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IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH20N60 - 場效應(yīng)管 MOSFET N TO-247

IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH20N60 - 場效應(yīng)管 MOSFET N TO-247
制造商：IXYS SEMICONDUCTOR
庫存編號：
制造商編號：IXFH20N60
庫存狀態(tài)：上海 0 , 新加坡 0 , 英國17
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價格(不含稅)：CNY 85.20
價格：
数量 单位价格(不含税)
1  - 9 CNY 85.20
10  - 49 CNY 65.60
50+  CNY 58.14

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描述信息：
  • 晶體管極性:N溝道
  • 漏極電流, Id 最大值:20A
  • 電壓, Vds 最大:600V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.35ohm
  • 電壓 @ Rds測量:10V
  • 電壓, Vgs 最高:20V
  • 功耗:300W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:TO-247
  • 針腳數(shù):3
  • N溝道柵極電荷 Qg:151nC
  • 功率, Pd:300W
  • 封裝類型:TO-247
  • 時間, trr 典型值:250ns
  • 晶體管數(shù):1
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 最大重復(fù)雪崩能量 Ear:30mJ
  • 溫度 @ 電流測量:25°C
  • 滿功率溫度:25°C
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:600V
  • 電壓變化率 dv/dt:5V/ns
  • 電流, Id 連續(xù):20A
  • 電流, Idm 脈沖:60A
  • 結(jié)??, Tj 最低:-55°C
  • 結(jié)溫, Tj 最高:150°C
  • 表面安裝器件:通孔安裝
  • 通態(tài)電阻, Rds on 最大:0.35ohm
  • 重量:6g
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:4.5V
  • 閾值電壓, Vgs th 最高:4.5V
產(chǎn)品屬性：

重量（公斤）：0.006
原產(chǎn)地：
最近制造加工所發(fā)生的國家：

描述信息：
  • 晶體管極性:N溝道
  • 漏極電流, Id 最大值:20A
  • 電壓, Vds 最大:600V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.35ohm
  • 電壓 @ Rds測量:10V
  • 電壓, Vgs 最高:20V
  • 功耗:300W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:TO-247
  • 針腳數(shù):3
  • N溝道柵極電荷 Qg:151nC
  • 功率, Pd:300W
  • 封裝類型:TO-247
  • 時間, trr 典型值:250ns
  • 晶體管數(shù):1
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 最大重復(fù)雪崩能量 Ear:30mJ
  • 溫度 @ 電流測量:25°C
  • 滿功率溫度:25°C
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:600V
  • 電壓變化率 dv/dt:5V/ns
  • 電流, Id 連續(xù):20A
  • 電流, Idm 脈沖:60A
  • 結(jié)??, Tj 最低:-55°C
  • 結(jié)溫, Tj 最高:150°C
  • 表面安裝器件:通孔安裝
  • 通態(tài)電阻, Rds on 最大:0.35ohm
  • 重量:6g
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:4.5V
  • 閾值電壓, Vgs th 最高:4.5V