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型號 |
產品描述 |
庫存狀況 |
包裝規(guī)格 |
單位價格 (不含稅) |
數(shù)量 |
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NXP - PMP4501V - 晶體管 雙 NPN SOT-666 |
晶體管極性:Dual NPN
電壓, Vceo:45V
截止頻率 ft, 典型值:250MHz
工作溫度范圍:-65°C to +150°C
封裝類型:SOT-666
封裝類型:SOT-666
晶體管類型:General Purpose
最小增益帶寬 ft:100MHz
表面安裝器件:表面安裝
SMD標號:EB
功率 Ptot (每器件):300mW
功耗:200mW
總功率, Ptot:200mW
最大連續(xù)電流, Ic:100mA
電壓, Vcbo:45V
電流, Ic hFE:2mA
直流電流增益 hfe, 最小值:200
飽和電壓, Vce sat 最大:200mV
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无库存 |
1 |
5 |
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NXP - PMP4201V - 晶體管 雙 NPN SOT-666 |
晶體管極性:Dual NPN
電壓, Vceo:45V
截止頻率 ft, 典型值:250MHz
工作溫度范圍:-65°C to +150°C
封裝類型:SOT-666
封裝類型:SOT-666
晶體管類型:General Purpose
最小增益帶寬 ft:100MHz
表面安裝器件:表面安裝
SMD標號:EA
功率 Ptot (每器件):300mW
功耗:200mW
總功率, Ptot:200mW
最大連續(xù)電流, Ic:100mA
電壓, Vcbo:45V
電流, Ic hFE:2mA
直流電流增益 hfe, 最小值:200
飽和電壓, Vce sat 最大:200mV
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无库存 |
1 |
5 |
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NXP - PMD9050D - 晶體管 NPN/PNP 40V SSOT-6 |
晶體管極性:NPN / PNP
電壓, Vceo:45V
工作溫度范圍:-65°C to +150°C
封裝類型:SSOT-6
封裝類型:SSOT-6
晶體管類型:General Purpose
表面安裝器件:表面安裝
SMD標號:9G
功耗:290mW
總功率, Ptot:290mW
最大連續(xù)電流, Ic:100mA
電壓, Vcbo:50V
電流, Ic hFE:200mA
直流電流增益 hfe, 最小值:24
飽和電壓, Vce sat 最大:500mV
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上海 0 新加坡 0 英國495 |
1 |
5 |
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NXP - PMD9010D - 晶體管 NPN/PNP 45V SSOT-6 |
晶體管極性:NPN / PNP
電壓, Vceo:45V
工作溫度范圍:-65°C to +150°C
封裝類型:SSOT-6
封裝類型:SSOT-6
晶體管類型:General Purpose
表面安裝器件:表面安裝
SMD標號:AA
功耗:290mW
總功率, Ptot:290mW
最大連續(xù)電流, Ic:100mA
電壓, Vcbo:50V
電流, Ic hFE:200mA
直流電流增益 hfe, 最小值:24
飽和電壓, Vce sat 最大:200mV
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上海 0 新加坡 0 英國425 |
1 |
5 |
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NXP - PMD9003D - 晶體管 NPN/PNP 50V SSOT-6 |
晶體管極性:NPN / PNP
電壓, Vceo:45V
工作溫度范圍:-65°C to +150°C
封裝類型:SSOT-6
封裝類型:SSOT-6
晶體管類型:General Purpose
表面安裝器件:表面安裝
SMD標號:9D
功耗:290mW
總功率, Ptot:290mW
最大連續(xù)電流, Ic:100mA
電壓, Vcbo:50V
電流, Ic hFE:20mA
電阻, R1:10kohm
電阻, R2:10kohm
直流電流增益 hfe, 最小值:30
飽和電壓, Vce sat 最大:150mV
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上海 0 新加坡 0 英國345 |
1 |
5 |
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NXP - PMD9002D - 晶體管 NPN/PNP 50V SSOT-6 |
晶體管極性:NPN / PNP
電壓, Vceo:45V
工作溫度范圍:-65°C to +150°C
封裝類型:SSOT-6
封裝類型:SSOT-6
晶體管類型:General Purpose
表面安裝器件:表面安裝
SMD標號:9C
功耗:290mW
總功率, Ptot:290mW
最大連續(xù)電流, Ic:100mA
電壓, Vcbo:50V
電流, Ic hFE:20mA
電阻, R1:4.7kohm
電阻, R2:4.7kohm
直流電流增益 hfe, 最小值:30
飽和電壓, Vce sat 最大:150mV
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上海 0 新加坡 0 英國462 |
1 |
5 |
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NXP - PMD9001D - 晶體管 NPN/PNP 50V SSOT-6 |
晶體管極性:NPN / PNP
電壓, Vceo:45V
工作溫度范圍:-65°C to +150°C
封裝類型:SSOT-6
封裝類型:SSOT-6
晶體管類型:General Purpose
表面安裝器件:表面安裝
SMD標號:9B
功耗:290mW
總功率, Ptot:290mW
最大連續(xù)電流, Ic:100mA
電壓, Vcbo:50V
電流, Ic hFE:200mA
電阻, R1:2.2kohm
電阻, R2:2.2kohm
直流電流增益 hfe, 最小值:24
飽和電壓, Vce sat 最大:150mV
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上海 0 新加坡 0 英國385 |
1 |
5 |
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NXP - PMD3001D - 晶體管 NPN/PNP 40V 1A SSOT-6 |
模塊配置:雙
晶體管極性:NPN / PNP
電壓, Vceo:40V
功耗, Pd:580mW
集電極直流電流:1A
直流電流增益 hFE:450
工作溫度范圍:-65°C to +150°C
封裝類型:SSOT-6
封裝類型:SSOT-6
晶體管類型:Bipolar
表面安裝器件:表面安裝
SMD標號:9F
功耗:330mW
總功率, Ptot:330mW
最大連續(xù)電流, Ic:1000mA
電壓, Vcbo:40V
電流, Ic hFE:2000mA
直流電流增益 hfe, 最小值:50
飽和電壓, Vce sat 最大:80mV
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上海285 新加坡 0 英國4720 |
1 |
5 |
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NXP - PMD2001D - 晶體管 NPN/PNP 40V SSOT-6 |
晶體管極性:NPN / PNP
電壓, Vceo:40V
工作溫度范圍:-65°C to +150°C
封裝類型:SSOT-6
封裝類型:SSOT-6
晶體管類型:General Purpose
表面安裝器件:表面安裝
SMD標號:9E
功耗:320mW
總功率, Ptot:320mW
最大連續(xù)電流, Ic:600mA
電壓, Vcbo:40V
電流, Ic hFE:500mA
直流電流增益 hfe, 最小值:50
飽和電壓, Vce sat 最大:250mV
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上海 0 新加坡 0 英國4234 |
1 |
5 |
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NXP - BCM857BV - 晶體管 雙 PNP SOT-666 |
晶體管極性:PNP
電壓, Vceo:45V
截止頻率 ft, 典型值:175MHz
工作溫??范圍:-65°C to +150°C
封裝類型:SOT-666
封裝類型:SOT-666
晶體管類型:Double
最小增益帶寬 ft:100MHz
表面安裝器件:表面安裝
SMD標號:3B
功率 Ptot (每器件):300mW
功耗:200mW
總功率, Ptot:200mW
最大連續(xù)電流, Ic:100mA
電壓, Vcbo:50V
電流, Ic hFE:2mA
電流, Ic 最大:100mA
直流電流增益 hfe, 最小值:200
飽和電壓, Vce sat 最大:-200mV
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无库存 |
1 |
5 |
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TEXAS INSTRUMENTS - ULN2803AN.. - 芯片 達林頓晶體管陣列 500mA x8 |
芯片 達林頓晶體管陣列 500mA x8
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美國 0 上海80 美國 0 新加坡900 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - MBT2222ADW1T1G - 雙極性晶體管 HFE 300 |
雙極性晶體管 HFE 300
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美國 0 上海 0 美國14900 新加坡722 |
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1 |
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DIODES INC. - ZDT6790TA - 晶體管 NPN/PNP SM-8 |
模塊配置:雙
晶體管極性:NPN / PNP
電壓, Vceo:40V
截止頻率 ft, 典型值:150MHz
功耗, Pd:2.75W
集電極直流電流:2A
直流電流增益 hFE:500
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:SM-8
SVHC(高度關注物質):No SVHC (18-Jun-2010)
封裝類型:SM-8
晶體管類型:Bipolar
最小增益帶寬 ft:150MHz
表面安裝器件:表面安裝
功率 Ptot (每器件):2.25W
功耗:2.75W
峰值電流, Icm:6A
總功率, Ptot:2.75W
時間, t off:1300ns
時間, t on:33ns
最大連續(xù)電流, Ic:2A
電壓, Vcbo:45V
電流, Ic hFE:2A
電流, Ic 最大:2A
直流電流增益 hfe, 最小值:150
飽和電??, Vce sat 最大:0.5V
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上海 0 新加坡35 英國 0 |
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1 |
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ANALOG DEVICES - MAT04FPZ - 芯片 四晶體管 |
模塊配置:Quad
晶體管極性:NPN
電壓, Vceo:40V
截止頻率 ft, 典型值:300MHz
功耗, Pd:350mW
集電極直流電流:30mA
直流電流增益 hFE:600
工作溫度范圍:-40°C to +85°C
封裝類型:PDIP
針腳數(shù):14
封裝類型:PDIP
晶體管數(shù):4
表面安裝器件:通孔安裝
器件標號:4
工作溫度最低:-40°C
工作溫度最高:85°C
最大連續(xù)電流, Ic:30mA
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停产 |
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1 |
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ANALOG DEVICES - SSM2220SZ - 芯片 雙音頻晶體管 |
晶體管極性:Dual PNP
電壓, Vceo:36V
集電極直流電流:20mA
直流電流增益 hFE:165
工作溫度范圍:-40°C to +85°C
封裝類型:SOIC
針腳數(shù):8
SVHC(高度關注物質):No SVHC (18-Jun-2010)
封裝類型:SOIC
表面安裝器件:表面安裝
器件標號:2220
工作溫度最低:-40°C
工作溫度最高:85°C
帶寬:190MHz
電源電流:20mA
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上海 0 新加坡 0 英國62 |
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