| 圖片 |
型號(hào) |
產(chǎn)品描述 |
庫(kù)存狀況 |
包裝規(guī)格 |
單位價(jià)格 (不含稅) |
數(shù)量 |
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SEMIKRON - SEMIX503GB126HDS - 晶體管 IGBT模塊 2X1200V |
飽和電壓, Vce sat 最大:2.15V
??壓, Vceo:1.2V
封裝類型:SEMiX 3s
封裝類型:SEMiX 3s
晶體管類型:Dual Trench IGBT
上升時(shí)間:55ns
最大連續(xù)電流, Ic:480A
電壓, Vrrm:1200V
電流, Icm 脈沖:600A
電流, Ifs 最大:2000A
集電極電流, Ic 平均值:480A
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无库存 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SEMIX352GB128DS - 晶體管 IGBT模塊 2X1200V |
晶體管極性:N
飽和電壓, Vce sat ???大:2.35V
電壓, Vceo:1.15V
封裝類型:SEMiX 2s
封裝類型:SEMiX 2s
晶體管類型:IGBT Module
表面安裝器件:螺絲安裝
上升時(shí)間:55ns
最大連續(xù)電流, Ic:370A
電壓, Vces:1200V
電壓, Vrrm:1200V
電流, Icm 脈沖:400A
電流, Ifs 最大:2000A
集電極電流, Ic 平均值:370A
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停产 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SEMIX452GB126HDS - 晶體管 IGBT模塊 2X1200V |
模塊配置:1 Pair Series Connection
晶體管極性:N Channel
集電極直流電流:470A
飽和電壓, Vce sat 最大:2.15V
電壓, Vceo:1.2V
工作溫度范圍:-40°C to +150°C
封裝類型:SEMiX 2s
封裝類型:SEMiX 2s
晶體管類型:IGBT Module
表面安裝器件:螺絲安裝
上升時(shí)間:100ns
最大連續(xù)電流, Ic:470A
電壓, Vces:1200V
電壓, Vrrm:1200V
電流, Icm 脈沖:600A
電流, Ifs 最大:1900A
集電極電流, Ic 平均值:470A
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停产 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SEMIX302GB126HDS - 晶體管 IGBT模塊 2X1200V |
飽和電壓, Vce sat 最大:2.15V
電壓, Vceo:1.2V
封裝類型:SEMiX 2s
封裝類型:SEMiX 2s
晶體管類型:Dual Trench IGBT
上升時(shí)間:100ns
最大連續(xù)電流, Ic:300A
電壓, Vrrm:1200V
電流, Icm 脈沖:400A
電流, Ifs 最大:1300A
集電極電流, Ic 平均值:300A
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无库存 |
1 |
1 |
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VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER - 50MT060WHTAPBF - 晶體管 IGBT模塊 MTP 600V |
晶體管極性:N Channel
集電極直流電流:114A
飽和電壓, Vce sat 最大:2.3V
最大功耗:658W
電壓, Vceo:600V
工作溫度范圍:-40°C to +150°C
封裝類型:MTP
封裝類型:MTP
晶體管類型:IGBT Module
表面安裝器件:通孔安裝
功率, Pd:658W
功耗:658W
最大連續(xù)電流, Ic:114A
電壓, Vces:600V
電流, Ic @ Vce飽和:50A
電流, Icm 脈沖:350A
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上海 0 新加坡 0 英國(guó)12 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SKM 300 GA123D - 晶體管 IGBT模塊 Vceo:1200V SEMITRANS 4 |
晶體管 IGBT模塊 Vceo:1200V SEMITRANS 4
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无库存 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SKM 300GB123D - 晶體管 IGBT模塊 Vceo:1200V Case 3 |
晶體管 IGBT模塊 Vceo:1200V Case 3
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美國(guó) 0 上海 0 美國(guó)25 新加坡 0 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SKM 22GD123D - 晶體管 IGBT模塊 Vceo:1200V D67 22A |
晶體管 IGBT模塊 Vceo:1200V D67 22A
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - HGT1N30N60A4D - 晶體管 IGBT 39A 600V |
晶體管???性:N
飽和電壓, Vce sat 最大:2.7V
電壓, Vceo:600V
封裝類型:SOT-227
封裝類型:SOT-227
晶體管類型:IGBT
上升時(shí)間:12ns
功率, Pd:255W
最大連續(xù)電流, Ic:96A
電流, Icm 脈沖:240A
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停产 |
1 |
1 |
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FUJI ELECTRIC - 2MBI200S-120 - 晶體管 IGBT模塊 1200V 200A |
晶體管極性:N 通道
飽和電壓, Vce sat 最大:2.6V
電壓, Vceo:1200V
封裝類型:M234
外寬:108mm
外部深度:62mm
外部長(zhǎng)度/高度:30mm
封裝類型:M234
晶體管數(shù):2
晶體管類型:IGBT Module
結(jié)溫, Tj 最高:150°C
表面安裝器件:螺絲安裝
重量:0.18kg
上升時(shí)間:600ns
下降時(shí)間:300ns
功率, Pd:1500W
功耗:1500W
最大連續(xù)電流, Ic:300A
溫度 @ 電流測(cè)量:25°C
滿功率溫度:25°C
電壓, Vces:1200V
電流, Ic @ Vce飽和:200A
電流, Icm 脈沖:600A
隔離電壓:2500V
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无库存 |
1 |
1 |
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FUJI ELECTRIC - 2MBI150S-120 - 晶體管 IGBT模塊 1200V 150A |
晶體管極性:N 通道
飽和電壓, Vce sat 最大:2.6V
電壓, Vceo:1200V
封裝類型:M234
外寬:108mm
外部深度:62mm
外部長(zhǎng)度/高度:30mm
封裝類型:M234
晶體管數(shù):2
晶體管類型:IGBT
結(jié)溫, Tj 最高:150°C
重量:0.18kg
上升時(shí)間:600ns
下降時(shí)間:300ns
功率, Pd:1000W
功耗:1000W
最大連續(xù)電流, Ic:200A
溫度 @ 電流測(cè)量:25°C
滿功率溫度:25°C
電壓, Vces:1200V
電流, Ic @ Vce飽和:150A
電流, Icm 脈沖:400A
隔離電壓:2500V
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无库存 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SKM 150GB123D - 晶體管 IGBT模塊 Vceo:1200V D56 150A |
晶體管 IGBT模塊 Vceo:1200V D56 150A
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无库存 |
1 |
1 |
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VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER - CPV364M4U - 晶體管 IGBT模塊 六晶體管 IGBT IMS-2 |
晶體管極性:N溝道
集電極直流電流:20A
飽和電壓, Vce sat 最大:2.1V
最大功耗:63W
電壓, Vceo:600V
工作溫度范圍:-40°C to +150°C
封裝類型:IMS-2
針腳數(shù):13
封裝類型:IMS-2
晶體管數(shù):1
晶體管類型:IGBT
上升時(shí)間:13ns
下降時(shí)間最大:160ns
功率, Pd:63W
功耗:63W
時(shí)間, trr 典型值:13ns
最大連續(xù)電流, Ic:20A
溫度 @ 電流測(cè)量:25°C
滿功率溫度:25°C
電壓, Vces:600V
電流, Ic @ Vce飽和:10A
電流, Icm 脈沖:60A
隔離電壓:2.5kV
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无库存 |
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1 |
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SEMIKRON - SEMIX 653GD176HDC - 晶體管 IGBT模塊 6晶體管 1700V |
晶體管極性:N
集電極直流電流:660A
飽和電壓, Vce sat 最大:2.45V
電壓, Vceo:1700V
封裝類型:SEMiX 33c
外寬:162mm
外部深度:150mm
封裝類型:SEMiX 33c
晶體管數(shù):6
晶體管類型:IGBT
SMD標(biāo)號(hào):SEMiX 33c
上升時(shí)間:90ns
安裝孔中心距:50mm
安裝孔直徑:5.5mm
最大連續(xù)電流, Ic:650A
溫度 @ 電流測(cè)量:25°C
電壓:1700V
電壓, Vces:1700V
電流, Icm 脈沖:650A
集電極電流, Ic 平均值:650A
集電極連續(xù)電流, Ic 最大值:460A
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无库存 |
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1 |
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SEMIKRON - SEMIX 703GD126HDC - 晶體管 IGBT模塊 雙晶體管 1200V |
晶體管極性:N
集電極直流電流:642A
飽和電壓, Vce sat 最大:2.15V
電壓, Vceo:1200V
工作溫度范圍:-40°C to +125°C
封裝類型:SEMiX 33c
針腳數(shù):29
外寬:162mm
外部深度:150mm
封裝類型:SEMiX 33c
晶體管數(shù):6
晶體管類型:IGBT
SMD標(biāo)號(hào):SEMiX 33c
上升時(shí)間:60ns
安裝孔中心距:50mm
安裝孔直徑:5.5mm
最大連續(xù)電流, Ic:700A
溫度 @ 電流測(cè)量:25°C
電壓:1200V
電壓, Vces:1200V
電流, Icm 脈沖:700A
集電極電流, Ic 平均值:700A
集電極連續(xù)電流, Ic 最大值:490A
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