ROHM - US6K1TR - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET 雙 NN
制造商：ROHM
庫(kù)存編號(hào)：
制造商編號(hào)：US6K1TR
庫(kù)存狀態(tài)：上海 0 , 新加坡 0 , 英國(guó)2023
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價(jià)格(不含稅)：CNY 3.68
價(jià)格：
庫(kù)存編號(hào)：
制造商編號(hào)：US6K1TR
庫(kù)存狀態(tài)：上海 0 , 新加坡 0 , 英國(guó)2023
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價(jià)格(不含稅)：CNY 3.68
價(jià)格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 3.68 |
描述信息：
- 晶體管極性:Dual N
- 電壓, Vds 最大:30V
- 開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):0.34ohm
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.5V
- 封裝類(lèi)型:TUMT6
- 封裝類(lèi)型:TUMT6
- 晶體管類(lèi)型:Low Gate Drive
- 表面安裝器件:表面安裝
- 功率, Pd:1W
- 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:2.5V
- 電壓, Vds 典型值:30V
- 電流, Id 連續(xù):1.5A
- 電流, Idm 脈沖:6A
- 閾值電壓, Vgs th 最低:1.5V
- 閾值電壓, Vgs th 最高:0.5V
產(chǎn)品屬性：
重量（公斤）：0.00001
原產(chǎn)地：
最近制造加工所發(fā)生的國(guó)家：
描述信息：
- 晶體管極性:Dual N
- 電壓, Vds 最大:30V
- 開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):0.34ohm
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.5V
- 封裝類(lèi)型:TUMT6
- 封裝類(lèi)型:TUMT6
- 晶體管類(lèi)型:Low Gate Drive
- 表面安裝器件:表面安裝
- 功率, Pd:1W
- 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:2.5V
- 電壓, Vds 典型值:30V
- 電流, Id 連續(xù):1.5A
- 電流, Idm 脈沖:6A
- 閾值電壓, Vgs th 最低:1.5V
- 閾值電壓, Vgs th 最高:0.5V
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