DIODES INC. - ZXMN3A06DN8TA - 場效應(yīng)管 MOSFET 雙N型 30V SO8
制造商：DIODES INC.
庫存編號：
制造商編號：ZXMN3A06DN8TA
庫存狀態(tài)：上海 0 , 新加坡 0 , 英國149
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價(jià)格(不含稅)：CNY 14.90
價(jià)格：
庫存編號：
制造商編號：ZXMN3A06DN8TA
庫存狀態(tài)：上海 0 , 新加坡 0 , 英國149
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價(jià)格(不含稅)：CNY 14.90
價(jià)格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 9 | CNY 14.90 |
| 10 - 99 | CNY 10.80 |
| 100+ | CNY 6.90 |
描述信息：
- 模塊配置:Dual N Channel
- 晶體管極性:Dual N
- 漏極電流, Id 最大值:6.2A
- 電壓, Vds 最大:30V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):0.035ohm
- 電壓 @ Rds測量:10V
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:1V
- 功耗:2.1W
- 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
- 封裝類型:SOIC
- SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
- 封裝類型:SOIC
- 晶體管數(shù):2
- 晶體管類型:MOSFET
- 表面安裝器件:表面安裝
- 針腳配置:1(S1), 2(G1),3(S2),4(G2),5+6(D2),7+8(D1)
- 功率, Pd:1.25W
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
- 電壓, Vds 典型值:30V
- 電流, Id 連續(xù):6.2A
- 電流, Idm 脈沖:30A
產(chǎn)品屬性：
重量（公斤）：0.00007
原產(chǎn)地：
最近制造加工所發(fā)生的國家：
描述信息：
- 模塊配置:Dual N Channel
- 晶體管極性:Dual N
- 漏極電流, Id 最大值:6.2A
- 電壓, Vds 最大:30V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):0.035ohm
- 電壓 @ Rds測量:10V
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:1V
- 功耗:2.1W
- 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
- 封裝類型:SOIC
- SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
- 封裝類型:SOIC
- 晶體管數(shù):2
- 晶體管類型:MOSFET
- 表面安裝器件:表面安裝
- 針腳配置:1(S1), 2(G1),3(S2),4(G2),5+6(D2),7+8(D1)
- 功率, Pd:1.25W
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
- 電壓, Vds 典型值:30V
- 電流, Id 連續(xù):6.2A
- 電流, Idm 脈沖:30A
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