| 圖片 |
型號 |
產(chǎn)品描述 |
庫存狀況 |
包裝規(guī)格 |
單位價格 (不含稅) |
數(shù)量 |
 |
ROHM - UMF9NTR - 雙晶體管 2SC5585+2SK3019 |
模塊配置:雙
晶體管極性:NPN + N MOSFET
電壓, Vceo:12V
截止頻率 ft, 典型值:320MHz
功耗, Pd:150mW
集電極直流電流:500mA
直流電流增益 hFE:270
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:SC-88
針腳數(shù):6
封裝類型:UMT
晶體管數(shù):2
表面安裝器件:表面安裝
最大連續(xù)電流, Ic:500mA
輸入類型:NPN + N MOSFET
輸出電壓 最大:12V
輸出電流 最大:0.5A
通道數(shù):2
|
上海 0 新加坡 0 英國864 |
1 |
1 |
 |
 |
ROHM - UMF8NTR - 雙晶體管 NPN+數(shù)字 SC-88 |
模塊配置:雙
晶體管極性:NPN(Digital) + PNP
電壓, Vceo:12V
截止頻率 ft, 典型值:320MHz
功耗, Pd:150mW
集電極直流電流:500mA
直流電流增益 hFE:270
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:SC-88
針腳數(shù):6
封裝類型:SC-88
晶體管數(shù):2
表面安裝器件:表面安裝
最大連續(xù)電流, Ic:500mA
電源電壓 最大:50V
輸入電壓 最大:40V
輸入電壓 最小:-10V
輸出電流 最大:30mA
通道數(shù):2
|
上海 0 新加坡 0 英國2058 |
1 |
1 |
 |
 |
ROHM - UMF6NTR - 雙晶體管 2SK3018+2SA2018 |
模塊配置:雙
晶體管極性:PNP + N MOSFET
電壓, Vceo:-12V
截止頻率 ft, 典型值:260MHz
功耗, Pd:150mW
集電極直流電流:-500mA
直流電流增益 hFE:270
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:SC-88
針腳數(shù):6
封裝類型:UMT
晶體管數(shù):2
表面安裝器件:表面安裝
最大連續(xù)電流, Ic:-500mA
輸入類型:PNP + MOSFET
輸出電壓 最大:12V
輸出電流 最大:0.1A
通道數(shù):2
|
上海 0 新加坡 0 英國2477 |
1 |
1 |
 |
 |
ROHM - UMF5NTR - 雙晶體管 DTC144E+2SA2018 SC886 |
模塊配置:雙
晶體管極性:NPN(Digital) + PNP
電壓, Vceo:-12V
截止頻率 ft, 典型值:260MHz
功耗, Pd:150mW
集電極直流電流:-500mA
直流電流增益 hFE:270
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:SC-88
針腳數(shù):6
封裝類型:SC-88
晶體管數(shù):2
表面安裝器件:表面安裝
最大連續(xù)電流, Ic:-500mA
電源電壓 最大:50V
輸入電壓 最大:40V
輸入電壓 最小:-10V
輸出電流 最大:100mA
通道數(shù):2
|
上海 0 新加坡 0 英國2150 |
1 |
1 |
 |
 |
ROHM - UMF32NTR - 雙晶體管 DTA143T+2SK3019 |
模塊配置:雙
晶體管極性:PNP + N MOSFET
電壓, Vceo:-50V
截止頻率 ft, 典型值:250MHz
功耗, Pd:150mW
集電極直流電流:-100mA
直流電流增益 hFE:250
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:EMT6
針腳數(shù):6
封裝類型:EMT
晶體管數(shù):2
表面安裝器件:表面安裝
最大連續(xù)電流, Ic:-100mA
輸入類型:PNP + MOSFET
輸出電壓 最大:30V
輸出電流 最大:0.1A
通道數(shù):2
|
上海 0 新加坡 0 英國2501 |
1 |
1 |
 |
 |
ROHM - UMF28NTR - 雙晶體管 PNP+數(shù)字 SC-88 |
模塊配置:雙
晶體管極性:NPN(Digital) + PNP
電壓, Vceo:-50V
截止頻率 ft, 典型值:250MHz
功耗, Pd:150mW
集電極直流電流:-150mA
直流電流增益 hFE:180
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:SC-88
針腳數(shù):6
封裝類型:SC-88
晶體管數(shù):2
表面安裝器件:表面安裝
最大連續(xù)電流, Ic:100mA
電源電壓 最大:50V
輸入電壓 最大:40V
輸入電壓 最小:-10V
輸出電流 最大:100mA
通道數(shù):2
|
上海 0 新加坡 0 英國2219 |
1 |
1 |
 |
 |
ROHM - IMX1T110 - 晶體管 雙 NPN/NPN |
模塊配置:雙
晶體管極性:Dual NPN
電壓, Vceo:50V
截止頻率 ft, 典型值:180MHz
功耗, Pd:300mW
集電極直流電流:150mA
直流電流??益 hFE:120
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:SC-74
針腳數(shù):6
封裝類型:SMT-6
晶體管數(shù):2
表面安裝器件:表面安裝
最大連續(xù)電流, Ic:150mA
輸出電壓 最大:50V
輸出電流 最大:150mA
通道數(shù):2
|
上海 0 新加坡400 英國472 |
1 |
5 |
 |
 |
ROHM - EMF9T2R - 場效應(yīng)管 MOSFET NPN + N通道 |
晶體管極性:N-Channel + PNP
電壓, Vceo:12V
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:EMT
針腳數(shù):6
封裝類型:EMT
晶體管數(shù):2
表面安裝器件:表面安裝
最大連續(xù)電流, Ic:500mA
輸出電壓 最大:12V
輸出電流 最大:0.1A
通道數(shù):2
|
无库存 |
1 |
5 |
 |
 |
ROHM - EMF8T2R - 晶體管 NPN +數(shù)字 SMD |
晶體管極性:RET-NPN + PNP
電壓, Vceo:12V
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:EMT
針腳數(shù):6
封裝類型:EMT
晶體管數(shù):2
表面安裝器件:表面安裝
最大連續(xù)電流, Ic:500mA
電源電壓 最大:50V
輸出電壓 最大:12V
輸出電流 最大:0.1A
通道數(shù):2
|
无库存 |
1 |
5 |
 |
 |
ROHM - EMF6T2R - 場效應(yīng)管 MOSFET NPN + N通道 |
晶體管極性:N-Channel + PNP
電壓, Vceo:-12V
工作溫度范圍:-55°C to +150??C
封裝類型:EMT
針腳數(shù):6
封裝類型:EMT
晶體管數(shù):2
表面安裝器件:表面安裝
最大連續(xù)電流, Ic:-500mA
輸出電壓 最大:12V
輸出電流 最大:0.5A
通道數(shù):2
|
无库存 |
1 |
5 |
 |
 |
ROHM - EMF5T2R - 晶體管 PNP 數(shù)字 SMD |
晶體管極性:RET-NPN + PNP
電壓, Vceo:-12V
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:EMT
針腳數(shù):6
封裝類型:EMT
晶體管數(shù):2
表面安裝器件:表面安裝
最大連續(xù)電流, Ic:-500mA
電源電壓 最大:50V
輸出電壓 最大:12V
輸出電流 最大:0.1A
通道數(shù):2
|
无库存 |
1 |
5 |
 |
 |
ROHM - EMF33T2R - 場效應(yīng)管 MOSFET + PNP數(shù)字 |
晶體管極性:N-Channel + RET-PNP
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類??:EMT
針腳數(shù):6
封裝類型:EMT
晶體管數(shù):2
表面安裝器件:表面安裝
最大連續(xù)電流, Ic:-500mA
電源電壓 最大:-12V
輸出電壓 最大:30V
輸出電流 最大:0.1A
通道數(shù):2
|
无库存 |
1 |
5 |
 |
 |
ROHM - EMF32T2R - 場效應(yīng)管 MOSFET + PNP數(shù)字 |
晶體管極性:N-Channel + RET-PNP
電壓, Vceo:-50V
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:EMT
針腳數(shù):6
封裝類型:EMT
晶體管數(shù):2
表面安裝器件:表面安裝
最大連續(xù)電流, Ic:-100mA
輸出電壓 最大:30V
輸出電流 最大:0.1A
通道數(shù):2
|
无库存 |
1 |
5 |
 |
 |
NXP - PMP5501V - 晶體管 雙 PNP SOT-666 |
晶體管極性:Dual PNP
電壓, Vceo:45V
截止頻率 ft, 典型值:175MHz
工作溫度范圍:-65°C to +150°C
封裝類型:SOT-666
封裝類型:SOT-666
晶體管類型:General Purpose
最小增益帶寬 ft:100MHz
表面安裝器件:表面安裝
SMD標(biāo)號:ED
功率 Ptot (每器件):300mW
功耗:200mW
總功率, Ptot:200mW
最大連續(xù)電流, Ic:100mA
電壓, Vcbo:45V
電流, Ic hFE:2mA
直流電流增益 hfe, 最小值:200
飽和電壓, Vce sat 最大:-200mV
|
上海 0 新加坡 0 英國405 |
1 |
5 |
 |
 |
NXP - PMP5201V - 晶體管 雙 PNP SOT-666 |
模塊配置:雙
晶體管極性:Dual PNP
電壓, Vceo:45V
截止頻率 ft, 典型值:175MHz
功耗, Pd:300mW
集電極直流電流:-100mA
直流??流增益 hFE:290
工作溫度范圍:-65°C to +150°C
封裝類型:SOT-666
封裝類型:SOT-666
晶體管類型:Bipolar
最小增益帶寬 ft:100MHz
表面安裝器件:表面安裝
SMD標(biāo)號:EC
功率 Ptot (每器件):300mW
功耗:200mW
總功率, Ptot:200mW
最大連續(xù)電流, Ic:100mA
電壓, Vcbo:45V
電流, Ic hFE:2mA
直流電流增益 hfe, 最小值:200
飽和電壓, Vce sat 最大:200mV
|
上海 0 新加坡 0 英國1965 |
1 |
5 |
 |
| 共 10 頁 | 第 5 頁 | 首頁 上一頁 下一頁 尾頁 |