 | NXP - BLF175 - 場效應(yīng)管 MOSFET VHF SOT123 |
晶體管類型:MOSFET
電壓, Vds 最大:125V
電流, Id 連續(xù):4A
最大功耗:68W
封裝類型:SOT-123
截止頻率 ft, 典型值:32MHz
晶體管數(shù):1
晶體管極性:N
熱阻, 結(jié)至外殼 A:2.6°C/W
針腳格式:D(1), S(2&4), G(3)
功率, Pd:68W
器件標(biāo)號:1
封裝類型:SOT-123
應(yīng)用代碼:RFPOWMOS
開態(tài)電阻, Rds(on):0.75ohm
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds 典型值:125V
電流, Idss 最大:0.1mA
通態(tài)電阻, Rds on 最大:1.5ohm
閾值電壓, Vgs th 典型值:4.5V
閾值電壓, Vgs th 最低:2V
閾值電壓, Vgs th 最高:4.5V
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