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DIODES INC. - ZXMC3A17DN8TA - 場效應(yīng)管 MOSFET N型+P型 30V SO8

DIODES INC. - ZXMC3A17DN8TA - 場效應(yīng)管 MOSFET N型+P型 30V SO8
制造商:DIODES INC.
庫存編號(hào):
制造商編號(hào):ZXMC3A17DN8TA
庫存狀態(tài):上海 0 , 新加坡50, 英國2687
包裝規(guī)格:1
最小訂單量:1
多重訂單量:1
單位價(jià)格(不含稅):CNY 11.07
價(jià)格:
数量 单位价格(不含税)
1  - 24 CNY 11.07
25  - 99 CNY 8.02
100  - 249 CNY 6.78
250+  CNY 6.47

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描述信息:
  • 模塊配置:NP
  • 晶體管極性:NP
  • 漏極電流, Id 最大值:5.4A
  • 電壓, Vds 最大:30V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.07ohm
  • 電壓 @ Rds測量:10V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1V
  • 功耗:2.1W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:SOIC
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封裝類型:SOIC
  • 晶體管數(shù):2
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 針腳配置:1(S1), 2(G1),3(S2),4(G2),5+6(D2),7+8(D1)
  • 功率, Pd:1.25W
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:30V
  • 電流, Id 連續(xù):4.4A
  • 電流, Idm 脈沖:20A
產(chǎn)品屬性:

重量(公斤):0.00007
原產(chǎn)地:
最近制造加工所發(fā)生的國家:

描述信息:
  • 模塊配置:NP
  • 晶體管極性:NP
  • 漏極電流, Id 最大值:5.4A
  • 電壓, Vds 最大:30V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.07ohm
  • 電壓 @ Rds測量:10V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1V
  • 功耗:2.1W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:SOIC
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封裝類型:SOIC
  • 晶體管數(shù):2
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 針腳配置:1(S1), 2(G1),3(S2),4(G2),5+6(D2),7+8(D1)
  • 功率, Pd:1.25W
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:30V
  • 電流, Id 連續(xù):4.4A
  • 電流, Idm 脈沖:20A