| 圖片 |
型號(hào) |
產(chǎn)品描述 |
庫存狀況 |
包裝規(guī)格 |
單位價(jià)格
(不含稅) |
數(shù)量 |
 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - HGTG11N120CND... - 晶體管 IGBT |
晶體管 IGBT
|
无库存 |
1 |
1 |
  |
|
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG4BC40W-LPBF - 晶體管 IGBT |
晶體管 IGBT
|
无库存 |
1 |
1 |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRGB5B120KDPBF - 晶體管 IGBT |
晶體管 IGBT
|
美國 0
上海 0
美國71
新加坡 0 |
1 |
2 |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRGP30B120KD-EP.. - 晶體管 IGBT模塊 |
晶體管 IGBT模塊
|
无库存 |
1 |
1 |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRGP20B120UD-EP. - 晶體管 通孔安裝 |
晶體管 通孔安裝
|
无库存 |
1 |
1 |
|
|
VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER - GA200SA60UP - 晶體管 IGBT 200A |
晶體管 IGBT 200A
|
无库存 |
1 |
1 |
|
 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FGPF30N30DTU - 晶體管 IGBT PDP TO-220F |
晶體管類型:IGBT
飽和電壓, Vce sat 最大:1.8V
封裝類型:TO-220F
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
功耗:46W
封裝類型:TO-220F
晶體管極性:N
最大連續(xù)電流, Ic:30A
電壓, Vces:300V
表面安裝器件:通孔安裝
|
上海 0
新加坡 0
英國76 |
1 |
1 |
|
 |
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRGP4063DPBF - 晶體管 溝槽式IGBT 600V 超快軟恢復(fù) |
晶體管類型:IGBT
集電極直流電流:96A
飽和電壓, Vce sat 最大:2.14V
最大功耗:330W
電壓, Vceo:600V
封裝類型:TO-247AC
針腳數(shù):3
上升時(shí)間:56ns
下降時(shí)間:46ns
下降時(shí)間典型值:35ns
功率, Pd:330W
功耗:330W
封裝類型:TO-247AC
晶體管極性:N Channel
最大連續(xù)電流, Ic:96A
溫度 @ 電流測(cè)量:25°C
滿功率溫度:25°C
熱阻, 結(jié)至外殼 A:0.45°C/W
電壓, Vces:600V
電流, Icm 脈沖:192A
結(jié)溫, Tj 最低:-55°C
結(jié)溫, Tj 最高:175°C
表面安裝器件:通孔安裝
針腳配置:G(1), C(2), E(3)
飽和電壓 Vce sat 典型值:1.65V
|
无库存 |
1 |
1 |
|
 |
INFINEON - IKP06N60T - 晶體管 IGBT N 600V 6A TO-220 |
晶體管類型:IGBT
飽和電壓, Vce sat 最大:2.05V
電壓, Vceo:600V
封裝類型:TO-220
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
功耗:88W
封裝類型:TO-220
晶體管數(shù):1
晶體管極性:N
最大連續(xù)電流, Ic:6A
電壓, Vces:600V
表面安裝器件:通孔安裝
|
无库存 |
1 |
1 |
|
 |
INFINEON - IKP04N60T - 晶體管 IGBT N 600V 4A TO-220 |
晶體管類型:IGBT
飽和電壓, Vce sat 最大:2.05V
電壓, Vceo:600V
封裝類型:TO-220
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
功耗:42W
封裝類型:TO-220
晶體管數(shù):1
晶體管極性:N
最大連續(xù)電流, Ic:4A
電壓, Vces:600V
表面安裝器件:通孔安裝
|
上海 0
新加坡 0
英國128 |
1 |
1 |
|
 |
INFINEON - IKA15N60T - 晶體管 IGBT N 600V 15A TO-220 |
晶體管類型:IGBT
飽和電壓, Vce sat 最大:2.05V
電壓, Vceo:600V
封裝類型:TO-220
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
功耗:35.7W
封裝類型:TO-220
晶體管數(shù):1
晶體管極性:N
最大連續(xù)電流, Ic:15A
電壓, Vces:600V
表面安裝器件:通孔安裝
|
无库存 |
1 |
1 |
|
 |
INFINEON - IKA10N60T - 晶體管 IGBT N 600V 10A TO-220 |
晶體管類型:IGBT
飽和電壓, Vce sat 最大:2.05V
電壓, Vceo:600V
封裝類型:TO-220
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
功耗:30W
封裝類型:TO-220
晶體管數(shù):1
晶體管極性:N
最大連續(xù)電流, Ic:10A
電壓, Vces:600V
表面安裝器件:通孔安裝
|
无库存 |
1 |
1 |
|
 |
INFINEON - IKA06N60T - 晶體管 IGBT N 600V 6.2A TO-220 |
晶體管類型:IGBT
飽和電壓, Vce sat 最大:2.05V
電壓, Vceo:600V
封裝類型:TO-220
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
功耗:28W
封裝類型:TO-220
晶體管數(shù):1
晶體管極性:N
最大連續(xù)電流, Ic:6.2A
電壓, Vces:600V
表面安裝器件:通孔安裝
|
无库存 |
1 |
1 |
|
 |
INFINEON - IGP01N120H2 - 晶體管 IGBT N型 1.3A 1200V TO-220 |
晶體管類型:IGBT
集電極直流電流:3.2A
飽和電壓, Vce sat 最大:2.8V
最大功耗:28W
電壓, Vceo:1200V
工作溫度范圍:-40°C to +150°C
封裝類型:TO-220
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
功耗:28W
封裝類型:TO-220
晶體管數(shù):1
晶體管極性:N Channel
最大連續(xù)電流, Ic:1.3A
電壓, Vces:1200V
表面安裝器件:通孔安裝
|
停产 |
1 |
1 |
|
 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - HGTG40N60B3 - 晶體管 IGBT N溝道 600V TO-247 |
晶體管類型:IGBT
集電極直流電流:70A
飽和電壓, Vce sat 最大:2V
最大功耗:290W
電壓, Vceo:600V
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:TO-247
針腳數(shù):3
功耗:290W
封裝類型:TO-247
晶體管極性:N Channel
最大連續(xù)電流, Ic:70A
電壓, Vces:600V
表面安裝器件:通孔安裝
|
上海 0
新加坡 0
英國57 |
1 |
1 |
|
| 共 18 頁 | 第 4 頁 | 首頁 上一頁 下一頁 尾頁 |
