
正向電壓 Vf 最大:620mV
電流, Ifs 最大:180A
工作溫度范圍:-40°C to +150°C
封裝形式:TO-277A
針腳數(shù):3
封裝類型:TO-277A
電流, Ifsm:180A
結(jié)溫, Tj 最高:150°C
表面安裝器件:表面安裝
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上海 0
新加坡 0
英國1447 |
1 |
1 |
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VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - SMCJ30A-E3/57T - 二極管 TVS 1.5KW 30V 單向 SMC |
封裝形式:SMC
針腳數(shù):2
二極管類型:TVS, Unidirectional
封裝類型:SMC
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
截止電壓:30V
電壓 Vbr:33.3V
脈沖峰值功率:1.5kW
表面安裝器件:表面安裝
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上海5
新加坡75
英國 0 |
1 |
1 |
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SANYO - VEC2305-TL-E - 場效應(yīng)管 雙MOSFET PP溝道 18V 2.5A VEC8 |
晶體管極性:Dual P Channel
???極電流, Id 最大值:2.5A
電壓, Vds 最大:12V
開態(tài)電阻, Rds(on):115mohm
電壓 @ Rds測量:4.5V
閾值電壓, Vgs th 典型值:1V
功耗:1W
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:VEC8
針腳數(shù):8
封裝類型:VEC8
晶體管類型:Switching
表面安裝器件:表面安裝
電壓 Vgs @ Rds on 測量:4.5V
電壓, Vds 典型值:18V
電壓, Vgs 最高:8V
電流, Id 連續(xù):1.5A
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上海 0
新加坡 0
英國100 |
1 |
1 |
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SANYO - VEC2303-TL-E - 場效應(yīng)管 雙MOSFET PP溝道 12V 4A VEC8 |
晶體管極性:Dual P Channel
漏極電流, Id 最大值:4A
電壓, Vds 最大:12V
開態(tài)電阻, Rds(on):49mohm
電壓 @ Rds測量:4.5V
閾值電壓, Vgs th 典型值:1V
功耗:1W
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:VEC8
針腳數(shù):8
封裝類型:VEC8
晶體管類型:Switching
表面安裝器件:表面安裝
電壓 Vgs @ Rds on 測量:4.5V
電壓, Vds 典型值:12V
電壓, Vgs 最高:8V
電流, Id 連續(xù):2A
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上海 0
新加坡 0
英國97 |
1 |
1 |
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SANYO - VEC2301-TL-E - 場效應(yīng)管 雙MOSFET PP溝道 20V 3A VEC8 |
晶體管極性:Dual P Channel
漏極電流, Id 最大值:3A
電壓, Vds 最大:20V
開態(tài)電阻, Rds(on):81mohm
電壓 @ Rds測量:4.5V
閾值電壓, Vgs th 典型值:1.3V
功耗:1W
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:VEC8
針腳數(shù):8
封裝類型:VEC8
晶體管類型:Switching
表面安裝器件:表面安裝
電壓 Vgs @ Rds on 測量:4.5V
電壓, Vds 典型值:20V
電壓, Vgs 最高:10V
電流, Id 連續(xù):2A
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上海 0
新加坡 0
英國100 |
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1 |
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SANYO - SCH2315-TL-E - 場效應(yīng)管 雙MOSFET PP溝道 12V 0.9A SCH6 |
晶體管極性:Dual P Channel
漏極電流, Id 最大值:0.9A
電壓, Vds 最大:12V
開態(tài)電阻, Rds(on):615mohm
電壓 @ Rds測量:4.5V
閾值電壓, Vgs th 典型值:1V
功耗:650mW
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:SCH6
針腳數(shù):6
封裝類型:SCH6
晶體管類型:Switching
表面安裝器件:表面安裝
電壓 Vgs @ Rds on 測量:4.5V
電壓, Vds 典型值:12V
電壓, Vgs 最高:8V
電流, Id 連續(xù):0.5A
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上海 0
新加坡 0
英國100 |
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