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晶體管 IGBT模塊 Vceo

  • 1700V Case 2
  • 1200V SEMITRANS 4
  • 1200V D56 150A
  • 600V 75A
  • 1200V D67 22A
  • 1200V Case 2
  • 1700V Case 3
  • 1200V Case 3

最大功耗

  • 658W
  • 92W
  • 1.25kW
  • 431W
  • 1.5kW
  • 400W
  • 310W
  • 700W
  • 50W
  • 625W
  • 1.385kW
  • 1.4kW
  • 35W
  • 139W
  • 1.45kW
  • 2.08kW
  • 600W
  • 75W
  • 40W
  • 200W
  • 255W
  • 460W
  • 680W
  • 63W
  • 350W
  • 1.04kW
  • 43W
  • 780W
  • 2.045kW
  • 1.47kW
  • 250W
  • 80W
  • 240W
  • 690W

最大連續(xù)電流, Ic

  • 220A
  • 70A
  • 58A
  • 530A
  • 470A
  • 430A
  • 30A
  • 370A
  • 240A
  • 22A
  • 100A
  • 650A
  • 60A
  • 106A
  • 450A
  • 360A
  • 400A
  • 23A
  • 790A
  • 270A
  • 260A
  • 120A
  • 55A
  • 17A
  • 700A
  • 490A
  • 375A
  • 125A
  • 40A
  • 130A
  • 275A
  • 81A
  • 8A
  • 68A
  • 12A
  • 150A
  • 10A
  • 16A
  • 380A
  • 730A
  • 25A
  • 24A
  • 690A
  • 11A
  • 310A
  • 45A
  • 105A
  • 340A
  • 20A
  • 54A
  • 174A
  • 15A
  • 200A
  • 96A
  • 145A
  • 480A
  • 114A
  • 75A
  • 300A
  • 50A
  • 250A
  • 660A

總功率, Ptot

  • 200W
  • 350W
  • 270W
  • 100W

重量

  • 0.4kg
  • 0.18kg

針腳數(shù)

  • 5
  • 27
  • 7
  • 11
  • 29
  • 17
  • 25
  • 17
  • 11
  • 22
  • 13
  • 28
  • 8
  • 7

下降時(shí)間

  • 350ns
  • 90ns
  • 0.03μs
  • 450ns
  • 3500ns
  • 88ns
  • 91ns
  • 480ns
  • 5.6ns
  • 50ns
  • 120ns
  • 0.04μs
  • 250ns
  • 100ns
  • 40ns
  • 0.13μs
  • 48ns
  • 65ns
  • 410ns
  • 300ns
  • 3600ns

溫度 @ 電流測量

  • 80°C
  • 65°C
  • 25°C

外寬

  • 137.8mm
  • 108mm
  • 149.5mm
  • 116.5mm
  • 105mm
  • 92mm
  • 106.4mm
  • 55mm
  • 90mm
  • 64mm
  • 107mm
  • 94mm
  • 162mm
  • 40.5mm
  • 31mm
  • 70mm

外部深度

  • 46mm
  • 62mm
  • 34mm
  • 93mm

外部深度

  • 24mm
  • 28mm
  • 61.4mm
  • 30.5mm
  • 35mm
  • 45mm
  • 61.7mm
  • 61.6mm
  • 150mm
  • 31mm

外部長度/高度

  • 30.5mm
  • 26mm
  • 18mm
  • 20mm
  • 16mm

上升時(shí)間

  • 128ns
  • 1200ns
  • 40ns
  • 55ns
  • 340ns
  • 60ns
  • 49ns
  • 33ns
  • 105ns
  • 270ns
  • 75ns
  • 600ns
  • 90ns
  • 30ns
  • 150ns
  • 26ns
  • 12ns
  • 48ns
  • 35ns
  • 80ns
  • 36ns
  • 65ns
  • 140ns
  • 78ns
  • 160ns
  • 125ns
  • 25ns
  • 500ns
  • 390ns
  • 95ns
  • 130ns
  • 350ns
  • 0.05μs
  • 28ns
  • 13ns
  • 38ns
  • 110ns
  • 400ns
  • 20ns
  • 100ns
  • 145ns
  • 0.09μs
  • 77ns
  • 5.6ns
  • 50ns
  • 320ns
  • 568ns
  • 45ns
  • 39ns

模塊配置

  • Three Phase Inverter
  • Single with Diode
  • 串聯(lián) 晶閘管 + 二極管
  • 1 Pair Series Connection

結(jié)溫, Tj 最高

  • 150°C
  • 175°C

晶體管極性

  • N Channel
  • PT
  • N
  • Trench
  • NPT
  • NPN
  • N溝道
  • N 通道

晶體管類型

  • IGBT Module
  • 3-Phase Bridge + NTC Thermistor
  • 1 Phase Bridge Rectifier + 3 Phase Bridge Invertor
  • IGBT Dual SPT
  • IGBT + freewheel diode
  • 3-Ph Rectifier + Brake Chopper + Invertor
  • Dual Trench IGBT
  • 3 Phase Controlled Bridge (IGBT) - NPT
  • IGBT模塊
  • IGBT - Soft Punch Through
  • PowerMESH
  • IGBT
  • Smart Power Module
  • IGBT Module (3 Phase Bridge + Brake Chopper + 3 Phase Invertor)
  • 3-Phase Bridge Rectifier + Brake Chopper + 3 Phase Bridge Inverter

晶體管數(shù)

  • 4
  • 1
  • 2
  • 6

集電極電流, Ic 平均值

  • 120A
  • 24A
  • 20A
  • 650A
  • 470A
  • 490A
  • 58A
  • 340A
  • 240A
  • 430A
  • 480A
  • 690A
  • 700A
  • 100A
  • 790A
  • 660A
  • 380A
  • 11A
  • 45A
  • 530A
  • 130A
  • 275A
  • 60A
  • 260A
  • 220A
  • 16A
  • 430A
  • 70A
  • 81A
  • 40A
  • 145A
  • 650A
  • 200A
  • 30A
  • 450A
  • 270A
  • 730A
  • 300A
  • 480A
  • 23A
  • 370A
  • 15A
  • 700A
  • 125A
  • 35A
  • 22A
  • 370A
  • 54A
  • 360A
  • 470A
  • 310A
  • 300A

集電極連續(xù)電流, Ic 最大值

  • 11A
  • 33A
  • 50A
  • 140A
  • 480A
  • 290A
  • 340A
  • 100A
  • 190A
  • 490A
  • 85A
  • 270A
  • 57A
  • 14A
  • 32A
  • 27A
  • 330A
  • 17A
  • 170A
  • 25A
  • 220A
  • 105A
  • 180A
  • 15A
  • 520A
  • 240A
  • 11A
  • 40A
  • 160A
  • 460A
  • 265A
  • 210A
  • 21A
  • 90A
  • 260A
  • 70A
  • 310A
  • 8A
圖片 型號(hào) 產(chǎn)品描述 庫存狀況 包裝規(guī)格 單位價(jià)格
(不含稅)		 數(shù)量
SEMIKRON - SEMIX 653GB176HDS - 雙IGBT模塊 1700V SEMIKRON - SEMIX 653GB176HDS - 雙IGBT模塊 1700V
  • 晶體管極性:N
  • 飽和電壓, Vce sat 最大:2.45V
  • 電壓, Vceo:1700V
  • 封裝類型:SEMiX 3
  • 外寬:149.5mm
  • 外部深度:61.6mm
  • 封裝類型:SEMiX 3
  • 晶體管數(shù):4
  • 晶體管類型:IGBT
  • SMD標(biāo)號(hào):SEMiX3
  • 上升時(shí)間:90ns
  • 安裝孔中心距:137mm
  • 安裝孔直徑:5.5mm
  • 最大連續(xù)電流, Ic:650A
  • 溫度 @ 電流測量:25°C
  • 電壓:1700V
  • 電壓, Vces:1700V
  • 電流, Icm 脈沖:650A
  • 集電極電流, Ic 平均值:650A
  • 集電極連續(xù)電流, Ic 最大值:460A
    		• 无库存 1 1 詢價(jià),無需注冊 訂購
    SEMIKRON - SEMIX 452GB176HDS - 雙IGBT模塊 1700V SEMIKRON - SEMIX 452GB176HDS - 雙IGBT模塊 1700V
  • 晶體管極性:N
  • 飽和電壓, Vce sat 最大:2.45V
  • 電壓, Vceo:1700V
  • 封裝類型:SEMiX 2
  • 外寬:116.5mm
  • 外部深度:61.6mm
  • 封裝類型:SEMiX 2
  • 晶體管數(shù):2
  • 晶體管類型:IGBT
  • SMD標(biāo)號(hào):SEMiX2
  • 上升時(shí)間:105ns
  • 安裝孔中心距:77mm
  • 安裝孔直徑:5.5mm
  • 最大連續(xù)電流, Ic:450A
  • 溫度 @ 電流測量:25°C
  • 電壓:1700V
  • 電壓, Vces:1700V
  • 電流, Icm 脈沖:450A
  • 集電極電流, Ic 平均值:450A
  • 集電極連續(xù)電流, Ic 最大值:290A
    		• 无库存 1 1 詢價(jià),無需注冊 訂購
    SEMIKRON - SEMIX 703GB126HDS - 雙IGBT模塊 1200V SEMIKRON - SEMIX 703GB126HDS - 雙IGBT模塊 1200V
  • 晶體管極性:N
  • 集電極直流電流:642A
  • 飽和電壓, Vce sat 最大:2.15V
  • 電壓, Vceo:1200V
  • 封裝類型:SEMiX 2
  • 針腳數(shù):7
  • 外寬:149.5mm
  • 外部深度:61.6mm
  • 封裝類型:SEMiX 2
  • 晶體管數(shù):4
  • 晶體管類型:IGBT
  • SMD標(biāo)號(hào):SEMiX3
  • 上升時(shí)間:60ns
  • 安裝孔中心距:137mm
  • 安裝孔直徑:5.5mm
  • 最大連續(xù)電流, Ic:700A
  • 溫度 @ 電流測量:25°C
  • 電壓:1200V
  • 電壓, Vces:1200V
  • 電流, Icm 脈沖:700A
  • 集電極電流, Ic 平均值:700A
  • 集電極連續(xù)電流, Ic 最大值:490A
    		• 无库存 1 1 詢價(jià),無需注冊 訂購
    SEMIKRON - SEMIX 503GB126HDS - 雙IGBT模塊 1200V SEMIKRON - SEMIX 503GB126HDS - 雙IGBT模塊 1200V
  • 晶體管極性:N
  • 飽和電壓, Vce sat 最大:2.15V
  • 電壓, Vceo:1200V
  • 封裝類型:SEMiX 3
  • 外寬:149.5mm
  • 外部深度:61.6mm
  • 封裝類型:SEMiX 3
  • 晶體管數(shù):2
  • 晶體管類型:IGBT
  • SMD標(biāo)號(hào):SEMiX3
  • 上升時(shí)間:55ns
  • 安裝孔中心距:137mm
  • 安裝孔直徑:5.5mm
  • 最大連續(xù)電流, Ic:480A
  • 溫度 @ 電流測量:25°C
  • 電壓:1200V
  • 電壓, Vces:1200V
  • 電流, Icm 脈沖:480A
  • 集電極電流, Ic 平均值:480A
  • 集電極連續(xù)電流, Ic 最大值:330A
    		• 无库存 1 1 詢價(jià),無需注冊 訂購
    SEMIKRON - SEMIX 352GB128DS - 雙IGBT模塊 1200V SPT SEMIKRON - SEMIX 352GB128DS - 雙IGBT模塊 1200V SPT
  • 晶體管極性:N
  • 飽和電壓, Vce sat 最大:2.35V
  • 電壓, Vceo:1200V
  • 封裝類型:SEMiX 2
  • 外寬:116.5mm
  • 外部深度:61.6mm
  • 封裝類型:SEMiX 2
  • 晶體管數(shù):2
  • 晶體管類型:IGBT
  • SMD標(biāo)號(hào):SEMiX2
  • 上升時(shí)間:55ns
  • 安裝孔中心距:77mm
  • 安裝孔直徑:5.5mm
  • 最大連續(xù)電流, Ic:370A
  • 溫度 @ 電流測量:25°C
  • 電壓:1200V
  • 電壓, Vces:1200V
  • 電流, Icm 脈沖:370A
  • 集電極電流, Ic 平均值:370A
  • 集電極連續(xù)電流, Ic 最大值:260A
    		• 无库存 1 1 詢價(jià),無需注冊 訂購
    SEMIKRON - SEMIX 452GB126HDS - 雙IGBT模塊 1200V SEMIKRON - SEMIX 452GB126HDS - 雙IGBT模塊 1200V
  • 晶體管極性:N
  • 飽和電壓, Vce sat 最大:2.15V
  • 電壓, Vceo:1200V
  • 封裝類型:SEMiX 2
  • 外寬:116.5mm
  • 外部深度:61.6mm
  • 封裝類型:SEMiX 2
  • 晶體管數(shù):4
  • 晶體管類型:IGBT
  • SMD標(biāo)號(hào):SEMiX2
  • 上升時(shí)間:65ns
  • 安裝孔中心距:77mm
  • 安裝孔直徑:5.5mm
  • 最大連續(xù)電流, Ic:470A
  • 溫度 @ 電流測量:25°C
  • 電壓:1200V
  • 電壓, Vces:1200V
  • 電流, Icm 脈沖:470A
  • 集電極電流, Ic 平均值:470A
  • 集電極連續(xù)電流, Ic 最大值:330A
    		• 无库存 1 1 詢價(jià),無需注冊 訂購
    SEMIKRON - SEMIX 302GB126HDS - 雙IGBT模塊 1200V SEMIKRON - SEMIX 302GB126HDS - 雙IGBT模塊 1200V
  • 晶體管極性:N
  • 飽和電壓, Vce sat 最大:2.15V
  • 電壓, Vceo:1200V
  • 封裝類型:SEMiX 2
  • 外寬:116.5mm
  • 外部深度:61.6mm
  • 封裝類型:SEMiX 2
  • 晶體管數(shù):2
  • 晶體管類型:IGBT
  • SMD標(biāo)號(hào):SEMiX2
  • 上升時(shí)間:50ns
  • 安裝孔中心距:77mm
  • 安裝孔直徑:5.5mm
  • 最大連續(xù)電流, Ic:300A
  • 溫度 @ 電流測量:25°C
  • 電壓:1200V
  • 電壓, Vces:1200V
  • 電流, Icm 脈沖:300A
  • 集電極電流, Ic 平均值:300A
  • 集電極連續(xù)電流, Ic 最大值:210A
    		• 无库存 1 1 詢價(jià),無需注冊 訂購
    SEMIKRON - SEMIX 252GB126HDS - 雙IGBT模塊 1200V SEMIKRON - SEMIX 252GB126HDS - 雙IGBT模塊 1200V
  • 晶體管極性:N
  • 飽和電壓, Vce sat 最大:2.15V
  • 電壓, Vceo:1200V
  • 封裝類型:SEMiX 2
  • 外寬:116.5mm
  • 外部深度:61.6mm
  • 封裝類型:SEMiX 2
  • 晶體管數(shù):2
  • 晶體管類型:IGBT
  • SMD標(biāo)號(hào):SEMiX2
  • 上升時(shí)間:45ns
  • 安裝孔中心距:77mm
  • 安裝孔直徑:5.5mm
  • 最大連續(xù)電流, Ic:240A
  • 溫度 @ 電流測量:25°C
  • 電壓:1200V
  • 電壓, Vces:1200V
  • 電流, Icm 脈沖:240A
  • 集電極電流, Ic 平均值:240A
  • 集電極連續(xù)電流, Ic 最大值:170A
    		• 无库存 1 1 詢價(jià),無需注冊 訂購
    SEMIKRON - SEMIX 603GB066HDS - 雙IGBT模塊 600V SEMIKRON - SEMIX 603GB066HDS - 雙IGBT模塊 600V
  • 晶體管極性:N
  • 飽和電壓, Vce sat 最大:1.9V
  • 電壓, Vceo:600V
  • 封裝類型:SEMiX 3
  • 外寬:149.5mm
  • 外部深度:61.6mm
  • 封裝類型:SEMiX 3
  • 晶體管數(shù):2
  • 晶體管類型:IGBT
  • SMD標(biāo)號(hào):SEMiX3
  • 上升時(shí)間:145ns
  • 功率, Pd:40W
  • 安裝孔中心距:137mm
  • 安裝孔直徑:5.5mm
  • 最大連續(xù)電流, Ic:730A
  • 溫度 @ 電流測量:25°C
  • 電壓:600V
  • 電壓, Vces:600V
  • 電流, Icm 脈沖:1200A
  • 集電極電流, Ic 平均值:730A
  • 集電極連續(xù)電流, Ic 最大值:520A
    		• 无库存 1 1 詢價(jià),無需注冊 訂購
    SEMIKRON - SEMIX 402GB066HDS - 雙IGBT模塊 600V SEMIKRON - SEMIX 402GB066HDS - 雙IGBT模塊 600V
  • 晶體管極性:N
  • 飽和電壓, Vce sat 最大:1.9V
  • 電壓, Vceo:600V
  • 封裝類型:SEMiX 2
  • 外寬:116.5mm
  • 外部深度:61.6mm
  • 封裝類型:SEMiX 2
  • 晶體管數(shù):2
  • 晶體管類型:IGBT
  • SMD標(biāo)號(hào):SEMiX2
  • 功率, Pd:45W
  • 安裝孔中心距:77mm
  • 安裝孔直徑:5.5mm
  • 最大連續(xù)電流, Ic:490A
  • 溫度 @ 電流測量:25°C
  • 電壓:600V
  • 電壓, Vces:600V
  • 電流, Icm 脈沖:800A
  • 集電極電流, Ic 平均值:490A
  • 集電極連續(xù)電流, Ic 最大值:340A
    		• 无库存 1 1 詢價(jià),無需注冊 訂購
    SEMIKRON - SEMIX 202GB066HDS - 雙IGBT模塊 600V SEMIKRON - SEMIX 202GB066HDS - 雙IGBT模塊 600V
  • 晶體管極性:N
  • 飽和電壓, Vce sat 最大:1.9V
  • 電壓, Vceo:600V
  • 封裝類型:SEMiX 2
  • 外寬:116.5mm
  • 外部深度:61.6mm
  • 封裝類型:SEMiX 2
  • 晶體管數(shù):2
  • 晶體管類型:IGBT
  • SMD標(biāo)號(hào):SEMiX2
  • 上升時(shí)間:78ns
  • 功率, Pd:45W
  • 安裝孔中心距:77mm
  • 安裝孔直徑:5.5mm
  • 最大連續(xù)電流, Ic:240A
  • 溫度 @ 電流測量:25°C
  • 電壓:600V
  • 電壓, Vces:600V
  • 電流, Icm 脈沖:400A
  • 集電極電流, Ic 平均值:240A
  • 集電極連續(xù)電流, Ic 最大值:270A
    		• 无库存 1 1 詢價(jià),無需注冊 訂購
    SEMIKRON - SKM150GB128D - 晶體管 IGBT模塊 2X1200V SEMIKRON - SKM150GB128D - 晶體管 IGBT模塊 2X1200V
  • 晶體管極性:N
  • 飽和電壓, Vce sat 最大:2.35V
  • 電壓, Vceo:1200V
  • 封裝類型:SEMITRANS 2
  • 外寬:94mm
  • 外部深度:30.5mm
  • 外部長度/高度:26mm
  • 封裝類型:SEMITRANS 2
  • 晶體管數(shù):2
  • 晶體管類型:IGBT Dual SPT
  • 上升時(shí)間:40ns
  • 下降時(shí)間:65ns
  • 安裝孔中心距:80mm
  • 最大連續(xù)電流, Ic:200A
  • 溫度 @ 電流測量:25°C
  • 電壓, Vces:1200V
  • 集電極電流, Ic 平均值:200A
  • 集電極連續(xù)電流, Ic 最大值:140A
    		• 无库存 1 1 詢價(jià),無需注冊 訂購
    SEMIKRON - SKM100GB128D - 晶體管 IGBT模塊 2X1200V SEMIKRON - SKM100GB128D - 晶體管 IGBT模塊 2X1200V
  • 晶體管極性:N
  • 飽和電壓, Vce sat 最大:2.35V
  • 電壓, Vceo:1200V
  • 封裝類型:SEMITRANS 2
  • 外寬:94mm
  • 外部深度:30.5mm
  • 外部長度/高度:26mm
  • 封裝類型:SEMITRANS 2
  • 晶體管數(shù):2
  • 晶體管類型:IGBT - Soft Punch Through
  • 上升時(shí)間:38ns
  • 下降時(shí)間:65ns
  • 安裝孔中心距:80mm
  • 最大連續(xù)電流, Ic:145A
  • 溫度 @ 電流測量:25°C
  • 電壓, Vces:1200V
  • 集電極電流, Ic 平均值:145A
  • 集電極連續(xù)電流, Ic 最大值:105A
    		• 无库存 1 1 詢價(jià),無需注冊 訂購
    SEMIKRON - SKM75GB128D - 晶體管 IGBT模塊 2X1200V SEMIKRON - SKM75GB128D - 晶體管 IGBT模塊 2X1200V
  • 晶體管極性:N
  • 飽和電壓, Vce sat 最大:1.15V
  • 電壓, Vceo:1200V
  • 封裝類型:SEMITRANS 2
  • 外寬:94mm
  • 外部深度:30.5mm
  • 外部長度/高度:26mm
  • 封裝類型:SEMITRANS 2
  • 晶體管數(shù):2
  • 晶體管類型:IGBT - Soft Punch Through
  • 上升時(shí)間:35ns
  • 下降時(shí)間:65ns
  • 安裝孔中心距:80mm
  • 最大連續(xù)電流, Ic:100A
  • 溫度 @ 電流測量:25°C
  • 電壓, Vces:1200V
  • 集電極電流, Ic 平均值:100A
  • 集電極連續(xù)電流, Ic 最大值:70A
    		• 停产 1 1 詢價(jià),無需注冊 訂購
    SEMIKRON - SEMIX703GB126HDS - 晶體管 IGBT模塊 2X1200V SEMIKRON - SEMIX703GB126HDS - 晶體管 IGBT模塊 2X1200V
  • 集電極直流電流:642A
  • 飽和電???, Vce sat 最大:2.15V
  • 電壓, Vceo:1.2V
  • 封裝類型:SEMiX 3s
  • 針腳數(shù):7
  • 封裝類型:SEMiX 3s
  • 晶體管類型:Dual Trench IGBT
  • 上升時(shí)間:60ns
  • 最大連續(xù)電流, Ic:700A
  • 電壓, Vrrm:1200V
  • 電流, Icm 脈沖:900A
  • 電流, Ifs 最大:2900A
  • 集電極電流, Ic 平均值:700A
    		• 无库存 1 1 詢價(jià),無需注冊 訂購
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