| 圖片 |
型號 |
產(chǎn)品描述 |
庫存狀況 |
包裝規(guī)格 |
單位價格
(不含稅) |
數(shù)量 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXER35N120D1 - 晶體管 IGBT ISOPLUS247 |
晶體管類型:IGBT
集電極直流電流:50A
飽和電壓, Vce sat 最大:2.2V
最大功???:200W
電壓, Vceo:1.2kV
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:ISOPLUS-247
上升時間:50ns
下降時間:50ns
功耗:200W
封裝類型:ISOPLUS-247
晶體管極性:NPN
最大連續(xù)電流, Ic:50A
熱阻, 結(jié)至外殼 A:0.6°C/W
電壓, Vces:1200V
表面安裝器件:通孔安裝
針腳配置:Copack (FRD)
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上海 0
新加坡 0
英國210 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXDR35N60BD1 - 晶體管 IGBT ISOPLUS247 |
晶體管類型:NPT
飽和電壓, Vce sat 最大:2.7V
封裝類型:ISOPLUS-247
上升時間:70ns
下降時間:70ns
功耗:125W
封裝類型:ISOPLUS-247
晶體管極性:NPN
最大連續(xù)電流, Ic:38A
熱阻, 結(jié)至外殼 A:1°C/W
電壓, Vces:600V
表面安裝器件:通孔安裝
針腳配置:Copack (FRD)
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上海 0
新加坡 0
英國1 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXDR30N120D1 - 晶體管 IGBT ISOPLUS247 |
晶體管類型:IGBT
集電極直流電流:50A
飽和電壓, Vce sat 最大:2.4V
最大功???:200W
電壓, Vceo:1.2kV
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:ISOPLUS-247
上升時間:70ns
下降時間:70ns
功耗:200W
封裝類型:ISOPLUS-247
晶體管極性:NPN
最大連續(xù)電流, Ic:50A
熱阻, 結(jié)至外殼 A:0.6°C/W
電壓, Vces:1200V
表面安裝器件:通孔安裝
針腳配置:Copack (FRD)
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上海 0
新加坡20
英國35 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXDR30N120 - 晶體管 IGBT ISOPLUS247 |
晶體管類型:IGBT
集電極直流電流:50A
飽和電壓, Vce sat 最大:2.4V
最大功耗:200W
電壓, Vceo:1.2kV
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:ISOPLUS-247
上升時間:70ns
下降時間:70ns
功率, Pd:200W
功耗:200W
封裝類型:ISOPLUS-247
晶體管極性:NPN
最大連續(xù)電流, Ic:50A
熱阻, 結(jié)至外殼 A:0.6°C/W
電壓, Vces:1200V
表面安裝器件:通孔安裝
針腳配置:Single
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上海 0
新加坡 0
英國38 |
1 |
1 |
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POWEREX - CM300DY-24NF - 晶體管 IGBT模塊 890W Vceo:1200V 300A 1200V |
晶體管 IGBT模塊 890W Vceo:1200V 300A 1200V
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无库存 |
1 |
1 |
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POWEREX - CM1400DU-24NF - 晶體管 IGBT模塊 1400A 1200V |
晶體管 IGBT模塊 1400A 1200V
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美國 0
上海 0
美國6
新加坡 0 |
1 |
1 |
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POWEREX - CM200DY-12NF - 晶體管 IGBT模塊 600W Vceo:600V 200A 600V |
晶體管 IGBT模塊 600W Vceo:600V 200A 600V
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无库存 |
1 |
1 |
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POWEREX - CM100DY-24NF - 晶體管 IGBT模塊 650W Vceo:1200V 100A 1200V |
晶體管 IGBT模塊 650W Vceo:1200V 100A 1200V
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无库存 |
1 |
1 |
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POWEREX - CM150E3U-24H - 晶體管 IGBT模塊 890W Vceo:1.2kV |
晶體管 IGBT模塊 890W Vceo:1.2kV
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无库存 |
1 |
1 |
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POWEREX - CM200DU-24H - 晶體管 IGBT 1.13kW Vceo:1.2kV |
晶體管 IGBT 1.13kW Vceo:1.2kV
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美國 0
上海 0
美國7
新加坡 0 |
1 |
1 |
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FUJI ELECTRIC - 1MBI600S-120 - 晶體管 IGBT模塊 1200V 600A |
晶體管類型:IGBT Module
集電極直流電流:900A
飽和電壓, Vce sat 最大:2.6V
最大功??:4.15kW
電壓, Vceo:1200V
封裝類型:M138
上升時間:600ns
下降時間:300ns
功率, Pd:4150W
功耗:4150W
外寬:110mm
外部深度:80mm
外部長度/高度:35mm
封裝類型:M138
晶體管數(shù):1
晶體管極性:N 通道
最大連續(xù)電流, Ic:900A
溫度 @ 電流測量:25°C
滿功率溫度:25°C
電壓, Vces:1200V
電流, Ic @ Vce飽和:600A
電流, Icm 脈沖:1800A
結(jié)溫, Tj 最高:150°C
表面安裝器件:螺絲安裝
重量:0.5kg
隔???電壓:2500V
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无库存 |
1 |
1 |
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FUJI ELECTRIC - 1MBI400S-120 - 晶體管 IGBT模塊 1200V 400A |
晶體管類型:IGBT Module
集電極直流電流:600A
飽和電壓, Vce sat 最大:2.6V
最大功??:3.1kW
電壓, Vceo:1200V
封裝類型:M127
上升時間:600ns
下降時間:300ns
功率, Pd:3100W
功耗:3100W
外寬:108mm
外部深度:62mm
外部長度/高度:35mm
封裝類型:M127
晶體管數(shù):1
晶體管極性:N 通道
最大連續(xù)電流, Ic:600A
溫度 @ 電流測量:25°C
滿功率溫度:25°C
電壓, Vces:1200V
電流, Ic @ Vce飽和:400A
電流, Icm 脈沖:1200A
結(jié)溫, Tj 最高:150°C
表面安裝器件:螺絲安裝
重量:0.4kg
隔??電壓:2500V
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上海 0
新加坡 0
英國45 |
1 |
1 |
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FUJI ELECTRIC - 1MBI200S-120 - 晶體管 IGBT模塊 1200V 200A |
晶體管類型:IGBT Module
集電極直流電流:300A
飽和電壓, Vce sat 最大:2.6V
最大功??:1.3kW
電壓, Vceo:1200V
封裝類型:M127
上升時間:600ns
下降時間:300ns
功率, Pd:1500W
功耗:1500W
外寬:108mm
外部深度:62mm
外部長度/高度:35mm
封裝類型:M127
晶體管數(shù):1
晶體管極性:N 通道
最大連續(xù)電流, Ic:300A
溫度 @ 電流測量:25°C
滿功率溫度:25°C
電壓, Vces:1200V
電流, Ic @ Vce飽和:200A
電流, Icm 脈沖:600A
結(jié)溫, Tj 最高:150°C
表面安裝器件:螺絲安裝
重量:0.4kg
隔離電壓:2500V
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上海 0
新加坡 0
英國48 |
1 |
1 |
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POWEREX - PS21563-P - 晶體管 IGBT模塊 NPN & PNP 20W Vceo:600V DIP 600V |
晶體管 IGBT模塊 NPN & PNP 20W Vceo:600V DIP 600V
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美國 0
上海 0
美國7
新加坡 0 |
1 |
1 |
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POWEREX - CM75DU-12F - 晶體管 IGBT模塊 450W Vceo:600V 75A 600V |
晶體管 IGBT模塊 450W Vceo:600V 75A 600V
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美國 0
上海 0
美國9
新加坡 0 |
1 |
1 |
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