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型號(hào) |
產(chǎn)品描述 |
庫(kù)存狀況 |
包裝規(guī)格 |
單位價(jià)格 (不含稅) |
數(shù)量 |
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STMICROELECTRONICS - STW20NM50 - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N TO-247 |
晶體管極性:N
漏極電流, Id 最大值:20A
電壓, Vds 最大:550V
開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):0.25ohm
電壓 @ Rds測(cè)量:10V
電壓, Vgs 最高:4V
功耗:214W
封裝類(lèi)型:TO-247
針腳數(shù):3
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
N溝道柵極電荷 Qg:40nC
功率, Pd:214W
封裝類(lèi)型:TO-247
晶體管數(shù):1
晶體管類(lèi)型:MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
電壓, Vds:550V
電壓, Vds 典型值:500V
電壓, Vgs Rds N溝道:10V
電流, Id 連續(xù):20A
電流, Idm 脈沖:80A
結(jié)溫, Tj 最低:-55°C
結(jié)溫, Tj 最高:150°C
表面安裝器件:通孔安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:4V
閾值電壓, Vgs th 最低:3V
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上海 0 新加坡136 英國(guó)1379 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - STP9NK60ZFP - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N TO-220FP |
晶體管極性:N
漏極電流, Id 最大值:7A
電壓, Vds 最大:600V
開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):0.95ohm
電壓 @ Rds測(cè)量:10V
電壓, Vgs 最高:30V
功耗:30W
工作溫度范圍:-55oC to +150oC
封裝類(lèi)型:TO-220FP
功率, Pd:30W
單脈沖雪崩能量 Eas:235mJ
封裝類(lèi)型:TO-220FP
晶體管類(lèi)型:MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
電壓, Vds:600V
電壓, Vds 典型值:600V
電容值, Ciss 典型值:1110pF
電流, Id 連續(xù):7A
電流, Idm 脈沖:28A
表面安裝器件:通孔安裝
通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.95ohm
重復(fù)雪崩電流, Iar:7A
閾值電壓, Vgs th 典型值:3.75V
閾值電壓, Vgs th 最低:3V
閾值電壓, Vgs th 最高:4.5V
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上海 0 新加坡17 英國(guó)353 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - STP8NK80ZFP - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N TO-220FP |
晶體管極性:N
漏極電流, Id 最大值:6.2A
電壓, Vds 最大:800V
開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):1.5ohm
電壓 @ Rds測(cè)量:10V
電壓, Vgs 最高:30V
功耗:30W
工作溫度范圍:-55oC to +150oC
封裝類(lèi)型:TO-220FP
功率, Pd:30W
單脈沖雪崩能量 Eas:300mJ
封裝類(lèi)型:TO-220FP
晶體管類(lèi)型:MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
電壓, Vds:800V
電壓, Vds 典型值:800V
電容值, Ciss 典型值:1320pF
電流, Id 連續(xù):6.2A
電流, Idm 脈沖:24.8A
表面安裝器件:通孔安裝
通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V:1.5ohm
重復(fù)雪崩電流, Iar:6.2A
閾值電壓, Vgs th 典型值:3.75V
閾值電壓, Vgs th 最低:3V
閾值電壓, Vgs th 最高:4.5V
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上海 0 新加坡 0 英國(guó)20 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - STP80NF55L-06 - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N TO-220 |
晶體管極性:N
漏極電流, Id 最大值:80A
電壓, Vds 最大:55V
開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):0.008ohm
電壓 @ Rds測(cè)量:10V
電壓, Vgs 最高:20V
功耗:300W
工作溫度范圍:-55oC to +175oC
封裝類(lèi)型:TO-220
功率, Pd:300W
單脈沖雪崩能量 Eas:870mJ
封裝類(lèi)型:TO-220
晶體管類(lèi)型:MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
電壓, Vds:55V
電壓, Vds 典型值:55V
電容值, Ciss 典型值:3850pF
電流, Id 連續(xù):80A
電流, Idm 脈沖:320A
表面安裝器件:通孔安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:3V
閾值電壓, Vgs th 最低:2V
閾值電壓, Vgs th 最高:4V
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无库存 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - STP80NF55-08 - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N TO-220 |
晶體管極性:N
漏極電流, Id 最大值:80A
電壓, Vds 最大:55V
開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):0.008ohm
電壓 @ Rds測(cè)量:10V
電壓, Vgs 最高:20V
功耗:300W
封裝類(lèi)型:TO-220
針腳數(shù):3
功率, Pd:300W
單脈沖雪崩能量 Eas:870mJ
封裝類(lèi)型:TO-220
晶體管類(lèi)型:MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
電壓, Vds:55V
電壓, Vds 典型值:55V
電容值, Ciss 典型值:3850pF
電流, Id 連續(xù):80A
電流, Idm 脈沖:320A
表面安裝器件:通孔安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:3V
閾值電壓, Vgs th 最低:2V
閾值電壓, Vgs th 最高:4V
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上海 0 新加坡12 英國(guó)248 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - STP80NF55-06 - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N TO-220 |
晶體管極性:N
漏極電流, Id 最大值:80A
電壓, Vds 最大:55V
開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):0.0065ohm
電壓 @ Rds測(cè)量:10V
電壓, Vgs 最高:20V
功耗:300W
封裝類(lèi)型:TO-220
針腳數(shù):3
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
功率, Pd:300W
單脈沖雪崩能量 Eas:1300mJ
封裝類(lèi)型:TO-220
晶體管類(lèi)型:MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
電壓, Vds:55V
電壓, Vds 典型值:55V
電容值, Ciss 典型值:4400pF
電流, Id 連續(xù):80A
電流, Idm 脈沖:320A
表面安裝器件:通孔安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:3V
閾值電壓, Vgs th 最低:2V
閾值電壓, Vgs th ??高:4V
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上海 0 新加坡1003 英國(guó)672 |
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1 |
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STMICROELECTRONICS - STP6NK90ZFP - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N TO-220FP |
晶體管極性:N
漏極電流, Id 最大值:5.8A
電壓, Vds 最大:900V
開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):2ohm
電壓 @ Rds測(cè)量:10V
電壓, Vgs 最高:30V
功耗:30W
工作溫度范圍:-55oC to +150oC
封裝類(lèi)型:TO-220FP
功率, Pd:30W
單脈沖雪崩能量 Eas:300mJ
封裝類(lèi)型:TO-220FP
晶體管類(lèi)型:MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
電壓, Vds:900V
電壓, Vds 典型值:900V
電容值, Ciss 典型值:1350pF
電流, Id 連續(xù):5.8A
電流, Idm 脈沖:23.2A
表面安裝器件:通孔安裝
通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V:2ohm
重復(fù)雪崩電流, Iar:5.8A
閾值電壓, Vgs th 典型值:3.75V
閾值電壓, Vgs th 最低:3V
閾值電壓, Vgs th 最高:4.5V
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上海 0 新加坡320 英國(guó)1681 |
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1 |
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STMICROELECTRONICS - STP4NK60ZFP - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N TO-220FP |
晶體管極性:N
漏極電流, Id 最大值:4A
電壓, Vds 最大:600V
開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):2ohm
電壓 @ Rds測(cè)量:10V
電壓, Vgs 最高:30V
功耗:25W
封裝類(lèi)型:TO-220FP
功率, Pd:25W
單脈沖雪崩能量 Eas:120mJ
封裝類(lèi)型:TO-220FP
晶體管類(lèi)型:MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
電壓, Vds:600V
電壓, Vds 典型值:600V
電容值, Ciss 典型值:510pF
電流, Id 連續(xù):4A
電流, Idm 脈沖:16A
表面安裝器件:通孔安裝
通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V:2ohm
重復(fù)雪崩電流, Iar:4A
閾值電壓, Vgs th 典型值:3.75V
閾值電壓, Vgs th 最低:3V
閾值電???, Vgs th 最高:4.5V
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上海70 新加坡89 英國(guó)818 |
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1 |
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STMICROELECTRONICS - STP15NK50ZFP - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N TO-220 |
晶體管極性:N
漏極電流, Id 最大值:14A
電壓, Vds 最大:500V
開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):0.34ohm
電壓 @ Rds測(cè)量:10V
電壓, Vgs 最高:30V
功耗:40W
封裝類(lèi)型:TO-220
針腳數(shù):3
功率, Pd:160W
單脈沖雪崩能量 Eas:300mJ
封裝類(lèi)型:TO-220
晶體管類(lèi)型:MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
電壓, Vds:500V
電壓, Vds 典型值:500V
電容值, Ciss 典型值:2260pF
電流, Id 連續(xù):14A
電流, Idm 脈沖:56A
表面安裝器件:通孔安裝
通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.34ohm
重復(fù)雪崩電流, Iar:14A
閾值電壓, Vgs th 典型值:3.75V
閾值電壓, Vgs th 最低:3V
閾值電壓, Vgs th 最高:4.5V
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无库存 |
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1 |
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STMICROELECTRONICS - STP140NF55 - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N TO-220 |
晶體管極性:N
漏極電流, Id 最大值:80A
電壓, Vds 最大:55V
開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):0.008ohm
電壓 @ Rds測(cè)量:10V
電壓, Vgs 最高:20V
功耗:300W
工作溫度范圍:-55°C to +175°C
封裝類(lèi)型:TO-220
針腳數(shù):3
功率, Pd:300W
單脈沖雪崩能量 Eas:1300mJ
封裝類(lèi)型:TO-220
晶體管類(lèi)型:MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
電壓, Vds:55V
電壓, Vds 典型值:55V
電容值, Ciss 典型值:5300pF
電流, Id 連續(xù):80A
電流, Idm 脈沖:320A
表面安裝器件:通孔安裝
通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.008ohm
閾值電壓, Vgs th 典型值:3V
閾值電壓, Vgs th 最低:2V
閾值電壓, Vgs th 最高:4V
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无库存 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - STP12NM50 - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N TO-220 |
晶體管極性:N
漏極電流, Id 最大值:12A
電壓, Vds 最大:550V
開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):0.35ohm
電壓 @ Rds測(cè)量:10V
電壓, Vgs 最高:30V
功耗:160W
封裝類(lèi)型:TO-220
針腳數(shù):3
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
功率, Pd:160W
單脈沖雪崩能量 Eas:400mJ
封裝類(lèi)型:TO-220
晶體管類(lèi)型:MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
電壓, Vds:550V
電壓, Vds 典型值:500V
電容值, Ciss 典型值:1000pF
電流, Id 連續(xù):12A
電流, Idm 脈沖:48A
表面安裝器件:通孔安裝
重復(fù)雪崩電流, Iar:6A
閾值電壓, Vgs th 典型值:4V
閾值電壓, Vgs th 最低:3V
閾值電壓, Vgs th 最高:5V
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上海 0 新加坡 0 英國(guó)160 |
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1 |
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STMICROELECTRONICS - STP10NK70Z - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N TO-220 |
晶體管極性:N
漏極電流, Id 最大值:8.6A
電壓, Vds 最大:700V
開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):0.85ohm
電壓 @ Rds測(cè)量:10V
電壓, Vgs 最高:30V
功耗:150W
工作溫度范圍:-55oC to +150oC
封裝類(lèi)型:TO-220
功率, Pd:110W
單脈沖雪崩能量 Eas:350mJ
封裝類(lèi)型:TO-220
晶體管類(lèi)型:MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
電壓, Vds:700V
電壓, Vds 典型值:700V
電容值, Ciss 典型值:2000pF
電流, Id 連續(xù):8.6A
電流, Idm 脈沖:34A
表面安裝器件:通孔安裝
通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.85ohm
重復(fù)雪崩電流, Iar:8.6A
閾值電壓, Vgs th 典型值:3.75V
閾值電壓, Vgs th 最低:3V
閾值電壓, Vgs th 最高:4.5V
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上海 0 新加坡30 英國(guó)12 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - STN3PF06 - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N SOT-223 |
晶體管極性:N
漏極電流, Id 最大值:2.5A
電壓, Vds 最大:60V
開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):0.2ohm
電壓 @ Rds測(cè)量:10V
電壓, Vgs 最高:4V
功耗:2.5W
封裝類(lèi)型:SOT-223
針腳數(shù):4
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
功率, Pd:2.5W
封裝類(lèi)型:SOT-223
晶體管類(lèi)型:MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
電壓, Vds 典型值:60V
電流, Id 連續(xù):2.5A
電流, Idm 脈沖:10A
表面安裝器件:表面安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:4V
閾值電壓, Vgs th 最低:2V
閾值電壓, Vgs th 最高:4V
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上海110 新加坡140 英國(guó)679 |
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10 |
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STMICROELECTRONICS - STL20NM20N - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N POWERFLAT 6X5 |
場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N POWERFLAT 6X5
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上海 0 新加坡 0 英國(guó)2 |
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STMICROELECTRONICS - STF9NK60ZD - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N TO-220FP |
晶體管極性:N
漏極電流, Id 最大值:7A
電壓, Vds 最大:600V
開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):0.95ohm
電壓 @ Rds測(cè)量:10V
電壓, Vgs 最高:30V
功耗:30W
工作溫度范圍:-55oC to +150oC
封裝類(lèi)型:TO-220FP
功率, Pd:30W
單脈沖雪崩能量 Eas:235mJ
封裝類(lèi)型:TO-220FP
晶體管類(lèi)型:MOSFET
電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
電壓, Vds:600V
電壓, Vds 典型值:600V
電流, Id 連續(xù):7A
電流, Idm 脈沖:28A
表面安裝器件:通孔安裝
通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.95ohm
閾值電壓, Vgs th 典型值:3.5V
閾值電壓, Vgs th 最低:2.5V
閾值電壓, Vgs th 最高:4.5V
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上海 0 新加坡 0 英國(guó)2 |
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