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型號 |
產(chǎn)品描述 |
庫存狀況 |
包裝規(guī)格 |
單位價格 (不含稅) |
數(shù)量 |
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INFINEON - SPW52N50C3 - 場效應管 MOSFET N COOLMOS TO-247 |
晶體管極性:N溝道
漏極電流, Id 最大值:52A
電壓, Vds 最大:560V
開態(tài)電阻, Rds(on):0.07ohm
電?? @ Rds測量:10V
電壓, Vgs 最高:20V
功耗:417W
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:TO-247
針腳數(shù):3
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
功率, Pd:417W
封裝類型:TO-247
總功率, Ptot:417W
晶體管數(shù):1
晶體管類型:MOSFET
溫度 @ 電流測量:25°C
滿功率溫度:25°C
漏極連續(xù)電流, Id @ 25攝氏度:52A
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds:560V
電壓, Vds 典型值:560V
電流, Id 連續(xù):52A
電流, Idm 脈沖:156A
結(jié)溫, Tj 最低:-55°C
結(jié)溫, Tj 最高:150°C
表面安裝器件:通孔安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:3V
閾值電壓, Vgs th 最高:3.9V
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上海 0 新加坡5 英國140 |
1 |
1 |
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INFINEON - SPW35N60CFD - 場效應管 MOSFET N COOLMOS TO-247 |
晶體管極性:N溝道
漏極電流, Id 最大值:34.1A
電壓, Vds 最大:600V
開態(tài)電阻, Rds(on):0.118ohm
電壓 @ Rds測量:10V
電壓, Vgs 最高:20V
功耗:313W
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:TO-247
針腳數(shù):3
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
功率, Pd:313W
封裝類型:TO-247
總功率, Ptot:313W
晶體管數(shù):1
晶體管類型:MOSFET
溫度 @ 電流測量:25°C
滿功率溫度:25°C
漏極連續(xù)電流, Id @ 25攝氏度:34.1A
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds:600V
電壓, Vds 典型值:600V
電流, Id 連續(xù):34.1A
電流, Idm 脈沖:85A
結(jié)溫, Tj 最低:-55°C
結(jié)溫, Tj 最高:150°C
表面安裝器件:通孔安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:4V
閾值電壓, Vgs th 最高:5V
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无库存 |
1 |
1 |
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INFINEON - SPW32N50C3 - 場效應管 MOSFET N COOLMOS TO-247 |
晶體管極性:N溝道
漏極電流, Id 最大值:32A
電壓, Vds 最大:560V
開態(tài)電阻, Rds(on):0.11ohm
電?? @ Rds測量:10V
電壓, Vgs 最高:20V
功耗:284W
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:TO-247
針腳數(shù):3
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
功率, Pd:284W
封裝類型:TO-247
總功率, Ptot:284W
晶體管數(shù):1
晶體管類型:MOSFET
溫度 @ 電流測量:25°C
滿功率溫度:25°C
漏極連續(xù)電流, Id @ 25攝氏度:32A
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds:560V
電壓, Vds 典型值:560V
電流, Id 連續(xù):32A
電流, Idm 脈沖:96A
結(jié)溫, Tj 最低:-55°C
結(jié)溫, Tj 最高:150°C
表面安裝器件:通孔安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:3V
閾值電壓, Vgs th 最高:3.9V
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上海10 新加坡 0 英國16 |
1 |
1 |
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INFINEON - SPW20N60CFD - 場效應管 MOSFET N COOLMOS TO-247 |
晶體管極性:N溝道
漏極電流, Id 最大值:20.7A
電壓, Vds 最大:600V
開態(tài)電阻, Rds(on):0.22ohm
電壓 @ Rds測量:10V
電壓, Vgs 最高:20V
功耗:35W
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:TO-247
針腳數(shù):3
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
功率, Pd:35W
封裝類型:TO-247
總功率, Ptot:35W
晶體管數(shù):1
晶體管類型:MOSFET
溫度 @ 電流測量:25°C
滿功率溫度:25°C
漏極連續(xù)電流, Id @ 25攝氏度:8.3A
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds:600V
電壓, Vds 典型值:650V
電流, Id 連續(xù):8.3A
電流, Idm 脈沖:52A
結(jié)溫, Tj ???低:-55°C
結(jié)溫, Tj 最高:150°C
表面安裝器件:通孔安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:4V
閾值電壓, Vgs th 最高:5V
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无库存 |
1 |
1 |
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INFINEON - SPW17N80C3 - 場效應管 MOSFET N COOLMOS TO-247 |
晶體管極性:N溝道
漏極電流, Id 最大值:17A
電壓, Vds 最大:800V
開態(tài)電阻, Rds(on):0.29ohm
電?? @ Rds測量:10V
電壓, Vgs 最高:3V
功耗:208W
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:TO-247
針腳數(shù):3
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
功率, Pd:208W
封裝類型:TO-247
總功率, Ptot:208W
晶體管數(shù):1
晶體管類型:MOSFET
溫度 @ 電流測量:25°C
滿功率溫度:25°C
漏極連續(xù)電流, Id @ 25攝氏度:17A
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds:800V
電壓, Vds 典型值:800V
電流, Id 連續(xù):17A
電流, Idm 脈沖:51A
結(jié)溫, Tj 最低:-55°C
結(jié)溫, Tj 最高:150°C
表面安裝器件:通孔安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:3V
閾值電壓, Vgs th 最高:3.9V
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上海10 新加坡157 英國 0 |
1 |
1 |
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INFINEON - SPW11N60CFD - 場效應管 MOSFET N COOLMOS TO-247 |
晶體管極性:N溝道
漏極電流, Id 最大值:11A
電壓, Vds 最大:650V
開態(tài)電阻, Rds(on):0.44ohm
電壓 @ Rds測量:10V
電壓, Vgs 最高:20V
功耗:125W
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:TO-247
針腳數(shù):3
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
功率, Pd:125W
封裝類型:TO-247
總功率, Ptot:125W
晶體管數(shù):1
晶體管類型:MOSFET
溫度 @ 電流測量:25°C
滿功率溫度:25°C
漏極連續(xù)電流, Id @ 25攝氏度:11A
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds:650V
電壓, Vds 典型值:650V
電流, Id 連續(xù):11A
電流, Idm 脈沖:28A
結(jié)溫, Tj ??低:-55°C
結(jié)溫, Tj 最高:150°C
表面安裝器件:通孔安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:4V
閾值電壓, Vgs th 最高:5V
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无库存 |
1 |
1 |
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INFINEON - SPP24N60C3 - 場效應管 MOSFET N COOLMOS TO-220 |
晶體管極性:N溝道
漏極電流, Id 最大值:24.3A
電壓, Vds 最大:650V
開態(tài)電阻, Rds(on):0.16ohm
電壓 @ Rds???量:10V
電壓, Vgs 最高:20V
功耗:240W
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:TO-220
針腳數(shù):3
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
功率, Pd:240W
封裝類型:TO-220
總功率, Ptot:240W
晶體管數(shù):1
晶體管類型:MOSFET
溫度 @ 電流測量:25°C
滿功率溫度:25°C
漏極連續(xù)電流, Id @ 25攝氏度:24.3A
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds:650V
電壓, Vds 典型值:650V
電流, Id 連續(xù):24.3A
電流, Idm 脈沖:72.9A
結(jié)溫, Tj 最低:-55°C
結(jié)溫, Tj 最高:150°C
表面安裝器件:通孔安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:3V
閾值電壓, Vgs th 最高:3.9V
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上海 0 新加坡10 英國48 |
1 |
1 |
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INFINEON - SPP21N50C3 - 場效應管 MOSFET N COOLMOS TO-220 |
晶體管極性:N溝道
漏極電流, Id 最大值:21A
電壓, Vds 最大:560V
開態(tài)電阻, Rds(on):0.19ohm
電壓 @ Rds測量:10V
電壓, Vgs 最高:3V
功耗:208W
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:TO-220
針腳數(shù):3
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
功率, Pd:208W
封裝類型:TO-220
總功率, Ptot:208W
晶體管數(shù):1
晶體管類型:MOSFET
溫度 @ 電流測量:25°C
滿功率溫度:25°C
漏極連續(xù)電流, Id @ 25攝氏度:21A
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds:560V
電壓, Vds 典型值:560V
電流, Id 連續(xù):21A
電流, Idm 脈沖:63A
結(jié)溫, Tj 最低:-55°C
結(jié)溫, Tj 最高:150°C
表面安裝器件:通孔安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:3V
閾值電壓, Vgs th 最高:3.9V
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无库存 |
1 |
1 |
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INFINEON - SPP20N65C3 - 場效應管 MOSFET N COOLMOS TO-220 |
晶體管極性:N溝道
漏極電流, Id 最大值:20.7A
電壓, Vds 最大:650V
開態(tài)電阻, Rds(on):0.19ohm
電壓 @ Rds???量:10V
電壓, Vgs 最高:20V
功耗:208W
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:TO-220
針腳數(shù):3
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
功率, Pd:208W
封裝類型:TO-220
總功率, Ptot:208W
晶體管數(shù):1
晶體管類型:MOSFET
溫度 @ 電流測量:25°C
滿功率溫度:25°C
漏極連續(xù)電流, Id @ 25攝氏度:20.7A
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds:650V
電壓, Vds 典型值:650V
電流, Id 連續(xù):20.7A
電流, Idm 脈沖:62.1A
結(jié)溫, Tj 最低:-55°C
結(jié)溫, Tj 最高:150°C
表面安裝器件:通孔安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:3V
閾值電壓, Vgs th 最高:3.9V
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无库存 |
1 |
1 |
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INFINEON - SPP16N50C3 - 場效應管 MOSFET N COOLMOS TO-220 |
晶體管極性:N溝道
漏極電流, Id 最大值:16A
電壓, Vds 最大:560V
開態(tài)電阻, Rds(on):0.28ohm
電壓 @ Rds測量:10V
電壓, Vgs 最高:20V
功耗:160W
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:TO-220
針腳數(shù):3
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
功率, Pd:160W
封裝類型:TO-220
總功率, Ptot:160W
晶體管數(shù):1
晶體管類型:MOSFET
溫度 @ 電流測量:25°C
滿功率溫度:25°C
漏極連續(xù)電流, Id @ 25攝氏度:16A
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds:560V
電壓, Vds 典型值:560V
電流, Id 連續(xù):16A
電流, Idm 脈沖:48A
結(jié)溫, Tj 最低:-55°C
結(jié)溫, Tj 最高:150°C
表面安裝器件:通孔安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:3V
閾值電壓, Vgs th 最高:3.9V
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上海 0 新加坡 0 英國260 |
1 |
1 |
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INFINEON - SPP11N80C3 - 場效應管 MOSFET N COOLMOS TO-220 |
晶體管極性:N溝道
漏極電流, Id 最大值:11A
電壓, Vds 最大:800V
開態(tài)電阻, Rds(on):0.45ohm
電壓 @ Rds測量:10V
電壓, Vgs 最高:20V
功耗:156W
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:TO-220
針腳數(shù):3
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
功率, Pd:156W
封裝類型:TO-220
總功率, Ptot:156W
晶體管數(shù):1
晶體管類型:MOSFET
溫度 @ 電流測量:25°C
滿功率溫度:25°C
漏極連續(xù)電流, Id @ 25攝氏度:11A
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds:800V
電壓, Vds 典型值:800V
電流, Id 連續(xù):11A
電流, Idm 脈沖:33A
結(jié)溫, Tj 最低:-55°C
結(jié)溫, Tj 最高:150°C
表面安裝器件:通孔安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:3V
閾值電壓, Vgs th 最高:3.9V
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无库存 |
1 |
1 |
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INFINEON - SPA17N80C3 - 場效應管 MOSFET N COOLMOS TO-220FP |
晶體管極性:N溝道
漏極電流, Id 最大值:17A
電壓, Vds 最大:800V
開態(tài)電阻, Rds(on):0.29ohm
電壓 @ Rds測量:10V
電壓, Vgs 最高:20V
功耗:42W
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:TO-220FP
針腳數(shù):3
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
功率, Pd:42W
封裝類型:TO-220FP
總功率, Ptot:42W
晶體管數(shù):1
晶體管類型:MOSFET
溫度 @ 電流測量:25°C
滿功率溫度:25°C
漏極連續(xù)電流, Id @ 25攝氏度:17A
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds:800V
電壓, Vds 典型值:800V
電流, Id 連續(xù):17A
電流, Idm 脈沖:51A
結(jié)溫, Tj ???低:-55°C
結(jié)溫, Tj 最高:150°C
表面安裝器件:通孔安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:3V
閾值電壓, Vgs th 最高:3.9V
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无库存 |
1 |
1 |
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INFINEON - SPA11N80C3 - 場效應管 MOSFET N COOLMOS TO-220FP |
晶體管極性:N溝道
漏極電流, Id 最大值:11A
電壓, Vds 最大:800V
開態(tài)電阻, Rds(on):0.45ohm
電壓 @ Rds測量:10V
電壓, Vgs 最高:20V
功耗:41W
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:TO-220FP
針腳數(shù):3
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
功率, Pd:41W
封裝類型:TO-220FP
總功率, Ptot:41W
晶體管數(shù):1
晶體管類型:MOSFET
溫度 @ 電流測量:25°C
滿功率溫度:25°C
漏極連續(xù)電流, Id @ 25攝氏度:11A
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds:800V
電壓, Vds 典型值:800V
電流, Id 連續(xù):11A
電流, Idm 脈沖:33A
結(jié)溫, Tj ???低:-55°C
結(jié)溫, Tj 最高:150°C
表面安裝器件:通孔安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:3V
閾值電壓, Vgs th 最高:3.9V
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无库存 |
1 |
1 |
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INFINEON - SPA08N80C3 - 場效應管 MOSFET N COOLMOS TO-220FP |
晶體管極性:N溝道
漏極電流, Id 最大值:8A
電壓, Vds 最大:800V
開態(tài)電阻, Rds(on):0.65ohm
電壓 @ Rds測量:10V
電壓, Vgs 最高:3V
功耗:40W
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:TO-220FP
針腳數(shù):3
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
功率, Pd:40W
封裝類型:TO-220FP
總功率, Ptot:40W
晶體管數(shù):1
晶體管類型:MOSFET
溫度 @ 電流測量:25°C
滿功率溫度:25°C
漏極連續(xù)電流, Id @ 25攝氏度:8A
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds:800V
電壓, Vds 典型值:800V
電流, Id 連續(xù):8A
電流, Idm 脈沖:24A
結(jié)溫, Tj 最??:-55°C
結(jié)溫, Tj 最高:150°C
表面安裝器件:通孔安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:3V
閾值電壓, Vgs th 最高:3.9V
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无库存 |
1 |
1 |
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INFINEON - IPW60R045CS - 場效應管 MOSFET N TO-247 |
晶體管極性:N溝道
漏極電流, Id 最大值:60A
電壓, Vds 最大:600V
開態(tài)電阻, Rds(on):0.04ohm
電壓 @ Rds測量:10V
電壓, Vgs 最高:20V
功耗:431W
工作溫度范圍:-55°C to +175°C
封裝類型:TO-247
針腳數(shù):3
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
功率, Pd:431W
封裝類型:TO-247
封裝類型, 替代:SOT-249
總功率, Ptot:431W
晶體管數(shù):1
晶體管類型:MOSFET
溫度 @ 電流測量:25°C
滿功率溫度:25°C
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds 典型值:650V
電流, Id 連續(xù):60A
電流, Idm 脈沖:230A
表面安裝器件:通孔安裝
閾值電壓, Vgs th 典型值:3V
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无库存 |
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1 |
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