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型號 |
產(chǎn)品描述 |
庫存狀況 |
包裝規(guī)格 |
單位價格
(不含稅) |
數(shù)量 |
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SEMIKRON - SEMIX 503GD126HDC - 晶體管 IGBT模塊 6晶體管 1200V |
晶體管極性:N
集電極直流電流:490A
飽和電壓, Vce sat 最大:2.15V
電壓, Vceo:1200V
封裝類型:SEMiX 33c
外寬:162mm
外部深度:150mm
封裝類型:SEMiX 33c
晶體管數(shù):6
晶體管類型:IGBT
SMD標號:SEMiX 33c
上升時間:55ns
安裝孔中心距:50mm
安裝孔直徑:5.5mm
最大連續(xù)電流, Ic:480A
溫度 @ 電流測量:25°C
電壓:1200V
電壓, Vces:1200V
電流, Icm 脈沖:480A
集電極電流, Ic 平均值:480A
集電極連續(xù)電流, Ic 最大值:330A
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无库存 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SEMIX 353GD126HDC - 晶體管 IGBT模塊 6晶體管 1200V |
晶體管極性:N
飽和電壓, Vce sat 最大:2.1V
電壓, Vceo:1200V
封裝類型:SEMiX 33c
外寬:162mm
外部深度:150mm
封裝類型:SEMiX 33c
晶體管數(shù):6
晶體管類型:IGBT
SMD標號:SEMiX 33c
上升時間:55ns
安裝孔中心距:50mm
安裝孔直徑:5.5mm
最大連續(xù)電流, Ic:360A
溫度 @ 電流測量:25°C
電壓:1200V
電壓, Vces:1200V
電流, Icm 脈沖:360A
集電極電流, Ic 平均值:360A
集電極連續(xù)電流, Ic 最大值:260A
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无库存 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SEMIX 251GD126HDS - 晶體管 IGBT模塊 6晶體管 1200V |
晶體管極性:N
飽和電壓, Vce sat 最大:2.15V
電壓, Vceo:1200V
封裝類型:SEMiX 13s
外寬:137.8mm
外部深度:61.7mm
封裝類型:SEMiX 13s
晶體管數(shù):6
晶體管類型:IGBT
表面安裝器件:螺絲安裝
SMD標號:SEMiX13s
上升時間:40ns
安裝孔中心距:50mm
安裝孔直徑:5.4mm
最大連續(xù)電流, Ic:240A
溫度 @ 電流測量:25°C
電壓:1200V
電壓, Vces:1200V
電流, Icm 脈沖:240A
集電極電流, Ic 平均值:240A
集電極連續(xù)電流, Ic 最大值:170A
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无库存 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SEMIX 503GB126HD - 晶體管 IGBT模塊 雙晶體管 1200V |
晶體管極性:N
集電極直流電流:490A
飽和電壓, Vce sat 最大:2.15V
電壓, Vceo:1200V
封裝類型:SEMiX 3
外寬:149.5mm
外部深度:61.6mm
封裝類型:SEMiX 3
晶體管數(shù):2
晶體管類型:IGBT
SMD標號:SEMiX3
上升時間:55ns
安裝孔中心距:137mm
安裝孔直徑:5.5mm
最大連續(xù)電流, Ic:480A
溫度 @ 電流測量:25°C
電壓:1200V
電壓, Vces:1200V
電流, Icm 脈沖:480A
集電極電流, Ic 平均值:480A
集電極連續(xù)電流, Ic 最大值:330A
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停产 |
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1 |
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SEMIKRON - SEMIX 101GD066HDS - 晶體管 IGBT模塊 6晶體管 600V |
晶體管極性:N
飽和電壓, Vce sat 最大:1.9V
電壓, Vceo:600V
封裝類型:SEMiX 13s
外寬:137.8mm
外部深度:61.7mm
封裝類型:SEMiX 13s
晶體管數(shù):6
晶體管類型:IGBT
SMD標號:SEMiX13s
上升時間:36ns
安裝孔中心距:50mm
安裝孔直徑:5.4mm
最大連續(xù)電流, Ic:120A
溫度 @ 電流測量:25°C
電壓:600V
電壓, Vces:600V
電流, Icm 脈沖:120A
集電極電流, Ic 平均值:120A
集電極連續(xù)電流, Ic 最大值:90A
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无库存 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SK15DGDL126ET - 電力控制模塊 3相 1200V |
飽和電壓, Vce sat 最大:2.1V
電壓, Vceo:1200V
封裝類型:SEMITOP 3
封裝類型:SEMITOP 3
晶體管類型:3-Phase Bridge Rectifier + Brake Chopper + 3 Phase Bridge Inverter
表面安裝器件:螺絲安裝
上升時間:25ns
最大連續(xù)電流, Ic:22A
電壓, Vces:1200V
電流, Icm 脈沖:44A
飽和電壓 Vce sat 典型值:1.7V
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无库存 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SK15GD126 - 晶體管 IGBT模塊 6晶體管 1200V |
晶體管極性:N
飽和電壓, Vce sat 最大:2.1V
電壓, Vceo:1200V
封裝類型:SEMITOP 2
外寬:40.5mm
外部深度:28mm
封裝類型:SEMITOP 2
晶體管數(shù):6
晶體管類型:IGBT
SMD標號:SEMITOP2
上升時間:20ns
功率, Pd:1600W
安裝孔中心距:38mm
安裝孔直徑:2mm
最大連續(xù)電流, Ic:22A
溫度 @ 電流測量:25°C
電壓:1200V
電壓, Vces:1200V
電流, Icm 脈沖:44A
集電極電流, Ic 平均值:22A
集電極連續(xù)電流, Ic 最大值:15A
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无库存 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SK10GD126ET - 晶體管 IGBT模塊 6晶體管 1200V |
晶體管極性:N
飽和電壓, Vce sat ??大:2.1V
電壓, Vceo:1200V
封裝類型:SEMITOP 3
外寬:55mm
外部深度:31mm
封裝類型:SEMITOP 3
晶體管數(shù):6
晶體管類型:IGBT
表面安裝器件:螺絲安裝
SMD標號:SEMITOP3
上升時間:30ns
功率, Pd:2000W
安裝孔中心距:52.5mm
安裝孔直徑:2mm
最大連續(xù)電流, Ic:15A
溫度 @ 電流測量:25°C
電壓:1200V
電壓, Vces:1200V
電流, Icm 脈沖:30A
集電極電流, Ic 平均值:15A
集電極連續(xù)電流, Ic 最大值:11A
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无库存 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SK40GB123 - 晶體管 IGBT模塊 雙晶體管 1200V |
晶體管極性:N
飽和電壓, Vce sat ??大:3V
電壓, Vceo:1200V
封裝類型:SEMITOP 2
外寬:40.5mm
外部深度:28mm
封裝類型:SEMITOP 2
晶體管數(shù):2
晶體管類型:IGBT
表面安裝器件:螺絲安裝
SMD標號:SEMITOP2
上升時間:45ns
功率, Pd:850W
安裝孔中心距:38mm
安裝孔直徑:2mm
最大連續(xù)電流, Ic:40A
溫度 @ 電流測量:25°C
電壓:1200V
電壓, Vces:1200V
電流, Icm 脈沖:80A
集電極電流, Ic 平均值:40A
集電極連續(xù)電流, Ic 最大值:27A
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无库存 |
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1 |
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SEMIKRON - SK60GM123 - 晶體管 IGBT模塊 反并聯(lián)二極管對 1200V |
晶體管極性:N
飽和電壓, Vce sat 最大:3V
電壓, Vceo:1200V
封裝類型:SEMITOP 2
外寬:40.5mm
外部深度:28mm
封裝類型:SEMITOP 2
晶體管數(shù):2
晶體管類型:IGBT
SMD標號:SEMITOP2
上升時間:45ns
功率, Pd:600W
安裝孔中心距:38mm
安裝孔直徑:2mm
最大連續(xù)電流, Ic:60A
溫度 @ 電流測量:25°C
電壓:1200V
電壓, Vces:1200V
電流, Icm 脈沖:60A
集電極電流, Ic 平均值:60A
集電極連續(xù)電流, Ic 最大值:40A
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无库存 |
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1 |
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SEMIKRON - SK20DGDL065ET - 電力控制模塊 3相 600V |
飽和電壓, Vce sat 最大:2.5V
電壓, Vceo:600V
封裝類型:SEMITOP 3
封裝類型:SEMITOP 3
晶體管類型:3-Ph Rectifier + Brake Chopper + Invertor
上升時間:28ns
最大連續(xù)電流, Ic:24A
電壓, Vces:600V
電流, Icm 脈沖:48A
飽和電壓 Vce sat 典型值:2.2V
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无库存 |
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1 |
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SEMIKRON - SK10DGDL065ET - 電力控制模塊 3相 600V |
飽和電壓, Vce sat 最大:2.5V
電壓, Vceo:600V
封裝類型:SEMITOP 3
封裝類型:SEMITOP 3
晶體管類型:3-Phase Bridge Rectifier + Brake Chopper + 3 Phase Bridge Inverter
表面安裝器件:螺絲安裝
上升時間:30ns
最大連續(xù)電流, Ic:17A
電壓, Vces:600V
電流, Icm 脈沖:34A
飽和電壓 Vce sat 典型值:2.3V
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无库存 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SK8BGD065E - 電力控制模塊 單相 600V |
飽和電壓, Vce sat 最大:2.2V
電壓, Vceo:600V
封裝類型:SEMITOP 2
封裝類型:SEMITOP 2
晶體管類型:1 Phase Bridge Rectifier + 3 Phase Bridge Invertor
表面安裝器件:螺絲安裝
上升時間:25ns
最大連續(xù)電流, Ic:12A
電壓, Vces:600V
電流, Icm 脈沖:24A
飽和電壓 Vce sat 典型值:2.2V
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无库存 |
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SEMIKRON - SK35GD065ET - 晶體管 IGBT模塊 6晶體管 600V |
晶體管極性:N
飽和電壓, Vce sat 最??:2.5V
電壓, Vceo:600V
封裝類型:SEMITOP 3
外寬:55mm
外部深度:31mm
封裝類型:SEMITOP 3
晶體管數(shù):6
晶體管類型:IGBT
SMD標號:SEMITOP3
上升時間:35ns
功率, Pd:1000W
安裝孔中心距:52.5mm
安裝孔直徑:2mm
最大連續(xù)電流, Ic:45A
溫度 @ 電流測量:25°C
電壓:600V
電壓, Vces:600V
電流, Icm 脈沖:36A
集電極電流, Ic 平均值:45A
集電極連續(xù)電流, Ic 最大值:33A
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无库存 |
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SEMIKRON - SK20GD065 - 晶體管 IGBT模塊 6晶體管 600V |
晶體管極性:N
飽和電壓, Vce sat 最大:2.2V
電壓, Vceo:600V
封裝類型:SEMITOP 2
外寬:40.5mm
外部深度:28mm
封裝類型:SEMITOP 2
晶體管數(shù):6
晶體管類型:IGBT
表面安裝器件:螺絲安裝
SMD標號:SEMITOP2
上升時間:30ns
功率, Pd:1700W
安裝孔中心距:38mm
安裝孔直徑:2mm
最大連續(xù)電流, Ic:24A
溫度 @ 電流測量:25°C
電壓:600V
電壓, Vces:600V
電流, Icm 脈沖:22A
集電極電流, Ic 平均值:24A
集電極連續(xù)電流, Ic 最大值:17A
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无库存 |
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