IXYS SEMICONDUCTOR - IXDR30N120 - 晶體管 IGBT ISOPLUS247
制造商：IXYS SEMICONDUCTOR
庫存編號：
制造商編號：IXDR30N120
庫存狀態(tài)：上海 0 , 新加坡 0 , 英國38
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價(jià)格(不含稅)：CNY 79.70
價(jià)格：
庫存編號：
制造商編號：IXDR30N120
庫存狀態(tài)：上海 0 , 新加坡 0 , 英國38
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價(jià)格(不含稅)：CNY 79.70
價(jià)格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 79.70 |
描述信息：
- 晶體管類型:IGBT
- 集電極直流電流:50A
- 飽和電壓, Vce sat 最大:2.4V
- 最大功耗:200W
- 電壓, Vceo:1.2kV
- 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
- 封裝類型:ISOPLUS-247
- 上升時(shí)間:70ns
- 下降時(shí)間:70ns
- 功率, Pd:200W
- 功耗:200W
- 封裝類型:ISOPLUS-247
- 晶體管極性:NPN
- 最大連續(xù)電流, Ic:50A
- 熱阻, 結(jié)至外殼 A:0.6°C/W
- 電壓, Vces:1200V
- 表面安裝器件:通孔安裝
- 針腳配置:Single
產(chǎn)品屬性：
重量（公斤）：0.005
原產(chǎn)地：
最近制造加工所發(fā)生的國家：
描述信息：
- 晶體管類型:IGBT
- 集電極直流電流:50A
- 飽和電壓, Vce sat 最大:2.4V
- 最大功耗:200W
- 電壓, Vceo:1.2kV
- 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
- 封裝類型:ISOPLUS-247
- 上升時(shí)間:70ns
- 下降時(shí)間:70ns
- 功率, Pd:200W
- 功耗:200W
- 封裝類型:ISOPLUS-247
- 晶體管極性:NPN
- 最大連續(xù)電流, Ic:50A
- 熱阻, 結(jié)至外殼 A:0.6°C/W
- 電壓, Vces:1200V
- 表面安裝器件:通孔安裝
- 針腳配置:Single
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