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最低閾值電壓, Vgs th N溝道 1

  • 0.6V
  • 2.8V
  • 1V

最低閾值電壓, Vgs th P溝道

  • 0.8V
  • 1V
  • 2.8V

最高電壓, Vds P溝道

  • 60V
  • 30V

總功率, Ptot

  • 1.25W
  • 1.8W

針腳配置

  • S2(4),G2(5),D1(6),D2(3),G1(2), S1(1)
  • c
  • D1(1), S1(2+3), G1(4), D2(8), S2(6+7), G2(5)
  • 1(S1), 2(G1),3(S2),4(G2),5+6(D2),7+8(D1)
  • D-com(1+8), S1(2+3),G1(4), S2(6+7),G2(5)

針腳數(shù)

  • 5
  • 6
  • 8

閾值電壓, Vgs th 典型值

  • 3.3V
  • -700mV
  • 4V
  • -1.5V
  • 1.5V
  • -1.6V
  • 1.6V
  • 1.9V
  • 2.5V
  • 2.2V
  • 1.3V
  • 1.1V
  • 1V
  • -1V
  • 1.8V
  • 3V
  • 1.7V
  • 0.45V
  • 0.8V
  • 0.7V
  • 1.4V
  • 1.2V
  • 2.6V
  • 0.6V
  • 2V
  • 0.9V
  • -0.9V

閾值電壓, Vgs th 最低

  • 0.8V
  • 2.5V
  • -1V
  • 1V
  • 0.7V
  • 1.5V
  • 0.6V

閾值電壓, Vgs th 最高

  • 2V
  • 1.7V
  • 100V
  • 0.5V
  • -1.5V
  • 1.5V
  • 2.35V
  • 3V

芯片封裝類型

  • A
  • B

外寬

  • 4.05mm
  • 6.2mm
  • 40.5mm

外部深度

  • 5.26mm
  • 28mm
  • 5.2mm

外部長(zhǎng)度/高度

  • 1.2mm
  • 1.75mm
  • 15.43mm

通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 1.8V

  • 0.035ohm
  • 0.0285ohm
  • 0.03ohm
  • 0.04ohm

通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V

  • 0.03ohm
  • 0.028ohm
  • 0.041ohm

通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V N溝道

  • 0.055ohm
  • 0.04ohm
  • 0.036ohm

通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V P溝道

  • 0.054ohm
  • 0.053ohm
  • 0.12ohm

通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 4.5V

  • 0.023ohm
  • 0.019ohm
  • 0.045ohm
  • 0.0185ohm
  • 0.03ohm
  • 0.025ohm
  • 0.033ohm
  • 0.034ohm

通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N溝道

  • 0.053ohm
  • 0.045ohm
  • 0.075ohm

通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 4.5V P溝道

  • 0.09ohm
  • 0.072ohm
圖片 型號(hào) 產(chǎn)品描述 庫(kù)存狀況 包裝規(guī)格 單位價(jià)格
(不含稅)		 數(shù)量
ON SEMICONDUCTOR - MMDF1N05ER2G. - 雙MOFSET N溝道 8-SOIC ON SEMICONDUCTOR - MMDF1N05ER2G. - 雙MOFSET N溝道 8-SOIC
  • 雙MOFSET N溝道 8-SOIC
    		•  无库存 1 1 詢價(jià),無需注冊(cè) 訂購(gòu)
    ON SEMICONDUCTOR - NTJD4401NT1G - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET ON SEMICONDUCTOR - NTJD4401NT1G - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET
  • 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET
    		•  无库存 1 1 詢價(jià),無需注冊(cè) 訂購(gòu)
    ON SEMICONDUCTOR - NTJD4001NT1G - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET ON SEMICONDUCTOR - NTJD4001NT1G - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET
  • 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET
    		•  美國(guó) 0
    上海 0
    美國(guó) 0
    新加坡5    		 1 1 詢價(jià),無需注冊(cè) 訂購(gòu)
    ON SEMICONDUCTOR - NTZD3154NT1G - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET ON SEMICONDUCTOR - NTZD3154NT1G - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET
  • 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET
    		•  美國(guó) 0
    上海 0
    美國(guó)7680
    新加坡350    		 1 1 詢價(jià),無需注冊(cè) 訂購(gòu)
    ON SEMICONDUCTOR - NTJD4152PT1G - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET ON SEMICONDUCTOR - NTJD4152PT1G - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET
  • 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET
    		•  无库存 1 1 詢價(jià),無需注冊(cè) 訂購(gòu)
    VISHAY SILICONIX - SUD50NP04-94-T4-E3 - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N/P D-PAK VISHAY SILICONIX - SUD50NP04-94-T4-E3 - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N/P D-PAK
  • 模塊配置:NP
  • 晶體管極性:NP
  • 漏極電流, Id 最大值:8A
  • 電壓, Vds 最大:40V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.041ohm
  • 電壓 @ Rds測(cè)量:10V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.7V
  • 功耗:15.6mW
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:D-PAK
  • 針腳數(shù):5
  • 封裝類型:DPAK
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • N溝道柵極電荷 Qg:8nC
  • P溝道柵極電荷 Qg:9nC
  • 功率, Pd:15.6W
  • 器件標(biāo)號(hào):50
  • 漏極連續(xù)電流, Id N溝道:8A
  • 漏極連續(xù)電流, Id P溝道:8A
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
  • 電壓, Vds N溝道 1:40V
  • 電壓, Vds P溝道 1:40V
  • 電壓, Vds 典型值:40V
  • 電流, Id 連續(xù):8A
  • 電流, Idm 脈沖:35A
  • 脈沖電流, Idm N溝道:35A
  • 脈沖電流, Idm P溝道:35A
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.041ohm
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.045ohm
  • 閾值電壓, Vgs th 最低:0.6V
  • 閾值電壓, Vgs th 最高:1.7V
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國(guó)17    		 1 1 詢價(jià),無需注冊(cè) 訂購(gòu)
    VISHAY SILICONIX - SUD50NP04-62-T4-E3 - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N/P D-PAK VISHAY SILICONIX - SUD50NP04-62-T4-E3 - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N/P D-PAK
  • 模塊配置:NP
  • 晶體管極性:NP
  • 漏極電流, Id 最大值:8A
  • 電壓, Vds 最大:40V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.03ohm
  • 電壓 @ Rds測(cè)量:10V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:2V
  • 功耗:23.5mW
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:D-PAK
  • 針腳數(shù):5
  • 封裝類型:DPAK
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • N溝道柵極電荷 Qg:9.6nC
  • P溝道柵極電荷 Qg:21nC
  • 功率, Pd:23.5W
  • 器件標(biāo)號(hào):50
  • 漏極連續(xù)電流, Id N溝道:8A
  • 漏極連續(xù)電流, Id P溝道:8A
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
  • 電壓, Vds N溝道 1:40V
  • 電壓, Vds P溝道 1:40V
  • 電壓, Vds 典型值:40V
  • 電流, Id 連續(xù):8A
  • 電流, Idm 脈沖:35A
  • 脈沖電流, Idm N溝道:35A
  • 脈沖電流, Idm P溝道:35A
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.03ohm
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.034ohm
  • 閾值電壓, Vgs th 最高:100V
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國(guó)702    		 1 1 詢價(jià),無需注冊(cè) 訂購(gòu)
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDW2601NZ - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET 雙 N SMD TSSOP-8 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDW2601NZ - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET 雙 N SMD TSSOP-8
  • 晶體管極性:NN
  • 電壓, Vds 最大:30V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.015ohm
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:0.8V
  • 封裝類型:TSSOP
  • 針腳數(shù):8
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • 封裝類型:TSSOP
  • 晶體管類型:PowerTrench
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • SMD標(biāo)號(hào):2601NZ
  • 功率, Pd:1.6W
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:4.5V
  • 電壓, Vds 典型值:30V
  • 電容值, Ciss 典型值:1840pF
  • 電流, Id 連續(xù):8.2A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國(guó)1216    		 1 1 詢價(jià),無需注冊(cè) 訂購(gòu)
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDW2512NZ - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET 雙 N SMD TSSOP-8 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDW2512NZ - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET 雙 N SMD TSSOP-8
  • 晶體管極性:NN
  • 電壓, Vds 最大:20V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.028ohm
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:0.8V
  • 封裝類型:TSSOP
  • 針腳數(shù):8
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • 封裝類型:TSSOP
  • 晶體管類型:PowerTrench
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • SMD標(biāo)號(hào):2512NZ
  • 功率, Pd:1.6W
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:4.5V
  • 電壓, Vds 典型值:20V
  • 電容值, Ciss 典型值:670pF
  • 電流, Id 連續(xù):6A
    		• 无库存 1 1 詢價(jià),無需注冊(cè) 訂購(gòu)
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDW2507N - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET 雙 N SMD TSSOP-8 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDW2507N - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET 雙 N SMD TSSOP-8
  • 晶體管極性:NN
  • 電壓, Vds 最大:20V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.019ohm
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:0.8V
  • 封裝類型:TSSOP
  • 針腳數(shù):8
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • 封裝類型:TSSOP
  • 晶體管類型:PowerTrench
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • SMD標(biāo)號(hào):2507N
  • 功率, Pd:1.6W
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:4.5V
  • 電壓, Vds 典型值:20V
  • 電容值, Ciss 典型值:2152pF
  • 電流, Id 連續(xù):7.5A
  • 電流, Idm 脈沖:30A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國(guó)2500    		 1 1 詢價(jià),無需注冊(cè) 訂購(gòu)
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDW2506P - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET 雙 P SMD TSSOP-8 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDW2506P - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET 雙 P SMD TSSOP-8
  • 晶體管極性:PP
  • 電壓, Vds 最大:20V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.022ohm
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:0.8V
  • 封裝類型:TSSOP
  • 針腳數(shù):8
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • 封裝類型:TSSOP
  • 晶體管類型:PowerTrench
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • SMD標(biāo)號(hào):2506P
  • 功率, Pd:1W
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:-4.5V
  • 電壓, Vds 典型值:-20V
  • 電容值, Ciss 典型值:1015pF
  • 電流, Id 連續(xù):5.3A
  • 電流, Idm 脈沖:30A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國(guó)1258    		 1 1 詢價(jià),無需注冊(cè) 訂購(gòu)
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDW2504P - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET 雙 P SMD TSSOP-8 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDW2504P - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET 雙 P SMD TSSOP-8
  • 晶體管極性:PP
  • 電壓, Vds 最大:20V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.043ohm
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1V
  • 封裝類型:TSSOP
  • 針腳數(shù):8
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • 封裝類型:TSSOP
  • 晶體管類型:PowerTrench
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • SMD標(biāo)號(hào):2504P
  • 功率, Pd:1W
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:-4.5V
  • 電壓, Vds 典型值:-20V
  • 電容值, Ciss 典型值:1030pF
  • 電流, Id 連續(xù):3.8A
  • 電流, Idm 脈沖:30A
    		• 无库存 1 1 詢價(jià),無需注冊(cè) 訂購(gòu)
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDW2503NZ - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET 雙 N SMD TSSOP-8 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDW2503NZ - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET 雙 N SMD TSSOP-8
  • 晶體管極性:N
  • 電壓, Vds 最大:20V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.02ohm
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1V
  • 封裝類型:TSSOP
  • 針腳數(shù):8
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • 封裝類型:TSSOP
  • 晶體管類型:PowerTrench
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • SMD標(biāo)號(hào):2503NZ
  • 功率, Pd:1W
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:4.5V
  • 電壓, Vds 典型值:20V
  • 電容值, Ciss 典型值:1286pF
  • 電流, Id 連續(xù):5.5A
  • 電流, Idm 脈沖:30A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國(guó)88    		 1 1 詢價(jià),無需注冊(cè) 訂購(gòu)
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDW2503N - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET 雙 N SMD TSSOP-8 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDW2503N - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET 雙 N SMD TSSOP-8
  • 晶體管極性:N
  • 電壓, Vds 最大:20V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.021ohm
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:0.8V
  • 封裝類型:TSSOP
  • 針腳數(shù):8
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • 封裝類型:TSSOP
  • 晶體管類型:PowerTrench
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • SMD標(biāo)號(hào):2503N
  • 功率, Pd:1W
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:4.5V
  • 電壓, Vds 典型值:20V
  • 電容值, Ciss 典型值:1082pF
  • 電流, Id 連續(xù):5.5A
  • 電流, Idm 脈沖:30A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國(guó)1959    		 1 1 詢價(jià),無需注冊(cè) 訂購(gòu)
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDW2501NZ - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET 雙 N SMD TSSOP-8 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDW2501NZ - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET 雙 N SMD TSSOP-8
  • 晶體管極性:N
  • 漏極電流, Id 最大值:5.5mA
  • 電壓, Vds 最大:20V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.018ohm
  • 電壓 @ Rds測(cè)量:4.5V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1V
  • 封裝類型:TSSOP
  • 針腳數(shù):8
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • 封裝類型:TSSOP
  • 晶體管類型:PowerTrench
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • SMD標(biāo)號(hào):2501NZ
  • 功率, Pd:1W
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:4.5V
  • 電壓, Vds 典型值:20V
  • 電容值, Ciss 典型值:1286pF
  • 電流, Id 連續(xù):5.5A
  • 電流, Idm 脈沖:30A
    		• 无库存 1 1 詢價(jià),無需注冊(cè) 訂購(gòu)
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