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晶體管 IGBT模塊 Vceo

  • 1700V Case 2
  • 1200V SEMITRANS 4
  • 1200V D56 150A
  • 600V 75A
  • 1200V D67 22A
  • 1200V Case 2
  • 1700V Case 3
  • 1200V Case 3

最大功耗

  • 658W
  • 92W
  • 1.25kW
  • 431W
  • 1.5kW
  • 400W
  • 310W
  • 700W
  • 50W
  • 625W
  • 1.385kW
  • 1.4kW
  • 35W
  • 139W
  • 1.45kW
  • 2.08kW
  • 600W
  • 75W
  • 40W
  • 200W
  • 255W
  • 460W
  • 680W
  • 63W
  • 350W
  • 1.04kW
  • 43W
  • 780W
  • 2.045kW
  • 1.47kW
  • 250W
  • 80W
  • 240W
  • 690W

最大連續(xù)電流, Ic

  • 220A
  • 70A
  • 58A
  • 530A
  • 470A
  • 430A
  • 30A
  • 370A
  • 240A
  • 22A
  • 100A
  • 650A
  • 60A
  • 106A
  • 450A
  • 360A
  • 400A
  • 23A
  • 790A
  • 270A
  • 260A
  • 120A
  • 55A
  • 17A
  • 700A
  • 490A
  • 375A
  • 125A
  • 40A
  • 130A
  • 275A
  • 81A
  • 8A
  • 68A
  • 12A
  • 150A
  • 10A
  • 16A
  • 380A
  • 730A
  • 25A
  • 24A
  • 690A
  • 11A
  • 310A
  • 45A
  • 105A
  • 340A
  • 20A
  • 54A
  • 174A
  • 15A
  • 200A
  • 96A
  • 145A
  • 480A
  • 114A
  • 75A
  • 300A
  • 50A
  • 250A
  • 660A

總功率, Ptot

  • 200W
  • 350W
  • 270W
  • 100W

重量

  • 0.4kg
  • 0.18kg

針腳數(shù)

  • 5
  • 27
  • 7
  • 11
  • 29
  • 17
  • 25
  • 17
  • 11
  • 22
  • 13
  • 28
  • 8
  • 7

下降時(shí)間

  • 350ns
  • 90ns
  • 0.03μs
  • 450ns
  • 3500ns
  • 88ns
  • 91ns
  • 480ns
  • 5.6ns
  • 50ns
  • 120ns
  • 0.04μs
  • 250ns
  • 100ns
  • 40ns
  • 0.13μs
  • 48ns
  • 65ns
  • 410ns
  • 300ns
  • 3600ns

溫度 @ 電流測(cè)量

  • 80°C
  • 65°C
  • 25°C

外寬

  • 137.8mm
  • 108mm
  • 149.5mm
  • 116.5mm
  • 105mm
  • 92mm
  • 106.4mm
  • 55mm
  • 90mm
  • 64mm
  • 107mm
  • 94mm
  • 162mm
  • 40.5mm
  • 31mm
  • 70mm

外部深度

  • 46mm
  • 62mm
  • 34mm
  • 93mm

外部深度

  • 24mm
  • 28mm
  • 61.4mm
  • 30.5mm
  • 35mm
  • 45mm
  • 61.7mm
  • 61.6mm
  • 150mm
  • 31mm

外部長(zhǎng)度/高度

  • 30.5mm
  • 26mm
  • 18mm
  • 20mm
  • 16mm

上升時(shí)間

  • 128ns
  • 1200ns
  • 40ns
  • 55ns
  • 340ns
  • 60ns
  • 49ns
  • 33ns
  • 105ns
  • 270ns
  • 75ns
  • 600ns
  • 90ns
  • 30ns
  • 150ns
  • 26ns
  • 12ns
  • 48ns
  • 35ns
  • 80ns
  • 36ns
  • 65ns
  • 140ns
  • 78ns
  • 160ns
  • 125ns
  • 25ns
  • 500ns
  • 390ns
  • 95ns
  • 130ns
  • 350ns
  • 0.05μs
  • 28ns
  • 13ns
  • 38ns
  • 110ns
  • 400ns
  • 20ns
  • 100ns
  • 145ns
  • 0.09μs
  • 77ns
  • 5.6ns
  • 50ns
  • 320ns
  • 568ns
  • 45ns
  • 39ns

模塊配置

  • Three Phase Inverter
  • Single with Diode
  • 串聯(lián) 晶閘管 + 二極管
  • 1 Pair Series Connection

結(jié)溫, Tj 最高

  • 150°C
  • 175°C

晶體管極性

  • N Channel
  • PT
  • N
  • Trench
  • NPT
  • NPN
  • N溝道
  • N 通道

晶體管類型

  • IGBT Module
  • 3-Phase Bridge + NTC Thermistor
  • 1 Phase Bridge Rectifier + 3 Phase Bridge Invertor
  • IGBT Dual SPT
  • IGBT + freewheel diode
  • 3-Ph Rectifier + Brake Chopper + Invertor
  • Dual Trench IGBT
  • 3 Phase Controlled Bridge (IGBT) - NPT
  • IGBT模塊
  • IGBT - Soft Punch Through
  • PowerMESH
  • IGBT
  • Smart Power Module
  • IGBT Module (3 Phase Bridge + Brake Chopper + 3 Phase Invertor)
  • 3-Phase Bridge Rectifier + Brake Chopper + 3 Phase Bridge Inverter

晶體管數(shù)

  • 4
  • 1
  • 2
  • 6

集電極電流, Ic 平均值

  • 120A
  • 24A
  • 20A
  • 650A
  • 470A
  • 490A
  • 58A
  • 340A
  • 240A
  • 430A
  • 480A
  • 690A
  • 700A
  • 100A
  • 790A
  • 660A
  • 380A
  • 11A
  • 45A
  • 530A
  • 130A
  • 275A
  • 60A
  • 260A
  • 220A
  • 16A
  • 430A
  • 70A
  • 81A
  • 40A
  • 145A
  • 650A
  • 200A
  • 30A
  • 450A
  • 270A
  • 730A
  • 300A
  • 480A
  • 23A
  • 370A
  • 15A
  • 700A
  • 125A
  • 35A
  • 22A
  • 370A
  • 54A
  • 360A
  • 470A
  • 310A
  • 300A

集電極連續(xù)電流, Ic 最大值

  • 11A
  • 33A
  • 50A
  • 140A
  • 480A
  • 290A
  • 340A
  • 100A
  • 190A
  • 490A
  • 85A
  • 270A
  • 57A
  • 14A
  • 32A
  • 27A
  • 330A
  • 17A
  • 170A
  • 25A
  • 220A
  • 105A
  • 180A
  • 15A
  • 520A
  • 240A
  • 11A
  • 40A
  • 160A
  • 460A
  • 265A
  • 210A
  • 21A
  • 90A
  • 260A
  • 70A
  • 310A
  • 8A
圖片 型號(hào) 產(chǎn)品描述 庫(kù)存狀況 包裝規(guī)格 單位價(jià)格
(不含稅)		 數(shù)量
SEMIKRON - SKM600GB126D - 晶體管 IGBT模塊 雙晶體管 1200V SEMIKRON - SKM600GB126D - 晶體管 IGBT模塊 雙晶體管 1200V
  • 晶體管極性:N
  • 集電極直流電??:660A
  • 飽和電壓, Vce sat 最大:2.15V
  • 電壓, Vceo:1200V
  • 封裝類型:SEMITRANS 3
  • 外寬:105mm
  • 外部深度:61.4mm
  • 封裝類型:SEMITRANS 3
  • 晶體管數(shù):2
  • 晶體管類型:IGBT
  • SMD標(biāo)號(hào):SEMITRANS 3
  • 上升時(shí)間:60ns
  • 安裝孔中心距:93mm
  • 安裝孔直徑:5.4mm
  • 最大連續(xù)電流, Ic:660A
  • 溫度 @ 電流測(cè)量:25°C
  • 電壓:1200V
  • 電壓, Vces:1200V
  • 電流, Icm 脈沖:490A
  • 集電極電流, Ic 平均值:660A
  • 集電極連續(xù)電流, Ic 最大值:460A
    		• 无库存 1 1 詢價(jià),無(wú)需注冊(cè) 訂購(gòu)
    SEMIKRON - SKM400GB126D - 晶體管 IGBT模塊 雙晶體管 1200V SEMIKRON - SKM400GB126D - 晶體管 IGBT模塊 雙晶體管 1200V
  • 晶體管極性:N Channel
  • 集電極直流電流:470A
  • 飽和電壓, Vce sat 最大:1.2V
  • 電壓, Vceo:1200V
  • 封裝類型:SEMITRANS 3
  • 針腳數(shù):7
  • 外寬:105mm
  • 外部深度:61.4mm
  • 封裝類型:SEMITRANS 3
  • 晶體管數(shù):2
  • 晶體管類型:IGBT Module
  • 表面安裝器件:螺絲安裝
  • SMD標(biāo)號(hào):SEMITRANS 3
  • 上升時(shí)間:40ns
  • 安裝孔中心距:93mm
  • 安裝孔直徑:5.4mm
  • 最大連續(xù)電流, Ic:260A
  • 溫度 @ 電流測(cè)量:25°C
  • 電壓:1200V
  • 電壓, Vces:1200V
  • 電流, Icm 脈沖:200A
  • 集電極電流, Ic 平均值:260A
  • 集電極連續(xù)電流, Ic 最大值:190A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國(guó)1    		 1 1 詢價(jià),無(wú)需注冊(cè) 訂購(gòu)
    SEMIKRON - SKM300GB126D - 晶體管 IGBT模塊 雙晶體管 1200V SEMIKRON - SKM300GB126D - 晶體管 IGBT模塊 雙晶體管 1200V
  • 晶體管極性:N Channel
  • 集電極直流電流:310A
  • 飽和電壓, Vce sat 最大:2.15V
  • 電壓, Vceo:1200V
  • 封裝類型:SEMITRANS 3
  • 針腳數(shù):7
  • 外寬:105mm
  • 外部深度:61.4mm
  • 封裝類型:SEMITRANS 3
  • 晶體管數(shù):2
  • 晶體管類型:IGBT Module
  • 表面安裝器件:螺絲安裝
  • SMD標(biāo)號(hào):SEMITRANS 3
  • 上升時(shí)間:110ns
  • 安裝孔中心距:93mm
  • 安裝孔直徑:5.4mm
  • 最大連續(xù)電流, Ic:310A
  • 溫度 @ 電流測(cè)量:25°C
  • 電壓:1200V
  • 電壓, Vces:1200V
  • 電流, Icm 脈沖:400A
  • 集電極電流, Ic 平均值:310A
  • 集??極連續(xù)電流, Ic 最大值:200A
    		• 停产 1 1 詢價(jià),無(wú)需注冊(cè) 訂購(gòu)
    SEMIKRON - SKM200GB126D - 晶體管 IGBT模塊 雙晶體管 1200V SEMIKRON - SKM200GB126D - 晶體管 IGBT模塊 雙晶體管 1200V
  • 晶體管極性:N Channel
  • 集電極直流電流:260A
  • 飽和電壓, Vce sat 最大:2.15V
  • 電壓, Vceo:1200V
  • 工作溫度范圍:-40°C to +150°C
  • 封裝類型:SEMITRANS 3
  • 外寬:105mm
  • 外部深度:61.4mm
  • 封裝類型:SEMITRANS 3
  • 晶體管數(shù):2
  • 晶體管類型:IGBT Module
  • 表面安裝器件:螺絲安裝
  • SMD標(biāo)號(hào):SEMITRANS 3
  • 上升時(shí)間:40ns
  • 功率, Pd:220W
  • 安裝孔中心距:93mm
  • 安裝孔直徑:5.4mm
  • 最大連續(xù)電流, Ic:260A
  • 溫度 @ 電流測(cè)量:25°C
  • 電壓:1200V
  • 電壓, Vces:1200V
  • 電流, Icm 脈沖:200A
  • 集電極電流, Ic 平均值:260A
  • 集電極連續(xù)電流, Ic 最大值:190A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國(guó)1    		 1 1 詢價(jià),無(wú)需注冊(cè) 訂購(gòu)
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FSAM30SH60A - 智能功率模塊 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FSAM30SH60A - 智能功率模塊
  • 晶體管極性:NPN
  • 飽和電壓, Vce sat 最大:2.5V
  • 電壓, Vceo:600V
  • 封裝類型:SPM32-AA
  • 封裝類型:SPM32-AA
  • 晶體管類型:IGBT Module
  • 表面安裝器件:通孔安裝
  • 上升時(shí)間:390ns
  • 功率, Pd:62W
  • 功耗:62W
  • 最大連續(xù)電流, Ic:30A
  • 電壓, Vces:600V
  • 電流, Icm 脈沖:60A
    		• 无库存 1 1 詢價(jià),無(wú)需注冊(cè) 訂購(gòu)
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FSAM20SH60A - 智能功率模塊 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FSAM20SH60A - 智能功率模塊
  • 晶體管極性:NPN
  • 飽和電壓, Vce sat 最大:2.5V
  • 電壓, Vceo:600V
  • 封裝類型:SPM32-AA
  • 封裝類型:SPM32-AA
  • 晶體管類型:IGBT Module
  • 表面安裝器件:通孔安裝
  • 上升時(shí)間:350ns
  • 功率, Pd:59W
  • 功耗:59W
  • 最大連續(xù)電流, Ic:20A
  • 電壓, Vces:600V
  • 電流, Icm 脈沖:40A
    		• 美國(guó) 0
    上海 0
    美國(guó)9
    新加坡 0
    英國(guó) 0    		 1 1 詢價(jià),無(wú)需注冊(cè) 訂購(gòu)
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FSAM15SH60A - 智能功率模塊 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FSAM15SH60A - 智能功率模塊
  • 晶體管極性:NPN
  • 集電極直流電流:15A
  • 飽和電壓, Vce sat 最大:2.5V
  • 最大功耗:50W
  • 電壓, Vceo:600V
  • 工作溫度范圍:-20°C to +125°C
  • 封裝類型:SPM32-AA
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封裝類型:SPM32-AA
  • 晶體管類型:IGBT Module
  • 表面安裝器件:通孔安裝
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • 上升時(shí)間:340ns
  • 功率, Pd:50W
  • 功耗:50W
  • 最大連續(xù)電流, Ic:15A
  • 電壓, Vces:600V
  • 電流, Icm 脈沖:30A
    		• 上海 0
    新加坡3
    英國(guó) 0    		 1 1 詢價(jià),無(wú)需注冊(cè) 訂購(gòu)
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FSAM10SH60A - 智能功率模塊 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FSAM10SH60A - 智能功率模塊
  • 晶體管極性:NPN
  • 集電極直流電流:10A
  • 飽和電壓, Vce sat 最大:2.5V
  • 最大功耗:43W
  • 電壓, Vceo:600V
  • 工作溫度范圍:-20°C to +125°C
  • 封裝類型:SPM32-AA
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封裝類型:SPM32-AA
  • 晶體管類型:IGBT Module
  • 表面安裝器件:通孔安裝
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • 上升時(shí)間:270ns
  • 功率, Pd:43W
  • 功耗:43W
  • 最大連續(xù)電流, Ic:10A
  • 電壓, Vces:600V
  • 電流, Icm 脈沖:20A
    		• 上海 0
    新加坡2
    英國(guó)99    		 1 1 詢價(jià),無(wú)需注冊(cè) 訂購(gòu)
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FMG2G75US60 - 晶體管 IGBT模塊 75A 600V FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FMG2G75US60 - 晶體管 IGBT模塊 75A 600V
  • 模塊配置:1 Pair Series Connection
  • 晶體管極性:NPN
  • 集電極直流電流:75A
  • 飽和電壓, Vce sat 最大:2.8V
  • 最大功耗:310W
  • 電壓, Vceo:600V
  • 工作溫度范圍:-40°C to +150°C
  • 封裝類型:7PM-GA
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
  • 外部深度:93mm
  • 封裝類型:7PM-GA
  • 晶體管數(shù):2
  • 晶體管類型:IGBT Module
  • 表面安裝器件:螺絲安裝
  • 針腳配置:C2E1, E2, C1, G2, E2, E1, G1
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • 上升時(shí)間:40ns
  • 功率, Pd:310W
  • 功???:310W
  • 安裝孔中心距:80mm
  • 安裝孔直徑:5.4mm
  • 最大連續(xù)電流, Ic:75A
  • 電壓, Vces:600V
  • 電流, Icm 脈沖:150A
    		• 停产 1 1 詢價(jià),無(wú)需注冊(cè) 訂購(gòu)
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FMG2G75US120 - 晶體管 IGBT模塊 75A 1200V FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FMG2G75US120 - 晶體管 IGBT模塊 75A 1200V
  • 晶體管極性:NPN
  • 飽和電壓, Vce sat 最大:3V
  • 電壓, Vceo:1200V
  • 封裝類型:7PM-GA
  • 外部深度:93mm
  • 封裝類型:7PM-GA
  • 晶體管數(shù):2
  • 晶體管類型:IGBT
  • 針腳配置:C2E1, E2, C1, G2, E2, E1, G1
  • 上升時(shí)間:80ns
  • 功率, Pd:445W
  • 安裝孔中心距:80mm
  • 安裝孔直徑:5.4mm
  • 最大連續(xù)電流, Ic:75A
  • 電壓, Vces:1200V
  • 電流, Icm 脈沖:150A
    		• 停产 1 1 詢價(jià),無(wú)需注冊(cè) 訂購(gòu)
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FMG2G50US60 - 晶體管 IGBT模塊 50A 600V FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FMG2G50US60 - 晶體管 IGBT模塊 50A 600V
  • 晶體管極性:NPN
  • 飽和電壓, Vce sat 最大:2.8V
  • 電壓, Vceo:600V
  • 封裝類型:7PM-GA
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
  • 外部深度:93mm
  • 封裝類型:7PM-GA
  • 晶體管數(shù):2
  • 晶體管類型:IGBT
  • 表面安裝器件:螺絲安裝
  • 針腳配置:C2E1, E2, C1, G2, E2, E1, G1
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • 上升時(shí)間:30ns
  • 功率, Pd:250W
  • 功耗:250W
  • 安裝孔中心距:80mm
  • 安裝孔直徑:5.4mm
  • 最大連續(xù)電流, Ic:50A
  • 電壓, Vces:600V
  • 電流, Icm 脈沖:100A
    		• 无库存 1 1 詢價(jià),無(wú)需注冊(cè) 訂購(gòu)
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FMG2G50US120 - 晶體管 IGBT模塊 50A 1200V FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FMG2G50US120 - 晶體管 IGBT模塊 50A 1200V
  • 晶體管極性:NPN
  • 飽和電壓, Vce sat 最大:3V
  • 電壓, Vceo:1200V
  • 封裝類型:7PM-GA
  • 外部深度:93mm
  • 封裝類型:7PM-GA
  • 晶體管數(shù):2
  • 晶體管類型:IGBT
  • 針腳配置:C2E1, E2, C1, G2, E2, E1, G1
  • 上升時(shí)間:80ns
  • 功率, Pd:320W
  • 安裝孔中心距:80mm
  • 安裝孔直徑:5.4mm
  • 最大連續(xù)電流, Ic:50A
  • 電壓, Vces:1200V
  • 電流, Icm 脈沖:100A
    		• 停产 1 1 詢價(jià),無(wú)需注冊(cè) 訂購(gòu)
    POWEREX - PS21353-GP - 晶體管 IGBT模塊 20W Vceo:600V POWEREX - PS21353-GP - 晶體管 IGBT模塊 20W Vceo:600V
  • 晶體管 IGBT模塊 20W Vceo:600V
    		•  无库存 1 1 詢價(jià),無(wú)需注冊(cè) 訂購(gòu)
    POWEREX - CM1000DU-34NF - 晶體管 IGBT模塊 1000A 1700V POWEREX - CM1000DU-34NF - 晶體管 IGBT模塊 1000A 1700V
  • 晶體管 IGBT模塊 1000A 1700V
    		•  无库存 1 1 詢價(jià),無(wú)需注冊(cè) 訂購(gòu)
    POWEREX - CM400DU-5F - 晶體管 IGBT模塊 1600W 400A 250V POWEREX - CM400DU-5F - 晶體管 IGBT模塊 1600W 400A 250V
  • 晶體管 IGBT模塊 1600W 400A 250V
    		•  无库存 1 1 詢價(jià),無(wú)需注冊(cè) 訂購(gòu)
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