| 圖片 |
型號 |
產(chǎn)品描述 |
庫存狀況 |
包裝規(guī)格 |
單位價格 (不含稅) |
數(shù)量 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF7425PBF - 場效應(yīng)管 MOSFET N 20V SO-8 |
晶體管極性:P
漏極電流, Id 最大值:-15A
電壓, Vds 最大:20V
開態(tài)電阻, Rds(on):0.0082ohm
電壓 @ Rds測量:4.5V
電壓, Vgs 最高:-1.2V
功耗:2.5W
封裝類型:SOIC
針腳數(shù):8
功率, Pd:2.5W
封裝類型:SOIC
晶體管類型:MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測量:4.5V
電壓, Vds:20V
電壓, Vds 典型值:20V
電流, Id 連續(xù):15A
電流, Idm 脈沖:60A
表面安裝器件:表面安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:1.2V
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上海40 美國 0 新加坡762 英國4901 |
1 |
5 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF8010LPBF - 場效應(yīng)管 MOSFET N 100V D2-PAK |
晶體管極性:N
漏極電流, Id 最大值:80A
電壓, Vds 最大:100V
開態(tài)電阻, Rds(on):15ohm
電壓 @ Rds測量:10V
電壓, Vgs 最高:4V
功耗:260W
封裝類型:TO-262
針腳數(shù):3
功率, Pd:260W
封裝類型:TO-262
總功率, Ptot:260W
晶體管類型:MOSFET
漏極連續(xù)電流, Id @ 100攝氏度:57A
漏極連續(xù)電流, Id @ 25攝氏度:80A
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds:100V
電壓, Vds 典型值:100V
電流, Id 連續(xù):80A
電流, Idm 脈沖:320A
表面安裝器件:通孔安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:4V
閾值電壓, Vgs th 最低:2V
閾值電壓, Vgs th 最高:4V
熱阻 Rth:0.57
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上海 0 新加坡 0 英國798 |
1 |
5 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF7494PBF - 場效應(yīng)管 MOSFET N 150V SO-8 |
晶體管極性:N
漏極電流, Id 最大值:5.2A
電壓, Vds 最大:150V
開態(tài)電阻, Rds(on):44ohm
電壓 @ Rds測量:10V
電壓, Vgs 最高:4V
功耗:3W
封裝類型:SOIC
針腳數(shù):8
功率, Pd:3W
封裝類型:SOIC
晶體管類型:MOSFET
漏極連續(xù)電流, Id @ 25攝氏度:5.2A
漏極連續(xù)電流, Id @ 70攝氏度:3.7
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds 典型值:150V
電流, Id 連續(xù):5.2A
電流, Idm 脈沖:42A
表面安裝器件:表面安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:4V
熱阻 Rth:50
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上海30 新加坡100 英國 0 |
1 |
5 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF8010STRLPBF - 場效應(yīng)管 MOSFET N 100V D2-PAK |
晶體管極性:N
漏極電流, Id 最大值:80A
???壓, Vds 最大:100V
開態(tài)電阻, Rds(on):15ohm
電壓 @ Rds測量:10V
電壓, Vgs 最高:20V
功耗:260W
工作溫度范圍:-55°C to +175°C
封裝類型:D2-PAK
功率, Pd:260W
封裝類型:D2-PAK
晶體管類型:MOSFET
漏極連續(xù)電流, Id @ 100攝氏度:57A
漏極連續(xù)電流, Id @ 25攝氏度:80A
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds:100V
電壓, Vds 典型值:100V
電流, Id 連續(xù):80A
電流, Idm 脈沖:320A
表面安裝器件:表面安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:4V
閾值電壓, Vgs th 最低:2V
閾值電壓, Vgs th 最高:4V
熱阻 Rth:0.57
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无库存 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF7832ZPBF - 場效應(yīng)管 MOSFET N 30V SO-8 |
晶體管極性:N
漏極電流, Id 最大值:21A
電壓, Vds 最大:30V
開態(tài)電阻, Rds(on):3.8ohm
電壓 @ Rds測量:10V
電壓, Vgs 最高:2.35V
功耗:2.5W
封裝類型:SOIC
針腳數(shù):8
功率, Pd:2.5W
封裝類型:SOIC
晶體管類型:MOSFET
漏極連續(xù)電流, Id @ 25攝氏度:21A
漏極連續(xù)電流, Id @ 70攝氏度:17
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds:30V
電壓, Vds 典型值:30V
電流, Id 連續(xù):21A
電流, Idm 脈沖:160A
表面安裝器件:表面安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:2.35V
熱阻 Rth:50
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上海 0 美國 0 新加坡10 英國108 |
1 |
5 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF5803D2TRPBF - 場效應(yīng)管 MOSFET N 40V SO-8 |
晶體管極性:P
漏極電流, Id 最大值:-3.4A
電壓, Vds 最大:40V
開態(tài)電阻, Rds(on):0.112ohm
電壓 @ Rds測量:10V
電壓, Vgs 最高:-20V
功耗:2W
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:SOIC
針腳數(shù):8
功率, Pd:2W
封裝類型:SOIC
晶體管類型:MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds:40V
電壓, Vds 典型值:40V
電流, Id 連續(xù):3.4A
電流, Idm 脈沖:27A
表面安裝器件:表面安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:3V
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上海 0 新加坡25 英國 0 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF7705TRPBF - 場效應(yīng)管 MOSFET P 30V TSSOP-8 |
晶體管極性:P
漏極電流, Id 最大值:-8A
電壓, Vds 最大:30V
開態(tài)電阻, Rds(on):0.018ohm
電壓 @ Rds測量:-10V
電壓, Vgs 最高:20V
功耗:1.5W
封裝類型:TSSOP
針腳數(shù):8
功率, Pd:1.5W
封裝類型:TSSOP
晶體管類型:MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測量:-10V
電壓, Vds:30V
電壓, Vds 典型值:-30V
電流, Id 連續(xù):8A
電流, Idm 脈沖:30A
表面安裝器件:表面安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:-2.5V
閾值電壓, Vgs th 最低:-2.5V
閾值電壓, Vgs th 最高:-1V
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上海 0 新加坡4720 英國3122 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF7704TRPBF - 場效應(yīng)管 MOSFET P 40V TSSOP-8 |
晶體管極性:P
漏極電流, Id 最大值:-4.6A
電壓, Vds 最大:40V
開態(tài)電阻, Rds(on):0.046ohm
電壓 @ Rds測量:-10V
電壓, Vgs 最高:20V
功耗:1.5W
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:TSSOP
針腳數(shù):8
功率, Pd:1.5W
封裝類型:TSSOP
晶體管類型:MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測量:-10V
電壓, Vds:40V
電壓, Vds 典型值:-40V
電流, Id 連續(xù):4.6A
電流, Idm 脈沖:19A
表面安裝器件:表面安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:-3V
閾值電壓, Vgs th 最低:-3V
閾值電壓, Vgs th 最高:-1V
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上海 0 新加坡6 英國312 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF7703TRPBF - 場效應(yīng)管 MOSFET P 40V TSSOP-8 |
晶體管極性:P
漏極電流, Id 最大值:-6A
電壓, Vds 最大:40V
開態(tài)電阻, Rds(on):0.028ohm
電壓 @ Rds測量:-10V
電壓, Vgs 最高:20V
功耗:1.5W
封裝類型:TSSOP
針腳數(shù):8
功率, Pd:1.5W
封裝類型:TSSOP
晶體管類型:MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測量:-10V
電壓, Vds:40V
電壓, Vds 典型值:-40V
電流, Id 連續(xù):6A
電流, Idm 脈沖:24A
表面安裝器件:表面安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:-3V
閾值電壓, Vgs th 最低:-3V
閾值電壓, Vgs th 最高:-1V
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上海 0 新加坡 0 英國2741 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF7702TRPBF - 場效應(yīng)管 MOSFET P 12V TSSOP-8 |
晶體管極性:P
漏極電流, Id 最大值:8A
電壓, Vds 最大:12V
開態(tài)電阻, Rds(on):0.014ohm
電壓 @ Rds測量:-4.5V
電壓, Vgs 最高:8V
功耗:1.5W
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:TSSOP
針腳數(shù):8
功率, Pd:1.5W
封裝類型:TSSOP
晶體管類型:MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測量:-4.5V
電壓, Vds:12V
電壓, Vds 典型值:-12V
電流, Id 連續(xù):8A
電流, Idm 脈沖:70A
表面安裝器件:表面安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:-1.2V
閾值電壓, Vgs th 最低:-1.2V
閾值電壓, Vgs th 最高:-0.45V
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无库存 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF5210STRLPBF - 場效應(yīng)管 MOSFET N 100V D2-PAK |
晶體管極性:P
漏極電流, Id 最大值:-40A
電壓, Vds 最大:100V
開態(tài)電阻, Rds(on):0.06ohm
電壓 @ Rds測量:-10V
電壓, Vgs 最高:-4V
功耗:3.8W
封裝類型:D2-PAK
針腳數(shù):3
功率, Pd:200W
封裝類型:D2-PAK
封裝類型, 替代:TO-262AB
晶體管類型:MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds:100V
電壓, Vds 典型值:100V
電流, Id 連續(xù):40A
電流, Idm 脈沖:140A
表面安裝器件:表面安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:4V
閾值電壓, Vgs th 最低:2V
閾值電壓, Vgs th 最高:4V
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上海 0 新加坡 0 英國1841 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF5210LPBF - 場效應(yīng)管 MOSFET N 100V D2-PAK |
晶體管極性:P
漏極電流, Id 最大值:-40A
電壓, Vds 最大:-100V
開態(tài)電阻, Rds(on):0.06ohm
電壓 @ Rds測量:-10V
電壓, Vgs 最高:-4V
功耗:200W
封裝類型:TO-262AB
針腳數(shù):3
功率, Pd:200W
封裝類型:TO-262AB
晶體管類型:MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds 典型值:100V
電流, Id 連續(xù):40A
電流, Idm 脈沖:140A
表面安裝器件:表面安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:4V
閾值電壓, Vgs th 最低:2V
閾值電壓, Vgs th 最高:4V
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上海 0 新加坡 0 英國106 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF1407STRLPBF - 場效應(yīng)管 MOSFET N 75V D2-PAK |
晶體管極性:N
漏極電流, Id 最大值:100A
電壓, Vds 最大:75V
開態(tài)電阻, Rds(on):7.8ohm
電壓 @ Rds測量:10V
電壓, Vgs 最高:20V
功耗:3.8W
工作溫度范圍:-55°C to +175°C
封裝類型:D2-PAK
功率, Pd:200W
封裝類型:D2-PAK
晶體管類型:MOSFET
漏極連續(xù)電流, Id @ 100攝氏度:70A
漏極連續(xù)電流, Id @ 25攝氏度:100A
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds:75V
電壓, Vds 典型值:75V
電流, Id 連續(xù):100A
電流, Idm 脈沖:520A
表面安裝器件:表面安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:4V
閾值電壓, Vgs th 最低:2V
閾值電壓, Vgs th 最高:4V
熱阻 Rth:0.75
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无库存 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF5806TRPBF - 場效應(yīng)管 MOSFET N 20V TSOP-6 |
晶體管極性:P
漏極電流, Id 最大值:-4A
電壓, Vds 最大:20V
開態(tài)電阻, Rds(on):0.086ohm
電壓 @ Rds測量:4.5V
電壓, Vgs 最高:-1.2V
功耗:2W
封裝類型:TSOP
針腳數(shù):6
功率, Pd:2W
封裝類型:TSOP
應(yīng)用代碼:LowR
晶體管類型:MOSFET
漏極連續(xù)電流, Id @ 25攝氏度:4A
漏極連續(xù)電流, Id @ 70攝氏度:3.3
熱阻, 結(jié)至外殼 A:62.5°C/W
電壓 Vgs @ Rds on 測量:-4.5V
電壓, Vds:20V
電壓, Vds 典型值:-20V
電流, Id 連續(xù):4A
電流, Idm 脈沖:16.5A
表面安裝器件:表面安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:-1.2V
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上海80 新加坡 0 英國2787 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF5805TRPBF - 場效應(yīng)管 MOSFET N 30V TSOP-6 |
晶體管極性:P
漏極電流, Id 最大值:-3.8A
電壓, Vds 最大:30V
開態(tài)電阻, Rds(on):0.098ohm
電壓 @ Rds測量:10V
電壓, Vgs 最高:-20V
功耗:2W
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:TSOP
針腳數(shù):6
功率, Pd:2W
封裝類型:TSOP
應(yīng)用代碼:LowR
晶體管類型:MOSFET
漏極連續(xù)電流, Id @ 25攝氏度:3.8A
漏極連續(xù)電流, Id @ 70攝氏度:3
熱阻, 結(jié)至外殼 A:62.5°C/W
電壓 Vgs @ Rds on 測量:-10V
電壓, Vds:30V
電壓, Vds 典型值:-30V
電流, Id 連續(xù):3.8A
電流, Idm 脈沖:15A
表面安裝器件:表面安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:-2.5V
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上海 0 新加坡614 英國10986 |
1 |
1 |
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| 共 143 頁 | 第 104 頁 | 首頁 上一頁 下一頁 尾頁 |