| 圖片 |
型號(hào) |
產(chǎn)品描述 |
庫(kù)存狀況 |
包裝規(guī)格 |
單位價(jià)格
(不含稅) |
數(shù)量 |
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ON SEMICONDUCTOR - MPS650G - 晶體管 NPN 40V TO92 |
晶體管極性:NPN
電壓, Vceo:40V
截止頻率 ft, 典型值:75MHz
功耗, Pd:625mW
集電極直流電流:2A
直流電流增益 hFE:75
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類(lèi)型:TO-92
針腳數(shù):3
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:625mW
封裝類(lèi)型:TO-92
直流電流增益 hfe, 最小值:40
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上海 0
美國(guó) 0
新加坡392
英國(guó) 0 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - MPS650G - 雙極性晶體管 |
晶體管極性:NPN
電壓, Vceo:40V
截止頻率 ft, 典型值:75MHz
功耗, Pd:625mW
集電極直流電流:2A
直流電流增益 hFE:75
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類(lèi)型:TO-92
針腳數(shù):3
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.625W
封裝類(lèi)型:TO-92
直流電流增益 hfe, 最小值:40
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无库存 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - MJD117G - 雙極性晶體管 |
晶體管極性:PNP
電壓, Vceo:100V
截止頻率 ft, 典型值:25MHz
功耗, Pd:1.75W
集電極直流電流:2A
???流電流增益 hFE:12
工作溫度范圍:-65°C to +150°C
封裝類(lèi)型:D-PAK
針腳數(shù):4
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:1.75W
封裝類(lèi)型:D-PAK
直流電流增益 hfe, 最小值:1
飽和電壓, Vce sat 最大:2V
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上海 0
美國(guó) 0
新加坡 0
英國(guó)140 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - 2N6491G - 雙極性晶體管 |
晶體管極性:PNP
電壓, Vceo:80V
截止頻率 ft, 典型值:5MHz
功耗, Pd:1.8W
集電極直流電流:-15A
直流電???增益 hFE:5
工作溫度范圍:-65°C to +150°C
封裝類(lèi)型:3-TO-220
針腳數(shù):3
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
封裝類(lèi)型:3-TO-220
直流電流增益 hfe, 最小值:150
飽和電壓, Vce sat 最大:20V
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上海 0
新加坡40
英國(guó)63 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - 2N5401G - 雙極性晶體管 |
晶體管極性:PNP
電壓, Vceo:150V
截止頻率 ft, 典型值:300MHz
功耗, Pd:625mW
集電極直流電流:500mA
直??電流增益 hFE:100
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類(lèi)型:TO-92
針腳數(shù):3
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.625W
封裝類(lèi)型:TO-92
直流電流增益 hfe, 最小值:240
飽和電壓, Vce sat 最大:60V
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上海 0
新加坡 0
英國(guó)287 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - MJW21196G - 晶體管 雙極性 NPN 16A TO247 |
晶體管極性:NPN
電壓, Vceo:250V
截止頻率 ft, 典型值:4MHz
功耗, Pd:200W
集電極直流電流:16A
直流電流增益 hFE:20
工作溫度范圍:-65°C to +150°C
封裝類(lèi)型:TO-247
針腳數(shù):3
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:200W
封裝類(lèi)型:TO-247
總功率, Ptot:200W
晶體管數(shù):1
晶體管類(lèi)型:Power General Purpose
最大連續(xù)電流, Ic:16A
最小增益帶寬 ft:4MHz
滿(mǎn)功率溫度:25°C
電壓, Vcbo:400V
電流, Ic hFE:0.08A
電流, Ic 最大:16A
直流電流增益 hfe, 最小值:20
表面安裝器件:通孔安裝
飽和電壓, Vce sat 最大:3V DC
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上海 0
新加坡15
英國(guó)206 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - MJW21195G - 晶體管 雙極性 NPN 16A TO247 |
晶體管極性:PNP
電壓, Vceo:250V
截止頻率 ft, 典型值:4MHz
功耗, Pd:200W
集電極直流電流:16A
直流電流增益 hFE:20
工作溫度范圍:-65°C to +150°C
封裝類(lèi)型:TO-247
針腳數(shù):3
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:200W
封裝類(lèi)型:TO-247
總功率, Ptot:200W
晶體管數(shù):1
晶體管類(lèi)型:Power General Purpose
最大連續(xù)電流, Ic:16A
滿(mǎn)功率溫度:25°C
電壓, Vcbo:400V
電流, Ic hFE:0.08A
電流, Ic 最大:16A
直流電流增益 hfe, 最小值:20
表面安裝器件:通孔安裝
飽和電壓, Vce sat 最大:3V DC
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上海 0
新加坡9
英國(guó)405 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - NZT7053 - 晶體管 達(dá)林頓 NPN 1.5A 100V SOT223 |
晶體管極性:NPN
電壓, Vceo:100V
截止頻率 ft, 典型值:200MHz
功耗, Pd:1W
集電極直流電流:1.5A
直流電流增益 hFE:20000
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類(lèi)型:SOT-223
針腳數(shù):4
功耗:1W
封裝類(lèi)型:SOT-223
晶體管類(lèi)型:Darlington Bipolar
最大連續(xù)電流, Ic:100mA
直流電流增益 hfe, 最小值:1000
表面安裝器件:表面安裝
飽和電壓, Vce sat 最大:1.5V
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上海 0
美國(guó) 0
新加坡300
英國(guó)379 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - MMBTA14 - 晶體管 NPN 達(dá)林頓 0.3A 30V SOT23 |
晶體管極性:NPN
電壓, Vceo:30V
截止頻率 ft, 典型值:125MHz
???耗, Pd:350mW
集電極直流電流:1.2A
直流電流增益 hFE:20000
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類(lèi)型:SOT-23
針腳數(shù):3
功耗:350mW
封裝類(lèi)型:SOT-23
晶體管類(lèi)型:Darlington Bipolar
最大連續(xù)電流, Ic:100mA
直流電流增益 hfe, 最小值:10000
表面安裝器件:表面安裝
飽和電壓, Vce sat 最大:1.5V
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上海 0
美國(guó)1618
新加坡 0
英國(guó)472 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - D45H8 - 晶體管 PNP -60V -10A TO220 |
晶體管極性:PNP
電壓, Vceo:60V
截止頻率 ft, 典型值:40MHz
功耗, Pd:60W
集電極直流電流:8A
直流電流增益 hFE:60
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類(lèi)型:TO-220
針腳數(shù):3
功耗:60W
封裝類(lèi)型:TO-220
晶體管類(lèi)型:Power
最大連續(xù)電流, Ic:8A
直流電流增益 hfe, 最小值:40
表面安裝器件:通孔安裝
飽和電壓, Vce sat 最大:1V
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上海 0
美國(guó) 0
新加坡87
英國(guó)31 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - MMBT2369 - 晶體管 NPN 0.2A 15V SOT23 |
晶體管極性:NPN
電壓, Vceo:15V
功耗, Pd:350mW
集電極直流電流:200mA
直流電流增益 hFE:40
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類(lèi)型:SOT-23
針腳數(shù):3
功耗:350mW
封裝類(lèi)型:SOT-23
晶體管類(lèi)型:Switching
最大連續(xù)電流, Ic:100mA
直流電流增益 hfe, 最小值:20
表面安裝器件:表面安裝
飽和電壓, Vce sat 最大:250mV
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上海 0
美國(guó)12171
新加坡1400
英國(guó)1582 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - MMBT6428 - 晶體管 NPN 0.5A 50V SOT23 |
晶體管極性:NPN
電壓, Vceo:50V
截止頻率 ft, 典型值:700MHz
功耗, Pd:350mW
集電極直流電流:500mA
直流電流增益 hFE:250
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類(lèi)型:SOT-23
針腳數(shù):3
功耗:350mW
封裝類(lèi)型:SOT-23
晶體管類(lèi)型:General Purpose
最大連續(xù)電流, Ic:100mA
直流電流增益 hfe, 最小值:250
表面安裝器件:表面安裝
飽和電壓, Vce sat 最大:600mV
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上海 0
美國(guó) 0
新加坡750
英國(guó)1001 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - MMBT5210 - 晶體管 NPN 0.1A 50V SOT23 |
晶體管極性:NPN
電壓, Vceo:50V
截止頻率 ft, 典型值:30MHz
功耗, Pd:350mW
集電極直流電流:100mA
直流電流增益 hFE:250
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類(lèi)型:SOT-23
針腳數(shù):3
功耗:350mW
封裝類(lèi)型:SOT-23
晶體管類(lèi)型:General Purpose
最大連續(xù)電流, Ic:10mA
直流電流增益 hfe, 最小值:250
表面安裝器件:表面安裝
飽和電壓, Vce sat 最大:700mV
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上海 0
新加坡 0
英國(guó)162 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - MMBTA05 - 晶體管 NPN 0.5A 60V SOT23 |
晶體管極性:NPN
電壓, Vceo:60V
截止頻率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:350mW
集電極直流電流:500mA
直流電流增益 hFE:100
封裝類(lèi)型:SOT-23
針腳數(shù):3
功耗:350mW
封裝類(lèi)型:SOT-23
晶體管類(lèi)型:General Purpose
最大連續(xù)電流, Ic:100mA
直流電流增益 hfe, 最小值:100
表面安裝器件:表面安裝
飽和電壓, Vce sat 最大:250mV
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上海 0
美國(guó) 0
新加坡 0
英國(guó)618 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - BCX70G - 晶體管 NPN 45V 0.2A SOT23 |
晶體管極性:NPN
電壓, Vceo:45V
截止頻率 ft, 典型值:125MHz
功耗, Pd:350mW
集電極直流電流:200mA
直流電流增益 hFE:120
封裝類(lèi)型:SOT-23
針腳數(shù):3
功耗:350mW
封裝類(lèi)型:SOT-23
晶體管類(lèi)型:General Purpose
最大連續(xù)電流, Ic:10mA
直流電流增益 hfe, 最小值:60
表面安裝器件:表面安裝
飽和電壓, Vce sat 最大:350mV
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上海 0
美國(guó)747
新加坡 0
英國(guó)775 |
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