TOSHIBA - 2SJ668(TE16L1NQ) - 場效應(yīng)管 MOSFET P溝道 5A 60V DPAK
制造商：TOSHIBA
庫存編號(hào)：
制造商編號(hào)：2SJ668(TE16L1NQ)
庫存狀態(tài)：上海 0 , 新加坡888, 英國1776
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價(jià)格(不含稅)：CNY 4.20
價(jià)格：
庫存編號(hào)：
制造商編號(hào)：2SJ668(TE16L1NQ)
庫存狀態(tài)：上海 0 , 新加坡888, 英國1776
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價(jià)格(不含稅)：CNY 4.20
價(jià)格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 4.20 |
| 25 - 99 | CNY 3.70 |
| 100 - 249 | CNY 3.40 |
| 250+ | CNY 3.10 |
描述信息：
- 晶體管極性:P
- 漏極電流, Id 最大值:-5A
- 電壓, Vds 最大:-60V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):0.17ohm
- 電壓 @ Rds測量:-10V
- 電壓, Vgs 最高:-20V
- 功耗:20W
- 封裝類型:DPAK
- 封裝類型:PW-MOLD
- 晶體管類型:Power MOSFET
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
- 電壓, Vds 典型值:60V
- 電流, Id 連續(xù):5A
- 表面安裝器件:表面安裝
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:2V
產(chǎn)品屬性：
重量（公斤）：0.00143
原產(chǎn)地：
最近制造加工所發(fā)生的國家：
描述信息：
- 晶體管極性:P
- 漏極電流, Id 最大值:-5A
- 電壓, Vds 最大:-60V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):0.17ohm
- 電壓 @ Rds測量:-10V
- 電壓, Vgs 最高:-20V
- 功耗:20W
- 封裝類型:DPAK
- 封裝類型:PW-MOLD
- 晶體管類型:Power MOSFET
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
- 電壓, Vds 典型值:60V
- 電流, Id 連續(xù):5A
- 表面安裝器件:表面安裝
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:2V
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