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VISHAY SILICONIX - SI4565DY-T1-E3 - 雙MOSFET N/P溝道 SO-8

VISHAY SILICONIX - SI4565DY-T1-E3 - 雙MOSFET N/P溝道 SO-8
制造商：VISHAY SILICONIX
庫存編號(hào)：
制造商編號(hào)：SI4565DY-T1-E3
庫存狀態(tài)：停产
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價(jià)格(不含稅)：
價(jià)格：

訂購
描述信息：
  • 晶體管極性:NP
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.04ohm
  • 封裝類型:SO
  • 封裝類型:SO-8
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 結(jié)溫, Tj 最低:150°C
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 功耗, N溝道 1:1.1W
  • 功耗, P溝道 1:1.1W
  • 最低閾值電壓, Vgs th N溝道 1:0.6V
  • 最低閾值電壓, Vgs th P溝道:0.8V
  • 最高閾值電壓, Vgs th P溝道:2.2V
  • 漏極連續(xù)電流, Id N溝道:5.2A
  • 漏極連續(xù)電流, Id P溝道:4.5A
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:40V
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V N溝道:0.04ohm
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V P溝道:0.054ohm
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N溝道:0.045ohm
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 4.5V P溝道:0.072ohm
產(chǎn)品屬性：

重量（公斤）：0.0004
原產(chǎn)地：
最近制造加工所發(fā)生的國家：

描述信息：
  • 晶體管極性:NP
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.04ohm
  • 封裝類型:SO
  • 封裝類型:SO-8
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 結(jié)溫, Tj 最低:150°C
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 功耗, N溝道 1:1.1W
  • 功耗, P溝道 1:1.1W
  • 最低閾值電壓, Vgs th N溝道 1:0.6V
  • 最低閾值電壓, Vgs th P溝道:0.8V
  • 最高閾值電壓, Vgs th P溝道:2.2V
  • 漏極連續(xù)電流, Id N溝道:5.2A
  • 漏極連續(xù)電流, Id P溝道:4.5A
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:40V
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V N溝道:0.04ohm
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V P溝道:0.054ohm
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N溝道:0.045ohm
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 4.5V P溝道:0.072ohm