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VISHAY SILICONIX - SI4539ADY-T1-E3 - 雙MOSFET NP 每卷2500

VISHAY SILICONIX - SI4539ADY-T1-E3 - 雙MOSFET NP 每卷2500
制造商：VISHAY SILICONIX
庫存編號：
制造商編號：SI4539ADY-T1-E3
庫存狀態(tài)：上海 0 , 新加坡 0 , 英國1
包裝規(guī)格：2,500
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價格(不含稅)：CNY 14,866.73
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描述信息：
  • 模塊配置:NP
  • 晶體管極性:N溝道/P溝道互補
  • 漏極電流, Id 最大值:4.4A
  • 電壓, Vds 最大:30V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.036ohm
  • 電壓 @ Rds測量:10V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1V
  • 功耗:1.1W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:SOIC
  • 針腳數(shù):8
  • 封裝類型:SOIC
  • 晶體管數(shù):2
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 每卷數(shù)量:2500
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • N溝道柵極電荷 Qg:13nC
  • P溝道柵極電荷 Qg:15nC
  • 功率, Pd:1.1W
  • 帶子寬度:12mm
  • 最高電壓, Vds P溝道:30V
  • 漏極連續(xù)電???, Id P溝道:3.7A
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds N溝道 1:30V
  • 電壓, Vds P溝道 1:30V
  • 電壓, Vds 典型值:30V
  • 電流, Id 連續(xù):5.9A
  • 電流, Idm 脈沖:30A
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V N溝道:0.036ohm
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V P溝道:0.053ohm
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N溝道:0.053ohm
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 4.5V P溝道:0.09ohm
  • 通態(tài)電阻, Rds on P溝道 最大:0.053ohm
產(chǎn)品屬性：

重量（公斤）：0.2
原產(chǎn)地：
最近制造加工所發(fā)生的國家：

描述信息：
  • 模塊配置:NP
  • 晶體管極性:N溝道/P溝道互補
  • 漏極電流, Id 最大值:4.4A
  • 電壓, Vds 最大:30V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.036ohm
  • 電壓 @ Rds測量:10V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1V
  • 功耗:1.1W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:SOIC
  • 針腳數(shù):8
  • 封裝類型:SOIC
  • 晶體管數(shù):2
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 每卷數(shù)量:2500
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • N溝道柵極電荷 Qg:13nC
  • P溝道柵極電荷 Qg:15nC
  • 功率, Pd:1.1W
  • 帶子寬度:12mm
  • 最高電壓, Vds P溝道:30V
  • 漏極連續(xù)電???, Id P溝道:3.7A
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds N溝道 1:30V
  • 電壓, Vds P溝道 1:30V
  • 電壓, Vds 典型值:30V
  • 電流, Id 連續(xù):5.9A
  • 電流, Idm 脈沖:30A
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V N溝道:0.036ohm
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V P溝道:0.053ohm
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N溝道:0.053ohm
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 4.5V P溝道:0.09ohm
  • 通態(tài)電阻, Rds on P溝道 最大:0.053ohm