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IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH14N100Q2 - 場效應(yīng)管 MOSFET N TO-247

IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH14N100Q2 - 場效應(yīng)管 MOSFET N TO-247
制造商:IXYS SEMICONDUCTOR
庫存編號:
制造商編號:IXFH14N100Q2
庫存狀態(tài):无库存
包裝規(guī)格:1
最小訂單量:1
多重訂單量:1
單位價格(不含稅):CNY 178.10
價格:
数量 单位价格(不含税)
1  - 9 CNY 178.10
10  - 49 CNY 143.00
50  - 249 CNY 110.10
250+  CNY 101.30

訂購
描述信息:
  • 晶體管極性:N溝道
  • 漏極電流, Id 最大值:14A
  • 電壓, Vds 最大:1000V
  • 開態(tài)電??, Rds(on):0.9ohm
  • 電壓 @ Rds測量:10V
  • 電壓, Vgs 最高:20V
  • 功耗:500W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:TO-247
  • 針腳數(shù):3
  • N溝道柵極電荷 Qg:83nC
  • 功率, Pd:500W
  • 單脈沖雪崩能量 Eas:2.5J
  • 封裝類型:TO-247
  • 時間, trr 典型值:300ns
  • 晶體管數(shù):1
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 最大重復(fù)雪崩能量 Ear:50mJ
  • 溫度 @ 電流測量:25°C
  • 滿功率溫度:25°C
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:1000V
  • 電壓變化率 dv/dt:20V/ns
  • 電流, Id 連續(xù):14A
  • 電流, Idm 脈沖:56A
  • 結(jié)溫, Tj 最低:-55°C
  • 結(jié)溫, Tj 最高:150°C
  • 表面安裝器件:通孔安裝
  • 通態(tài)電阻, Rds on 最大:0.9ohm
  • 重量:6g
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:5V
  • 閾值電壓, Vgs th 最高:5V
產(chǎn)品屬性:

重量(公斤):0.006
原產(chǎn)地:
最近制造加工所發(fā)生的國家:

描述信息:
  • 晶體管極性:N溝道
  • 漏極電流, Id 最大值:14A
  • 電壓, Vds 最大:1000V
  • 開態(tài)電??, Rds(on):0.9ohm
  • 電壓 @ Rds測量:10V
  • 電壓, Vgs 最高:20V
  • 功耗:500W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:TO-247
  • 針腳數(shù):3
  • N溝道柵極電荷 Qg:83nC
  • 功率, Pd:500W
  • 單脈沖雪崩能量 Eas:2.5J
  • 封裝類型:TO-247
  • 時間, trr 典型值:300ns
  • 晶體管數(shù):1
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 最大重復(fù)雪崩能量 Ear:50mJ
  • 溫度 @ 電流測量:25°C
  • 滿功率溫度:25°C
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:1000V
  • 電壓變化率 dv/dt:20V/ns
  • 電流, Id 連續(xù):14A
  • 電流, Idm 脈沖:56A
  • 結(jié)溫, Tj 最低:-55°C
  • 結(jié)溫, Tj 最高:150°C
  • 表面安裝器件:通孔安裝
  • 通態(tài)電阻, Rds on 最大:0.9ohm
  • 重量:6g
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:5V
  • 閾值電壓, Vgs th 最高:5V