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型號 |
產(chǎn)品描述 |
庫存狀況 |
包裝規(guī)格 |
單位價格 (不含稅) |
數(shù)量 |
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VISHAY SILICONIX - SST110-E3. - 場效應管 JFET NPN 0.350W TO-236 (SOT-23) 50mA |
場效應管 JFET NPN 0.350W TO-236 (SOT-23) 50mA
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无库存 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - MMBF5457LT1G. - 場效應管 JFET SOT-23 SMD |
場效應管 JFET SOT-23 SMD
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无库存 |
1 |
25 |
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ON SEMICONDUCTOR - MMBF4393LT1G. - 場效應管 JFET SOT-23 SMD |
場效應管 JFET SOT-23 SMD
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美國 0 上海500 美國3172 新加坡 0 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - MMBFJ177LT1G. - 場效應管 JFET SOT-23 SMD |
場效應管 JFET SOT-23 SMD
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美國 0 上海 0 美國2471 新加坡 0 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 2N5953 - 場效應管 JFET TO-92 5mA 3V |
場效應管 JFET TO-92 5mA 3V
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 2N5950 - 場效應管 JFET TO-92 15mA 6V |
場效應管 JFET TO-92 15mA 6V
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - J270 - 雙極晶體管 |
雙極晶體管
TO-92
-15A
30V
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美國 0 上海 0 美國1694 新加坡 0 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - J110.. - 場效應管 JFET N溝道 25V 10mA TO-92 |
場效應管 JFET N溝道 25V 10mA TO-92
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美國 0 上海 0 美國1606 新加坡300 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - U1898.. - 場效應管 JFET N溝道 TO-92 |
場效應管 JFET N溝道 TO-92
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美國 0 上海 0 美國1770 新加坡 0 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - J202 - 雙極晶體管 |
雙極晶體管
0.350W
TO-92
4.5A
40V
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美國 0 上海 0 美國1964 新加坡187 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - MMBFJ310 - 晶體管 JFET N溝道 SOT-23 |
晶體管類型:JFET
電壓, V(br)gss:-25V
零柵極電壓漏極電流范圍 Idss:24mA to 60mA
電壓, Vgs off 最大:-6.5V
功耗:350mW
封裝類型:SOT-23
針腳數(shù):3
SVHC(高度關注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
封裝類型:SOT-23
應用代碼:HFA
總功率, Ptot:625W
晶體管數(shù):1
晶體管極性:N溝道
滿功率溫度:25°C
電壓, Vds 最大:25V
電流, Idss 最大:60mA
電流, Idss 最小:24mA
表面安裝器件:表面安裝
SVHC(高度關注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海140 新加坡88 英國1828 |
1 |
1 |
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NXP - PMBFJ310 - 晶體管 JFET N溝道 SOT-23 |
晶體管類型:JFET
電壓, V(br)gss:-25V
零柵極電壓漏極電流范圍 Idss:24mA to 60mA
電壓, Vgs off 最大:-6.5V
功耗:250mW
封裝類型:SOT-23
針腳數(shù):3
封裝類型:SOT-23
總功率, Ptot:250mW
晶體管數(shù):1
晶體管極性:N溝道
柵極電流, Ig:50mA
電壓, Vds 最大:25V
電流, Idss 最大:60mA
電流, Idss 最小:12mA
表面安裝器件:表面安裝
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上海 0 新加坡50 英國3805 |
1 |
5 |
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NXP - BFT46 - 晶體管 JFET N溝道 SOT-23 |
晶體管類型:JFET
零柵極電壓漏極電流范圍 Idss:0.2mA to 1.5mA
電壓, Vgs off 最大:2V
功耗:250mW
封裝類型:SOT-23
針腳數(shù):3
SMD標???:M3p
封裝類型:SOT-23
應用代碼:GPA
總功率, Ptot:250W
晶體管數(shù):1
晶體管極性:N溝道
柵極電流, Ig:5mA
滿功率溫度:40°C
電壓, Vds 最大:25V
電流, Idss 最大:60mA
電流, Idss 最小:1mA
表面安裝器件:表面安裝
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上海 0 新加坡10 英國1205 |
1 |
10 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - J177 - 射頻 JFET |
射頻 JFET
NPN
0.350W
TO-92
20mA
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美國 0 上海49 美國 0 新加坡 0 |
1 |
1 |
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VISHAY SILICONIX - VCR4N - 晶體管JFET N TO-18 |
晶體管類型:JFET
電壓, V(br)gss:-25V
電壓, Vgs off 最大:-7V
封裝類型:TO-18
針腳數(shù):3
封裝類型:TO-18
應用代碼:V
總功率, Ptot:300mW
晶體管數(shù):1
晶體管極性:N溝道
柵極電流, Ig:10mA
溫度 @ 電流測量:25°C
滿功率溫度:25°C
電壓, Vds 最大:-25V
電流, Igr:-0.2nA
結(jié)溫, Tj 最低:-55°C
結(jié)溫, Tj 最高:175°C
表面安裝器件:通孔安裝
通態(tài)電阻, Rds on 最大:600ohm
針腳格式:b
針腳配置:b
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上海46 新加坡 0 英國 0 |
1 |
1 |
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