| 圖片 |
型號 |
產(chǎn)品描述 |
庫存狀況 |
包裝規(guī)格 |
單位價格 (不含稅) |
數(shù)量 |
 |
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF5804TRPBF - 場效應(yīng)管 MOSFET N 40V TSOP-6 |
晶體管極性:P
漏極電流, Id 最大值:-2.5A
電壓, Vds 最大:40V
開態(tài)電阻, Rds(on):0.198ohm
電壓 @ Rds測量:10V
電壓, Vgs 最高:-20V
功耗:2W
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:TSOP
功率, Pd:2W
封裝類型:TSOP
應(yīng)用代碼:LowR
晶體管類型:MOSFET
漏極連續(xù)電流, Id @ 25攝氏度:2.5A
漏極連續(xù)電流, Id @ 70攝氏度:2
熱阻, 結(jié)至外殼 A:62.5°C/W
電壓 Vgs @ Rds on 測量:-10V
電壓, Vds:40V
電壓, Vds 典型值:-40V
電流, Id 連續(xù):2.5A
電流, Idm 脈沖:10A
表面安裝器件:表面安裝
閾值電壓, Vgs th 典???值:-3V
|
上海 0 新加坡 0 英國42 |
1 |
1 |
 |
 |
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF5803TRPBF - 場效應(yīng)管 MOSFET N 40V TSOP-6 |
晶體管極性:P
漏極電流, Id 最大值:-3.4A
電壓, Vds 最大:40V
開態(tài)電阻, Rds(on):0.112ohm
電壓 @ Rds測量:10V
電壓, Vgs 最高:-3V
功耗:2W
封裝類型:TSOP
針腳數(shù):6
功率, Pd:2W
封裝類型:TSOP
應(yīng)用代碼:LowR
晶體管類型:MOSFET
漏極連續(xù)電流, Id @ 25攝氏度:3.4A
漏極連續(xù)電流, Id @ 70攝氏度:2.7
熱阻, 結(jié)至外殼 A:62.5°C/W
電壓 Vgs @ Rds on 測量:-10V
電壓, Vds:40V
電壓, Vds 典型值:-40V
電流, Id 連續(xù):3.4A
電流, Idm 脈沖:27A
表面安裝器件:表面安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:-3V
|
上海 0 新加坡 0 英國2370 |
1 |
1 |
 |
 |
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF5800TRPBF - 場效應(yīng)管 MOSFET N 30V TSOP-6 |
晶體管極性:P
漏極電流, Id 最大值:-4A
電壓, Vds 最大:30V
開態(tài)電阻, Rds(on):0.085ohm
電壓 @ Rds測量:10V
電壓, Vgs 最高:-1V
功耗:2W
封裝類型:TSOP
針腳數(shù):6
功率, Pd:2W
封裝類型:TSOP
應(yīng)用代碼:LowR
晶體管類型:MOSFET
漏極連續(xù)電流, Id @ 25攝氏度:4A
漏極連續(xù)電流, Id @ 70攝氏度:3.2
熱阻, 結(jié)至外殼 A:62.5°C/W
電壓 Vgs @ Rds on 測量:-10V
電壓, Vds:30V
電壓, Vds 典型值:-30V
電流, Id 連續(xù):4A
電流, Idm 脈沖:32A
表面安裝器件:表面安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:-1V
|
上海 0 新加坡29 英國 0 |
1 |
1 |
 |
 |
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF2907ZLPBF - 場效應(yīng)管 MOSFET N 75V D2-PAK |
晶體管極性:N
漏極電流, Id 最大值:75A
電壓, Vds 最??:75V
開態(tài)電阻, Rds(on):4.5ohm
電壓 @ Rds測量:10V
電壓, Vgs 最高:20V
功耗:300W
工作溫度范圍:-55°C to +175°C
封裝類型:D2-PAK
功率, Pd:330W
封裝類型:D2-PAK
晶體管類型:MOSFET
漏極連續(xù)電流, Id @ 100攝氏度:120A
漏極連續(xù)電流, Id @ 25攝氏度:170A
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds:75V
電壓, Vds 典型值:75V
電流, Id 連續(xù):170A
電流, Idm 脈沖:680A
表面安裝器件:表面安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:4V
閾值電壓, Vgs th 最低:2V
閾值電壓, Vgs th 最高:4V
熱阻 Rth:0.45
|
上海 0 新加坡 0 英國3124 |
1 |
1 |
 |
 |
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF2804LPBF - 場效應(yīng)管 MOSFET N 40V D2-PAK |
晶體管極性:N
漏極電流, Id 最大值:75A
電壓, Vds 最大:40V
開態(tài)電阻, Rds(on):2.3ohm
電壓 @ Rds測量:10V
電壓, Vgs 最高:4V
功耗:330W
封裝類型:D2-PAK
針腳數(shù):3
功率, Pd:330W
封裝類型:D2-PAK
晶體管類型:MOSFET
漏極連續(xù)電流, Id @ 100攝氏度:200A
漏極連續(xù)電流, Id @ 25攝氏度:280A
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds:40V
電壓, Vds 典型值:40V
電流, Id 連續(xù):280A
電流, Idm 脈沖:1080A
表面安裝器件:表面安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:4V
閾值電壓, Vgs th 最低:2V
閾值電壓, Vgs th ??高:4V
熱阻 Rth:0.45
|
上海 0 新加坡 0 英國136 |
1 |
1 |
 |
 |
VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER - IRL630STRLPBF - 場效應(yīng)管 MOSFET N 200V D2-PAK |
晶體管極性:N
電壓, Vds 最大:200V
開態(tài)電阻, Rds(on):500ohm
電壓 @ Rds測量:4.5V
封裝類型:D2-PAK
功率, Pd:74W
封裝類型:D2-PAK
晶體管類型:MOSFET
漏極連續(xù)電流, Id @ 100攝氏度:5.7A
漏極連續(xù)電流, Id @ 25攝氏度:9A
電壓, Vds:200V
電流, Id 連續(xù):9A
電流, Idm 脈沖:36A
表面安裝器件:表面安裝
閾值電壓, Vgs th 最低:1V
閾值電壓, Vgs th 最高:2V
熱阻 Rth:1.7
|
无库存 |
1 |
1 |
 |
 |
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF7410TRPBF - 場效應(yīng)管 MOSFET N 12V SO-8 |
晶體管極性:P
漏極電流, Id 最大值:-16A
電壓, Vds 最大:12V
開態(tài)電阻, Rds(on):0.007ohm
電壓 @ Rds測量:4.5V
電壓, Vgs 最高:-8V
功耗:2.5W
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:SOIC
針腳數(shù):8
功率, Pd:2.5W
封裝類型:SOIC
晶體管類型:MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測量:4.5V
電壓, Vds:12V
電壓, Vds 典型值:12V
電流, Id 連續(xù):16A
電流, Idm 脈沖:65A
表面安裝器件:表面安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:0.9V
|
无库存 |
1 |
1 |
 |
 |
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF7210PBF - 場效應(yīng)管 MOSFET N 14V SO-8 |
晶體管極性:P
漏極電流, Id 最大值:-16A
電壓, Vds 最大:14V
開態(tài)電阻, Rds(on):0.007ohm
電壓 @ Rds測量:4.5V
電壓, Vgs 最高:-600mV
功耗:2.5W
封裝類型:SOIC
針腳數(shù):8
功率, Pd:2.5W
封裝類型:SOIC
晶體管類型:MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測量:4.5V
電壓, Vds:14V
電壓, Vds 典型值:12V
電流, Id 連續(xù):16A
電流, Idm 脈沖:100A
表面安裝器件:表面安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:0.6V
|
无库存 |
1 |
5 |
 |
 |
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF4905STRLPBF - 場效應(yīng)管 MOSFET N 55V D2-PAK |
晶體管極性:P
漏極電流, Id 最大值:-74A
電壓, Vds 最大:55V
開態(tài)電阻, Rds(on):0.02ohm
電壓 @ Rds測量:20V
電壓, Vgs 最高:-4V
功耗:200W
封裝類型:D2-PAK
針腳數(shù):3
功率, Pd:200W
封裝類型:D2-PAK
封裝類型, 替代:TO-262AB
晶體管類型:MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds:55V
電壓, Vds 典型值:55V
電流, Id 連續(xù):74A
電流, Idm 脈沖:260A
表面安裝器件:表面安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:4V
閾值電壓, Vgs th 最低:2V
閾值電壓, Vgs th 最高:4V
|
上海50 新加坡15 英國 0 |
1 |
1 |
 |
 |
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF4905LPBF - 場效應(yīng)管 MOSFET N 55V D2-PAK |
晶體管極性:P
漏極電流, Id 最大值:-74A
電壓, Vds 最大:55V
開態(tài)電阻, Rds(on):0.02ohm
電壓 @ Rds測量:-10V
電壓, Vgs 最高:-4V
功耗:200W
封裝類型:TO-262
針腳數(shù):3
功率, Pd:200W
封裝類型:TO-262
封裝類型, 替代:TO-262AB
晶體管類型:MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds:55V
電壓, Vds 典型值:55V
電流, Id 連續(xù):74A
電流, Idm 脈沖:260A
表面安裝器件:表面安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:4V
閾值電壓, Vgs th 最低:2V
閾值電壓, Vgs th 最高:4V
|
无库存 |
1 |
5 |
 |
 |
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF7459TRPBF - 場效應(yīng)管 MOSFET N 20V SO-8 |
晶體管極性:N
漏極電流, Id 最大值:12A
電壓, Vds 最大:20V
開態(tài)電阻, Rds(on):9ohm
電壓 @ Rds測量:10V
電壓, Vgs 最高:12V
功耗:2.5W
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:SOIC
針腳數(shù):8
功率, Pd:2.5W
封裝類型:SOIC
晶體管類型:MOSFET
漏極連續(xù)電流, Id @ 25攝氏度:10A
漏極連續(xù)電流, Id @ 70攝氏度:8
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds:20V
電壓, Vds 典型值:20V
電流, Id 連續(xù):10A
電流, Idm 脈沖:100A
表面安裝器件:表面安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:2V
熱阻 Rth:50
|
上海 0 新加坡 0 英國225 |
1 |
1 |
 |
 |
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF5802TRPBF - 場效應(yīng)管 MOSFET N 150V TSOP-6 |
晶體管極性:N
漏極電流, Id 最大值:900mA
電壓, Vds 最大:150V
開態(tài)電阻, Rds(on):1.2ohm
電壓 @ Rds測量:10V
電壓, Vgs 最高:5.5V
功耗:2W
封裝類型:TSOP
針腳數(shù):6
功率, Pd:2W
封裝類型:TSOP
應(yīng)用代碼:SMPS
晶體管類型:MOSFET
漏極連續(xù)電流, Id @ 25攝氏度:0.9A
漏極連續(xù)電流, Id @ 70攝氏度:0.7
熱阻, 結(jié)至外殼 A:62.5°C/W
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds:150V
電壓, Vds 典型值:150V
電流, Id 連續(xù):0.9A
電流, Idm 脈沖:7A
表面安裝器件:表面安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:5.5V
|
上海 0 新加坡 0 英國1634 |
1 |
1 |
 |
 |
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF5801TRPBF - 場效應(yīng)管 MOSFET N 200V TSOP-6 |
晶體管極性:N
漏極電流, Id 最大值:600mA
電壓, Vds 最大:200V
開態(tài)電阻, Rds(on):2.2ohm
電壓 @ Rds測量:10V
電壓, Vgs 最高:30V
功耗:2W
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:TSOP
功率, Pd:2W
封裝類型:TSOP
應(yīng)用代碼:SMPS
晶體管類型:MOSFET
漏極連續(xù)電流, Id @ 25攝氏度:0.6A
漏極連續(xù)電流, Id @ 70攝氏度:0.48
熱阻, 結(jié)至外殼 A:62.5°C/W
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds:200V
電壓, Vds 典型值:200V
電流, Id 連續(xù):0.6A
電流, Idm 脈沖:4.8A
表面安裝器件:表面安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:5.5V
|
上海 0 新加坡300 英國452 |
1 |
1 |
 |
 |
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF7416TRPBF - 場效應(yīng)管 MOSFET N 30V SO-8 |
晶體管極性:P
漏極電流, Id 最大值:-10A
電壓, Vds 最大:30V
開態(tài)電阻, Rds(on):0.02ohm
電壓 @ Rds測量:10V
電壓, Vgs 最高:-20V
功耗:2.5W
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:SOIC
針腳數(shù):8
SMD標(biāo)號:F7416
功率, Pd:2.5W
外寬:4.05mm
外部深度:5.2mm
外部長度/高度:1.75mm
封裝類型:SOIC
排距:6.3mm
晶體管數(shù):1
晶體管類型:MOSFET
溫度 @ 電流測量:25°C
滿功率溫度:25°C
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds:30V
電壓, Vds 典型值:30V
電流, Id 連續(xù):10A
電流, Idm 脈沖:45A
表面安裝器件:表面安裝
針腳格式:1 S
2 S
3 S
4 G
5 D
6 D
7 D
8 D
針腳配置:b
閾值電壓, Vgs th 典型值:1V
|
上海 0 新加坡3899 英國 0 |
1 |
10 |
 |
 |
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF7240PBF - 場效應(yīng)管 MOSFET N 40V SO-8 |
晶體管極性:P
漏極電流, Id 最大值:-10.5A
電壓, Vds 最大:40V
開態(tài)電阻, Rds(on):0.015ohm
電壓 @ Rds測量:10V
電壓, Vgs 最高:-3V
功耗:2.5W
封裝類型:SOIC
針腳數(shù):8
功率, Pd:2.5W
封裝類型:SOIC
晶體管類型:MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds:40V
電壓, Vds 典型值:40V
電流, Id 連續(xù):10.5A
電流, Idm 脈沖:43A
表面安裝器件:表面安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:3V
|
无库存 |
1 |
5 |
 |
| 共 143 頁 | 第 105 頁 | 首頁 上一頁 下一頁 尾頁 |