| 圖片 |
型號 |
產(chǎn)品描述 |
庫存狀況 |
包裝規(guī)格 |
單位價格
(不含稅) |
數(shù)量 |
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SEMIKRON - SK 25GB065 - 晶體管 IGBT模塊 N通道 |
晶體管 IGBT模塊 N通道
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无库存 |
1 |
3 |
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SEMIKRON - SK 10GD123 - 晶體管 IGBT模塊 N通道 |
晶體管 IGBT模塊 N通道
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无库存 |
1 |
3 |
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SEMIKRON - SK 9GD065 - 晶體管 IGBT模塊 |
晶體管 IGBT模塊
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无库存 |
1 |
3 |
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VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER - CPV362M4UPBF - 絕緣金屬物質(zhì)功率模塊 |
絕緣金屬物質(zhì)功率模塊
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美國 0
上海 0
美國604
新加坡 0 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SKM 75GD123D - 晶體管 IGBT模塊 |
晶體管 IGBT模塊
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无库存 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SKM 500GA123D - 晶體管 IGBT模塊 |
晶體管 IGBT模塊
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无库存 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SKM 300GAR123D - 晶體管 IGBT模塊 |
晶體管 IGBT模塊
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无库存 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SKM 300GAL123D.. - 晶體管 IGBT模塊 Vceo:1200V Case 3 |
晶體管 IGBT模塊 Vceo:1200V Case 3
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无库存 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SKM100GB173D - 晶體管 IGBT模塊 Vceo:1700V Case 2 |
晶體管 IGBT模塊 Vceo:1700V Case 2
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无库存 |
1 |
8 |
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SEMIKRON - SKM 200GB173D - 晶體管 IGBT模塊 Vceo:1700V Case 3 |
晶體管 IGBT模塊 Vceo:1700V Case 3
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无库存 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SKM 400GA123D - 晶體管 IGBT模塊 N溝道l Vceo:1.6V Case 4 |
晶體管 IGBT模塊 N溝道l Vceo:1.6V Case 4
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无库存 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SKM 200GB128D - 雙IGBT模塊 300A 1200V SPT |
晶體管極性:N
集電極直流電流:285A
飽和電壓, Vce sat 最大:2.4V
電壓, Vceo:1200V
封裝類型:SEMITRANS 3
針腳數(shù):7
外寬:106.4mm
外部深度:61.4mm
外部長度/高度:30.5mm
封裝類型:SEMITRANS 3
晶體管數(shù):2
晶體管類型:IGBT Module
表面安裝器件:螺絲安裝
上升時間:55ns
下降時間:40ns
安裝孔中心距:93mm
安裝孔直徑:6.4mm
最大連續(xù)電流, Ic:310A
溫度 @ 電流測量:25°C
電壓, Vces:1200V
電流, Icm 脈沖:620A
集電極電流, Ic 平均值:310A
集電極連續(xù)電流, Ic 最大值:220A
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停产 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SKM 150GB128D - 雙IGBT模塊 200A 1200V SPT |
晶體管極性:N
飽和電壓, Vce sat 最大:2.35V
電壓, Vceo:1200V
封裝類型:SEMITRANS 3
外寬:106.4mm
外部深度:61.4mm
外部長度/高度:30.5mm
封裝類型:SEMITRANS 3
晶體管數(shù):2
晶體管類型:IGBT Module
表面安裝器件:螺絲安裝
上升時間:40ns
下降時間:65ns
安裝孔中心距:93mm
安裝孔直徑:6.4mm
最大連續(xù)電流, Ic:200A
溫度 @ 電流測量:25°C
電壓, Vces:1200V
集電極電流, Ic 平均值:200A
集電極連續(xù)電流, Ic 最大值:140A
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停产 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SKM 100GB128D - 雙IGBT模塊145A 1200V SPT |
晶體管極性:N
飽和電壓, Vce sat 最大:2.35V
電壓, Vceo:1200V
封裝類型:SEMITRANS 2
外寬:94mm
外部深度:30.5mm
外部長度/高度:26mm
封裝類型:SEMITRANS 2
晶體管數(shù):2
晶體管類型:IGBT Module
表面安裝器件:螺絲安裝
上升時間:38ns
下降時間:65ns
安裝孔中心距:80mm
最大連續(xù)電流, Ic:145A
溫度 @ 電流測量:25°C
電壓, Vces:1200V
集電極電流, Ic 平均值:145A
集電極連續(xù)電流, Ic 最大值:105A
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停产 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SKM 75GB128D - 雙IGBT模塊 100A 1200V SPT |
晶體管極性:N Channel
飽???電壓, Vce sat 最大:1.15V
電壓, Vceo:1200V
封裝類型:SEMITRANS 2
外寬:94mm
外部深度:30.5mm
外部長度/高度:26mm
封裝類型:SEMITRANS 2
晶體管數(shù):2
晶體管類型:IGBT Module
表面安裝器件:螺絲安裝
上升時間:35ns
下降時間:65ns
安裝孔中心距:80mm
最大連續(xù)電流, Ic:100A
溫度 @ 電流測量:25°C
電壓, Vces:1200V
集電極電流, Ic 平均值:100A
集電極連續(xù)電流, Ic 最大值:70A
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停产 |
1 |
1 |
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