| 圖片 |
型號 |
產(chǎn)品描述 |
庫存狀況 |
包裝規(guī)格 |
單位價格
(不含稅) |
數(shù)量 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG4BC30UDPBF - 晶體管 IGBT TO-220 每管50 |
晶體管類型:IGBT
集電極直流電流:23A
飽和電壓, Vce sat 最大:2.5V
最大功耗:100W
電壓, Vceo:600V
封裝類型:TO-220
針腳數(shù):3
上升時間:21ns
下降時間最大:80ns
功率, Pd:100W
功耗:100W
封裝類型:TO-220
晶體管數(shù):1
晶體管極性:N溝道
最大連續(xù)電流, Ic:23A
溫度 @ 電流測量:25°C
滿功率溫度:25°C
電壓, Vces:600V
電流, Icm 脈沖:92A
表面安裝器件:通孔安裝
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无库存 |
50 |
1 |
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VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER - GA200SA60UPBF - 晶體管 IGBT SOT-227 每管10只 |
晶體管類型:IGBT
飽和電壓, Vce sat 最大:1.6V
電壓, Vceo:600V
封裝類型:ISOTOP
上升時間:75ns
下降時間:460ns
功率, Pd:500W
功耗:500W
封裝類型:ISOTOP
晶體管數(shù):1
晶體管極性:N溝道
最大連續(xù)電流, Ic:200A
溫度 @ 電流測量:25°C
滿功率溫度:25°C
電壓, Vces:600V
電流, Icm 脈沖:400A
表面安裝器件:通孔安裝
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无库存 |
10 |
1 |
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VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER - GA200SA60SPBF - 晶體管 IGBT SOT-227 每管10只 |
晶體管類型:IGBT
飽和電壓, Vce sat 最大:1.1V
電壓, Vceo:600V
封裝類型:ISOTOP
上升時間:60ns
下降時間:660ns
功率, Pd:630W
功耗:630W
封裝類型:ISOTOP
晶體管數(shù):1
晶體管極性:N溝道
最大連續(xù)電流, Ic:200A
溫度 @ 電流測量:25°C
滿功率溫度:25°C
電壓, Vces:600V
電流, Icm 脈沖:400A
表面安裝器件:通孔安裝
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无库存 |
10 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - HGTG30N60A4 - 晶體管 IGBT N型 TO-247 每管30 |
晶體管類型:IGBT
集電極直流電流:75A
飽和電壓, Vce sat 最大:2.6V
最大功耗:463W
電壓, Vceo:600V
封裝類型:TO-247
針腳數(shù):3
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
上升時間:12ns
下降時間:38ns
功率, Pd:463W
功耗:463W
封裝類型:TO-247
封裝類型, 替代:SOT-249
總功率, Ptot:463W
晶體管數(shù):1
晶體管極性:N
最大連續(xù)電流, Ic:75A
溫度 @ 電流測量:25°C
滿功率溫度:25°C
電壓, Vces:600V
電流, Icm 脈沖:240A
表面安裝器件:通孔安裝
針腳格式:GCE
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无库存 |
30 |
1 |
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INFINEON - SKW25N120 - 晶體管 IGBT 快速 每管30 |
晶體管類型:IGBT
集電極直流電流:46A
飽和電壓, Vce sat 最大:3.6V
最大功耗:313W
電壓, Vceo:1200V
封裝類型:TO-247AC
針腳數(shù):3
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
上升時間:40ns
下降時間:39ns
功率, Pd:313W
功耗:313W
封裝類型:TO-247AC
總功率, Ptot:313W
晶體管極性:N
最大連續(xù)電流, Ic:46A
溫度 @ 電流測量:25°C
滿功率溫度:25°C
電壓, Vces:1200V
電流, Ic @ Vce飽和:25A
電流, Icm 脈沖:84A
結(jié)溫, Tj 最低:-55°C
結(jié)溫, Tj 最高:150°C
表面安裝器件:通孔安裝
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无库存 |
30 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRGP50B60PD1PBF - 晶體管 IGBT 每管25 |
晶體管類型:IGBT
集電極直流電流:75A
飽和電壓, Vce sat 最大:2.35V
最大功耗:390W
電壓, Vceo:600V
封裝類型:TO-247AC
針腳數(shù):3
上升時間:10ns
功率, Pd:390W
功耗:390W
封裝類型:TO-247AC
晶體管極性:N溝道
最大連續(xù)電流, Ic:75A
電壓, Vces:600V
電流, Icm 脈沖:150A
表面安裝器件:通孔安裝
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无库存 |
25 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - SGH80N60UFDTU - 晶體管 IGBT 每管30 |
晶體??類型:IGBT
飽和電壓, Vce sat 最大:2.6V
電壓, Vceo:600V
封裝類型:TO-3P
針腳數(shù):3
上升時間:50ns
下降時間:50ns
功率, Pd:195W
功耗:195W
封裝類型:TO-3P
總功率, Ptot:195W
晶體管數(shù):1
晶體管極性:N
最大連續(xù)電流, Ic:80A
溫度 @ 電流測量:25°C
滿功率溫度:25°C
電壓, Vces:600V
電流, Icm 脈沖:220A
表面安裝器件:通孔安裝
針腳格式:GCE
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无库存 |
30 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRGB4064DPBF - 晶體管 IGBT 10A 600V TO-220 |
晶體管類型:IGBT
集電極直流電流:20A
飽和電壓, Vce sat 最大:1.6V
最大功耗:101W
電壓, Vceo:600V
封裝類型:TO-220
針腳數(shù):3
上升時間:15ns
功率, Pd:101W
功耗:101W
封裝類型:TO-220
晶體管極性:N Channel
最大連續(xù)電流, Ic:20A
電壓, Vces:600V
電流, Icm 脈沖:40A
表面安裝器件:通孔安裝
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上海 0
新加坡 0
英國58 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRGB4045DPBF - 晶體管 IGBT 6A 600V TO-220 |
晶體管類型:IGBT
集電極直流電流:12A
飽和電壓, Vce sat 最大:1.7V
最大功耗:77mW
電壓, Vceo:600V
封裝類型:TO-220
針腳數(shù):3
上升時間:11ns
功率, Pd:77W
功耗:77W
封裝類型:TO-220
晶體管極性:N Channel
最大連續(xù)電流, Ic:12A
電壓, Vces:600V
電流, Icm 脈沖:20A
表面安裝器件:通孔安裝
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上海 0
新加坡 0
??國61 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - STGY50NC60WD - 晶體管 IGBT N 600V 19A MAX247 |
晶體管類型:IGBT
集電極直流電流:110A
飽和電壓, Vce sat 最大:2.5V
最大??耗:278W
電壓, Vceo:600V
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:Max-247
上升時間:17ns
功率, Pd:260W
功耗:260W
封裝類型:Max-247
晶體管極性:N Channel
最大連續(xù)電流, Ic:65A
電壓, Vces:600V
電流, Icm 脈沖:250A
表面安裝器件:通孔安裝
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无库存 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - STGW40NC60WD - 晶體管 IGBT N 600V 40A TO-247 |
晶體管類型:IGBT
集電極直流電流:70A
飽和電壓, Vce sat 最大:2.5V
最大功耗:250W
電壓, Vceo:600V
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:TO-247
上升時間:12ns
功率, Pd:250W
功耗:250W
封裝類型:TO-247
晶體管極性:N Channel
最大連續(xù)電流, Ic:40A
電壓, Vces:600V
電流, Icm 脈沖:230A
表面安裝器件:通孔安裝
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上海 0
新加坡 0
英國4 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - STGW35NC60WD - 晶體管 IGBT N 600V 40A TO-247 |
晶體管類型:IGBT
集電極直流電流:70A
飽和電壓, Vce sat 最大:2.5V
最大功耗:260W
電壓, Vceo:600V
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:TO-247
上升時間:12ns
功率, Pd:250W
功耗:250W
封裝類型:TO-247
晶體管極性:N Channel
最大連續(xù)電流, Ic:37A
電壓, Vces:600V
電流, Icm 脈沖:100A
表面安裝器件:通孔安裝
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上海 0
新加坡 0
英國30 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - STGW30NC60VD - 晶體管 IGBT N 600V 40A TO-247 |
晶體管類型:IGBT
集電極直流電流:80A
飽和電壓, Vce sat 最大:2.5V
最大功耗:250W
電壓, Vceo:600V
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:TO-247
上升時間:11ns
功率, Pd:250W
功耗:250W
封裝類型:TO-247
晶體管極性:N Channel
最大連續(xù)電流, Ic:40A
電壓, Vces:600V
電流, Icm 脈沖:100A
表面安裝器件:通孔安裝
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上海 0
新加坡 0
英國7 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - STGW30NC120HD - 晶體管 IGBT N 1200V 30A TO-247 |
晶體管類型:IGBT
集電極直流電流:60A
飽和電壓, Vce sat 最大:2.75V
最大功耗:220W
電壓, Vceo:1.2kV
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:TO-247
上升時間:11ns
功率, Pd:220W
功耗:220W
封裝類型:TO-247
晶體管極性:N Channel
最大連續(xù)電流, Ic:30A
電壓, Vces:1200V
電流, Icm 脈沖:135A
表面安裝器件:通孔安裝
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上海 0
新加坡30
英國120 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - STGW19NC60WD - 晶體管 IGBT N 600V 19A TO-247 |
晶體管類型:IGBT
集電極直流電流:42A
飽和電壓, Vce sat 最大:2.5V
最大功耗:125W
電壓, Vceo:600V
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:TO-247
上升時間:7ns
功率, Pd:125W
功耗:125W
封裝類型:TO-247
晶體管極性:N Channel
最大連續(xù)電流, Ic:22A
電壓, Vces:600V
電流, Icm 脈沖:35A
表面安裝器件:通孔安裝
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无库存 |
1 |
1 |
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