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最低閾值電壓, Vgs th N溝道 1

  • 0.6V
  • 2.8V
  • 1V

最低閾值電壓, Vgs th P溝道

  • 0.8V
  • 1V
  • 2.8V

最高電壓, Vds P溝道

  • 60V
  • 30V

總功率, Ptot

  • 1.25W
  • 1.8W

針腳配置

  • S2(4),G2(5),D1(6),D2(3),G1(2), S1(1)
  • c
  • D1(1), S1(2+3), G1(4), D2(8), S2(6+7), G2(5)
  • 1(S1), 2(G1),3(S2),4(G2),5+6(D2),7+8(D1)
  • D-com(1+8), S1(2+3),G1(4), S2(6+7),G2(5)

針腳數(shù)

  • 5
  • 6
  • 8

閾值電壓, Vgs th 典型值

  • 3.3V
  • -700mV
  • 4V
  • -1.5V
  • 1.5V
  • -1.6V
  • 1.6V
  • 1.9V
  • 2.5V
  • 2.2V
  • 1.3V
  • 1.1V
  • 1V
  • -1V
  • 1.8V
  • 3V
  • 1.7V
  • 0.45V
  • 0.8V
  • 0.7V
  • 1.4V
  • 1.2V
  • 2.6V
  • 0.6V
  • 2V
  • 0.9V
  • -0.9V

閾值電壓, Vgs th 最低

  • 0.8V
  • 2.5V
  • -1V
  • 1V
  • 0.7V
  • 1.5V
  • 0.6V

閾值電壓, Vgs th 最高

  • 2V
  • 1.7V
  • 100V
  • 0.5V
  • -1.5V
  • 1.5V
  • 2.35V
  • 3V

芯片封裝類型

  • A
  • B

外寬

  • 4.05mm
  • 6.2mm
  • 40.5mm

外部深度

  • 5.26mm
  • 28mm
  • 5.2mm

外部長度/高度

  • 1.2mm
  • 1.75mm
  • 15.43mm

通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 1.8V

  • 0.035ohm
  • 0.0285ohm
  • 0.03ohm
  • 0.04ohm

通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V

  • 0.03ohm
  • 0.028ohm
  • 0.041ohm

通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V N溝道

  • 0.055ohm
  • 0.04ohm
  • 0.036ohm

通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V P溝道

  • 0.054ohm
  • 0.053ohm
  • 0.12ohm

通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 4.5V

  • 0.023ohm
  • 0.019ohm
  • 0.045ohm
  • 0.0185ohm
  • 0.03ohm
  • 0.025ohm
  • 0.033ohm
  • 0.034ohm

通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N溝道

  • 0.053ohm
  • 0.045ohm
  • 0.075ohm

通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 4.5V P溝道

  • 0.09ohm
  • 0.072ohm
圖片 型號(hào) 產(chǎn)品描述 庫存狀況 包裝規(guī)格 單位價(jià)格
(不含稅)		 數(shù)量
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDC6020C - 雙MOSFET N+P SMD FLMP SSOT-6 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDC6020C - 雙MOSFET N+P SMD FLMP SSOT-6
  • 晶體管極性:NP
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):27mohm
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1V
  • 功耗:1.6W
  • 封裝類型:SSOT
  • 針腳數(shù):6
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • 封裝類型:SSOT-6 FLMP
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 功率, Pd:1.6W
  • 漏極連續(xù)電流, Id N溝道:5.9A
  • 漏極連續(xù)電流, Id P溝道:4.2A
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:4.5V
  • 電壓, Vds:20V
  • 電壓, Vds 典型值:20V
  • 電流, Id 連續(xù):5.9A
  • 通態(tài)電阻, Rds on N溝道 最大:0.027ohm
  • 通態(tài)電阻, Rds on P溝道 最大:0.055ohm
  • 閾值電壓, Vgs th 最高:1.5V
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國279    		 1 1 詢價(jià),無需注冊(cè) 訂購
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDC6000NZ - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET 雙 N SMD FLMP SSOT-6 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDC6000NZ - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET 雙 N SMD FLMP SSOT-6
  • 晶體管極性:Dual N
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.02ohm
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:0.9V
  • 功耗:1.6mW
  • 封裝類型:SSOT
  • 針腳數(shù):6
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • 封裝類型:SSOT-6 FLMP
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:4.5V
  • 電壓, Vds:20V
  • 電壓, Vds 典型值:20V
  • 電流, Id 連續(xù):7.3A
  • 閾值電壓, Vgs th 最高:1.5V
    		• 停产 1 1 詢價(jià),無需注冊(cè) 訂購
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS6994S - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET 雙 N SMD SO-8 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS6994S - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET 雙 N SMD SO-8
  • 晶體管極???:N
  • 電壓, Vds 最大:30V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):21mohm
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.9V
  • 功耗:2W
  • 封裝類型:SOIC
  • 針腳數(shù):8
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • 封裝類型:SOIC
  • 晶體管數(shù):1
  • 晶體管類型:PowerTrench
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 漏極連續(xù)電流, Id N溝道(1):6.9A
  • 漏極連續(xù)電流, Id N溝道(2):8.2A
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:30V
  • 電流, Id 連續(xù):6.9A
  • 脈沖電流, Idm N溝道(1):20A
  • 脈沖電流, Idm N溝道(2):30A
  • 通態(tài)電阻, Rds on N溝道 1:0.015ohm
  • 通態(tài)電阻, Rds on N溝道 2:0.021ohm
    		• 无库存 1 1 詢價(jià),無需注冊(cè) 訂購
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS6986AS - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET 雙 N SMD SO-8 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS6986AS - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET 雙 N SMD SO-8
  • 晶體???極性:N
  • 漏極電流, Id 最大值:7.9mA
  • 電壓, Vds 最大:30V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):29mohm
  • 電壓 @ Rds測(cè)量:10V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.9V
  • 功耗:2W
  • 封裝類型:SOIC
  • 針腳數(shù):8
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • 封裝類型:SOIC
  • 晶體管數(shù):1
  • 晶體管類型:PowerTrench
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 漏極連續(xù)電流, Id N溝道(1):6.5A
  • 漏極連續(xù)電流, Id N溝道(2):7.9A
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:30V
  • 電流, Id 連續(xù):6.5A
  • 脈沖電流, Idm N溝道(1):20A
  • 脈沖電流, Idm N溝道(2):30A
  • 通態(tài)電阻, Rds on N溝道 1:0.020ohm
  • 通態(tài)電阻, Rds on N溝道 2:0.029ohm
    		• 无库存 1 1 詢價(jià),無需注冊(cè) 訂購
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS6984AS - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET 雙 N SMD SO-8 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS6984AS - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET 雙 N SMD SO-8
  • 晶體???極性:N
  • 電壓, Vds 最大:30V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):31mohm
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.8V
  • 功耗:2W
  • 封裝類型:SOIC
  • 針腳數(shù):8
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • 封裝類型:SOIC
  • 晶體管數(shù):1
  • 晶體管類型:PowerTrench
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 漏極連續(xù)電流, Id N溝道(1):5.5A
  • 漏極連續(xù)電流, Id N溝道(2):8.5A
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:30V
  • 電流, Id 連續(xù):5.5A
  • 脈沖電流, Idm N溝道(1):20A
  • 脈沖電流, Idm N溝道(2):30A
  • 通態(tài)電阻, Rds on N溝道 1:0.02ohm
  • 通態(tài)電阻, Rds on N溝道 2:0.031ohm
    		• 无库存 1 1 詢價(jià),無需注冊(cè) 訂購
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS4885C - 雙MOSFET N+P SO-8 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS4885C - 雙MOSFET N+P SO-8
  • 晶體管極性:N/P
  • 電壓, Vds 最大:40V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):31mohm
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:4V
  • 功耗:2W
  • 封裝類型:SOIC
  • 針腳數(shù):8
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • 封裝類型:SOIC
  • 晶體管數(shù):2
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 漏極連續(xù)電流, Id N溝道:7.5A
  • 漏極連續(xù)電流, Id P溝道:6A
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:40V
  • 電流, Id 連續(xù):7.5A
  • 脈沖電流, Idm N溝道(1):20A
  • 脈沖電流, Idm P溝道:20A
  • 通態(tài)電阻, Rds on N溝道 最大:0.022ohm
  • 通態(tài)電阻, Rds on P溝道 最大:0.031ohm
    		• 停产 1 1 詢價(jià),無需注冊(cè) 訂購
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDY3001NZ - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET 雙 N SMD SC89 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDY3001NZ - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET 雙 N SMD SC89
  • 模塊配置:Dual N Channel
  • 晶體管極性:N
  • 漏極電流, Id 最大值:200mA
  • 電壓, Vds 最大:20V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):5ohm
  • 電壓 @ Rds測(cè)量:4.5V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1V
  • 功耗:0.625W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:SC-89
  • 針腳數(shù):6
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • 封裝類型:SC-89
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • SMD標(biāo)號(hào):D
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:4.5V
  • 電壓, Vds 典型值:20V
  • 電流, Id 連續(xù):0.2A
  • 電流, Idm 脈沖:1A
  • 閾值電壓, Vgs th 最高:1.5V
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國336    		 1 1 詢價(jià),無需注冊(cè) 訂購
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDY2001PZ - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET 雙 P SMD SC89 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDY2001PZ - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET 雙 P SMD SC89
  • 晶體管極性:P
  • 電壓, Vds 最大:20V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):8ohm
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:-1V
  • 功耗:0.625W
  • 封裝類型:SC-89
  • 針腳數(shù):6
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • 封裝類型:SC-89
  • 晶體管類型:PowerTrench
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • SMD標(biāo)號(hào):B
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:-4.5V
  • 電壓, Vds 典型值:-20V
  • 電流, Id 連續(xù):0.15A
  • 電流, Idm 脈沖:1A
  • 閾值電壓, Vgs th 最高:-1.5V
    		• 无库存 1 1 詢價(jià),無需注冊(cè) 訂購
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDM3300NZ - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N型 MLP SMD FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDM3300NZ - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N型 MLP SMD
  • 晶體管極性:N
  • 電壓, Vds 最大:20V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.023ohm
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:0.9V
  • 功耗:2.1W
  • 封裝類型:Power 33
  • 針腳數(shù):8
  • 封裝類型:Power 33
  • 晶體管類型:PowerTrench
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • SMD標(biāo)號(hào):3300N
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:4.5V
  • 電壓, Vds 典型值:20V
  • 電流, Id 連續(xù):10A
  • 電流, Idm 脈沖:40A
  • 閾值電壓, Vgs th 最高:1.5V
    		• 停产 1 1 詢價(jià),無需注冊(cè) 訂購
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDMC6890NZ - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N型 MLP 雙管 SMD FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDMC6890NZ - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N型 MLP 雙管 SMD
  • 晶體管極性:N
  • 電壓, Vds 最大:20V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):68mohm
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:0.9V
  • 功耗:1.92W
  • 封裝類型:Power 33
  • 針腳數(shù):6
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • 封裝類型:Power 33
  • 晶體管類型:PowerTrench
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • SMD標(biāo)號(hào):6890N
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:4.5V
  • 電壓, Vds 典型值:20V
  • 電流, Id 連續(xù):4A
  • 電流, Idm 脈沖:10A
  • 閾值電壓, Vgs th 最高:2V
    		• 无库存 1 1 詢價(jià),無需注冊(cè) 訂購
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDMA1025P - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET 雙 P SMD MLP FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDMA1025P - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET 雙 P SMD MLP
  • 模塊配置:雙
  • 晶體管極性:P
  • 漏極電流, Id 最大值:-3.1A
  • 電壓, Vds 最大:20V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.155ohm
  • 電壓 @ Rds測(cè)量:-4.5V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:-0.9V
  • 功耗:1.4W
  • 封裝類型:MicroFET
  • 針腳數(shù):6
  • 封裝類型:MicroFET
  • 晶體管類型:PowerTrench
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • SMD標(biāo)號(hào):025
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:-4.5V
  • 電壓, Vds 典型值:-20V
  • 電流, Id 連續(xù):3.1A
  • 電流, Idm 脈沖:6A
  • 閾值電壓, Vgs th 最高:-1.5V
    		• 无库存 1 1 詢價(jià),無需注冊(cè) 訂購
    DIODES INC. - ZXMC4559DN8TA - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N型+P型 60V SO8 DIODES INC. - ZXMC4559DN8TA - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N型+P型 60V SO8
  • 模塊配置:NP
  • 晶體管極性:NP
  • 漏極電流, Id 最大值:4.7A
  • 電壓, Vds 最大:60V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.105ohm
  • 電壓 @ Rds測(cè)量:10V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1V
  • 功耗:2.1W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:SOIC
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封裝類型:SOIC
  • 晶體管數(shù):2
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 針腳配置:1(S1), 2(G1),3(S2),4(G2),5+6(D2),7+8(D1)
  • 功率, Pd:1.25W
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:60V
  • 電流, Id 連續(xù):3.9A
  • 電流, Idm 脈沖:18.3A
    		• 上海 0
    新加坡30
    英國3919    		 1 1 詢價(jià),無需注冊(cè) 訂購
    DIODES INC. - ZXMC3A17DN8TA - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N型+P型 30V SO8 DIODES INC. - ZXMC3A17DN8TA - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N型+P型 30V SO8
  • 模塊配置:NP
  • 晶體管極性:NP
  • 漏極電流, Id 最大值:5.4A
  • 電壓, Vds 最大:30V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.07ohm
  • 電壓 @ Rds測(cè)量:10V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1V
  • 功耗:2.1W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:SOIC
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封裝類型:SOIC
  • 晶體管數(shù):2
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 針腳配置:1(S1), 2(G1),3(S2),4(G2),5+6(D2),7+8(D1)
  • 功率, Pd:1.25W
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:30V
  • 電流, Id 連續(xù):4.4A
  • 電流, Idm 脈沖:20A
    		• 上海 0
    新加坡50
    英國2687    		 1 1 詢價(jià),無需注冊(cè) 訂購
    DIODES INC. - ZXMN3A06DN8TA - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET 雙N型 30V SO8 DIODES INC. - ZXMN3A06DN8TA - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET 雙N型 30V SO8
  • 模塊配置:Dual N Channel
  • 晶體管極性:Dual N
  • 漏極電流, Id 最大值:6.2A
  • 電壓, Vds 最大:30V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.035ohm
  • 電壓 @ Rds測(cè)量:10V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1V
  • 功耗:2.1W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:SOIC
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封裝類型:SOIC
  • 晶體管數(shù):2
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 針腳配置:1(S1), 2(G1),3(S2),4(G2),5+6(D2),7+8(D1)
  • 功率, Pd:1.25W
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:30V
  • 電流, Id 連續(xù):6.2A
  • 電流, Idm 脈沖:30A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國149    		 1 1 詢價(jià),無需注冊(cè) 訂購
    DIODES INC. - ZXMN6A25DN8TA - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET 雙N型 60VSO8 DIODES INC. - ZXMN6A25DN8TA - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET 雙N型 60VSO8
  • 晶體管極性:Dual N
  • 電壓, Vds 最大:60V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.05ohm
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1V
  • 封裝類型:SOIC
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封裝類型:SOIC
  • 晶體管數(shù):2
  • 晶體管類型:Enhancement
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 針腳配置:1(S1), 2(G1),3(S2),4(G2),5+6(D2),7+8(D1)
  • 功率, Pd:1.25W
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:60V
  • 電流, Id 連續(xù):5A
  • 電流, Idm 脈沖:24A
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