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VISHAY SILICONIX - SI4559ADY-T1-E3 - 場效應(yīng)管 MOSFET N/P SO-8

VISHAY SILICONIX - SI4559ADY-T1-E3 - 場效應(yīng)管 MOSFET N/P SO-8
制造商：VISHAY SILICONIX
庫存編號：
制造商編號：SI4559ADY-T1-E3
庫存狀態(tài)：上海55, 新加坡 0 , 英國990
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價格(不含稅)：CNY 13.20
價格：
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1+  CNY 13.20

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描述信息：
  • 晶體管極性:NP
  • 漏極電流, Id 最大值:4.3A
  • 電壓, Vds 最大:60V
  • 電壓 @ Rds測量:10V
  • 電壓, Vgs 最高:3V
  • 功耗:2W
  • 封裝類型:SO
  • 針腳數(shù):8
  • 功耗, N溝道 1:3.1W
  • 功耗, P溝道 1:3.4W
  • 封裝類型:SO-8
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 最低閾值電壓, Vgs th N溝道 1:1V
  • 最低閾值電壓, Vgs th P溝道:1V
  • 最高閾值電壓, Vgs th P溝道:3V
  • 漏極連續(xù)電流, Id N溝道:5.3A
  • 漏極連續(xù)電流, Id P溝道:3.9A
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:60V
  • 結(jié)溫, Tj 最低:150°C
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V N溝道:0.058ohm
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V P溝道:0.12ohm
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N溝道:0.072ohm
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 4.5V P溝道:0.15ohm
產(chǎn)品屬性：

重量（公斤）：0.0004
原產(chǎn)地：
最近制造加工所發(fā)生的國家：

描述信息：
  • 晶體管極性:NP
  • 漏極電流, Id 最大值:4.3A
  • 電壓, Vds 最大:60V
  • 電壓 @ Rds測量:10V
  • 電壓, Vgs 最高:3V
  • 功耗:2W
  • 封裝類型:SO
  • 針腳數(shù):8
  • 功耗, N溝道 1:3.1W
  • 功耗, P溝道 1:3.4W
  • 封裝類型:SO-8
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 最低閾值電壓, Vgs th N溝道 1:1V
  • 最低閾值電壓, Vgs th P溝道:1V
  • 最高閾值電壓, Vgs th P溝道:3V
  • 漏極連續(xù)電流, Id N溝道:5.3A
  • 漏極連續(xù)電流, Id P溝道:3.9A
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:60V
  • 結(jié)溫, Tj 最低:150°C
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V N溝道:0.058ohm
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V P溝道:0.12ohm
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N溝道:0.072ohm
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 4.5V P溝道:0.15ohm