| 圖片 |
型號(hào) |
產(chǎn)品描述 |
庫(kù)存狀況 |
包裝規(guī)格 |
單位價(jià)格
(不含稅) |
數(shù)量 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE160A - 二極管 TVS 1500W 160V |
電壓, Vrwm:136V
鉗位電壓 最大:219V
二極管配置:Unidirectional
峰值脈沖電流:6.8A
封裝形式:DO-201AE
針腳數(shù):2
功耗:5W
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
主體直徑:5.33mm
二極管類型:TVS, 單向
擊穿電壓 最小:152V
反向漏電流, 最大:5μA
外部長(zhǎng)度/高度:9.52mm
封裝類型:DO-201AE
工作溫度范圍:-55°C to +175°C
截止電壓:136V
最高擊穿電壓:168V
極性, 單向/雙向:單向
測(cè)試電流:1mA
電壓 Vbr:168V
脈沖峰值功率:1500W
表面安裝器件:軸向引線
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡 0
英國(guó)729 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE15CA - 二極管 TVS 1500W 15V |
電壓, Vrwm:12.8V
鉗位電壓 最大:21.2V
二極管配置:Bidirectional
峰值??沖電流:71A
封裝形式:DO-201AE
針腳數(shù):2
功耗:5W
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
主體直徑:5.33mm
二極管類型:TVS, 雙向
擊穿電壓 最小:14.3V
反向漏電流, 最大:5μA
外部長(zhǎng)度/高度:9.52mm
封裝類型:DO-201AE
工作溫度范圍:-55°C to +175°C
截止電壓:12.8V
最高擊穿電壓:15.8V
極性, 單向/雙向:雙向
測(cè)試電流:1mA
漏電流:5μA
電壓 Vbr:15.8V
脈沖峰值功率:1500W
表面安裝器件:軸向引線
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附??):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡 0
英國(guó)2042 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE15A - 二極管 TVS 1500W 15V |
電壓, Vrwm:12.8V
鉗位電壓 最大:21.2V
二極管配置:Unidirectional
峰值脈沖???流:71A
封裝形式:DO-201AE
針腳數(shù):2
功耗:5W
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
主體直徑:5.33mm
二極管類型:TVS, 單向
擊穿電壓 最小:14.3V
反向漏電流, 最大:5μA
外部長(zhǎng)度/高度:9.52mm
封裝類型:DO-201AE
工作溫度范圍:-55°C to +175°C
截止電壓:12.8V
最高擊穿電壓:15.8V
極性, 單向/雙向:單向
測(cè)試電流:1mA
電壓 Vbr:15.8V
脈沖峰值功率:1500W
表面安裝器件:軸向引線
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡 0
英國(guó)4714 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE150CA - 二極管 TVS 1500W 150V |
電壓, Vrwm:128V
鉗位電壓 最大:207V
二極管配置:Bidirectional
???值脈沖電流:7.2A
封裝形式:DO-201AE
針腳數(shù):2
功耗:5W
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
主體直徑:5.33mm
二極管類型:TVS, 雙向
擊穿電壓 最小:143V
反向漏電流, 最大:5μA
外部長(zhǎng)度/高度:9.52mm
封裝類型:DO-201AE
工作溫度范圍:-55°C to +175°C
截止電壓:128V
最高擊穿電壓:158V
極性, 單向/雙向:雙向
測(cè)試電流:1mA
漏電流:5μA
電壓 Vbr:158V
脈沖峰值功率:1500W
表面安裝器件:軸向引線
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(???加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE150A - 二極管 TVS 1500W 150V |
電壓, Vrwm:128V
鉗位電壓 最大:207V
二極管配置:Unidirectional
峰值脈沖電流:7.2A
封裝形式:DO-201AE
針腳數(shù):2
功耗:5W
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
主體直徑:5.33mm
二極管類型:TVS, 單向
擊穿電壓 最小:143V
反向漏電流, 最大:5μA
外部長(zhǎng)度/高度:9.52mm
封裝類型:DO-201AE
工作溫度范圍:-55°C to +175°C
截止電壓:128V
最高擊穿電壓:158V
極性, 單向/雙向:單向
測(cè)試電流:1mA
電壓 Vbr:158V
脈沖峰值功率:1500W
表面安裝器件:軸向引線
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡16
英國(guó)980 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE12CA - 二極管 TVS 1500W 12V |
電壓, Vrwm:10.2V
鉗位電壓 最大:16.7V
二極管配置:Bidirectional
峰值??沖電流:90A
封裝形式:DO-201AE
針腳數(shù):2
功耗:5W
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
主體直徑:5.33mm
二極管類型:TVS, 雙向
擊穿電壓 最小:11.4V
反向漏電流, 最大:5μA
器件標(biāo)記:1V5KE12CA
外部長(zhǎng)度/高度:9.52mm
封裝類型:DO-201AE
工作溫度范圍:-55°C to +175°C
截止電壓:10.2V
最高擊穿電壓:12.6V
極性, 單向/雙向:雙向
測(cè)試電流:1mA
漏電流:5μA
電壓 Vbr:12.6V
脈沖峰值功率:1500W
表面安裝器件:軸向引線
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡 0
英國(guó)2015 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE12A - 二極管 TVS 1500W 12V |
電壓, Vrwm:10.2V
鉗位電壓 最大:16.7V
二極管配置:Unidirectional
峰值脈沖???流:90A
封裝形式:DO-201AE
針腳數(shù):2
功耗:5W
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
主體直徑:5.33mm
二極管類型:TVS, 單向
擊穿電壓 最小:11.4V
反向漏電流, 最大:5μA
器件標(biāo)記:1V5KE12A
外部長(zhǎng)度/高度:9.52mm
封裝類型:DO-201AE
工作溫度范圍:-55°C to +175°C
截止電壓:10.2V
最高擊穿電壓:12.6V
極性, 單向/雙向:單向
測(cè)試電流:1mA
電壓 Vbr:12.6V
脈沖峰值功率:1500W
表面安裝器件:軸向引線
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡15
英國(guó)3204 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE10CA - 二極管 TVS 1500W 10V |
電壓, Vrwm:8.55V
鉗位電壓 最大:14.5V
二極管配置:Bidirectional
峰值??沖電流:103A
封裝形式:DO-201AE
針腳數(shù):2
功耗:5W
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
主體直徑:5.33mm
二極管類型:TVS, 雙向
擊穿電壓 最小:9.5V
反向漏電流, 最大:10μA
外部長(zhǎng)度/高度:9.52mm
封裝類型:DO-201AE
工作溫度范圍:-55°C to +175°C
截止電壓:8.55V
最高擊穿電壓:10.5V
極性, 單向/雙向:雙向
測(cè)試電流:1mA
漏電流:10μA
電壓 Vbr:10.5V
脈沖峰值功率:1500W
表面安裝器件:軸向引線
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡 0
英國(guó)262 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE10A - 二極管 TVS 1500W 10V |
電壓, Vrwm:8.55V
鉗位電壓 最大:14.5V
二極管配置:Unidirectional
峰值脈沖???流:103A
封裝形式:DO-201AE
針腳數(shù):2
功耗:5W
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
主體直徑:5.33mm
二極管類型:TVS, 單向
擊穿電壓 最小:9.5V
反向漏電流, 最大:10μA
外部長(zhǎng)度/高度:9.52mm
封裝類型:DO-201AE
工作溫度范圍:-55°C to +175°C
截止電壓:8.55V
最高擊穿電壓:10.5V
極性, 單向/雙向:單向
測(cè)試電流:1mA
電壓 Vbr:10.5V
脈沖峰值功率:1500W
表面安裝器件:軸向引線
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡 0
英國(guó)2284 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE100CA - 二極管 TVS 1500W 100V |
電壓, Vrwm:85.5V
鉗位電壓 最大:137V
二極管配置:Bidirectional
峰值脈沖電流:11A
封裝形式:DO-201AE
針腳數(shù):2
功耗:5W
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
主體直徑:5.33mm
二極管類型:TVS, 雙向
擊穿電壓 最小:95V
反向漏電流, 最大:5μA
器件標(biāo)記:1V5KE100CA
外部長(zhǎng)度/高度:9.52mm
封裝類型:DO-201AE
工作溫度范圍:-55°C to +175°C
截止電壓:85.5V
最高擊穿電壓:105V
極性, 單向/雙向:雙向
測(cè)試電流:1mA
漏電流:5μA
電壓 Vbr:105V
脈沖峰值功率:1500W
表面安裝器件:軸向引線
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡 0
英國(guó)769 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE100A - 二極管 TVS 1500W 100V |
電壓, Vrwm:85.5V
擊穿電壓范圍:95V to 105V
鉗位電壓 最大:137V
二??管配置:Unidirectional
峰值脈沖電流:11A
封裝形式:DO-201AE
針腳數(shù):2
功耗:5W
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
主體直徑:5.33mm
二極管類型:TVS, 單向
擊穿電壓 最小:95V
反向漏電流, 最大:5μA
器件標(biāo)記:1V5KE100A
外部長(zhǎng)度/高度:9.52mm
封裝類型:DO-201AE
工作溫度范圍:-55°C to +175°C
截止電壓:85.5V
最高擊穿電壓:105V
極性, 單向/雙向:單向
測(cè)試電流:1mA
電壓 Vbr:105V
脈沖峰值功率:1500W
表面安裝器件:軸??引線
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡135
英國(guó)975 |
1 |
1 |
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SEMTECH - RCLAMP1502B.TCT - 瞬態(tài)抑制二極管 |
瞬態(tài)抑制二極管
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美國(guó) 0
上海 0
美國(guó)2335
新加坡 0 |
1 |
1 |
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SEMTECH - LC03-3.3.TBT. - 二極管 TVS 3.3V 8-SOIC 12pF |
二極管 TVS 3.3V 8-SOIC 12pF
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美國(guó) 0
上海30
美國(guó) 0
新加坡 0 |
1 |
1 |
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TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMBJ7.5CA - 二極管TVS SMB 600W 7.5V |
電壓, Vrwm:7.5V
擊穿電壓范圍:8.33V to 9.21V
鉗位電壓 最大:12.9V
二極管配置:Bidirectional
峰值脈沖電流:48A
封裝形式:SMB
針腳數(shù):2
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
二極管類型:TVS, 雙向
擊穿電壓 最小:8.33V
反向漏電流, 最大:100μA
外寬:4.75mm
外部深度:3.73mm
外部長(zhǎng)度/高度:2.61mm
封裝類型:SMB
封裝類型, 替代:DO-214AA
截止電壓:7.5V
最高擊穿電壓:9.21V
極性, 單向/雙向:雙向
測(cè)試電流:10mA
漏電流:100μA
電壓 Vbr:9.21V
脈沖峰值功率:600W
表面安裝器件:表面安裝
鉗位電壓, 8/20us 最大:12.9V
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无库存 |
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1 |
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TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMBJ7.5A - 二極管TVS SMB 600W 7.5V |
電壓, Vrwm:7.5V
擊穿電壓范圍:8.33V to 9.21V
鉗位電壓 最大:12.9V
二極管配置:Unidirectional
峰值脈沖電流:48A
封裝形式:SMB
針腳數(shù):2
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD標(biāo)號(hào):KP
二極管類型:TVS, 單向
擊穿電壓 最小:8.33V
反向漏電流, 最大:100μA
外寬:4.75mm
外部深度:3.73mm
外部長(zhǎng)度/高度:2.61mm
封裝類型:SMB
封裝類型, 替代:DO-214AA
截止電壓:7.5V
最高擊穿電壓:9.21V
極性, 單向/雙向:單向
測(cè)試電流:10mA
漏電流:100μA
電壓 Vbr:9.21V
脈沖峰值功率:600W
表面安裝器件:??面安裝
鉗位電壓, 8/20us 最大:12.9V
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上海 0
新加坡 0
英國(guó)1164 |
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