VISHAY SILICONIX - SI7120DN-T1-GE3 - 場效應管 MOSFET N PPAK1212
制造商：VISHAY SILICONIX
庫存編號：
制造商編號：SI7120DN-T1-GE3
庫存狀態(tài)：无库存
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價格(不含稅)：CNY 20.70
價格：
庫存編號：
制造商編號：SI7120DN-T1-GE3
庫存狀態(tài)：无库存
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價格(不含稅)：CNY 20.70
價格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 20.70 |
描述信息：
- 晶體管極性:N
- 漏極電流, Id 最大值:6.3A
- 電壓, Vds 最大:60V
- 開態(tài)電???, Rds(on):0.019ohm
- 電壓 @ Rds測量:10V
- 電壓, Vgs 最高:20V
- 功耗:1.5W
- 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
- 封裝類型:PowerPAK
- 上升時間:12ns
- 功率, Pd:1.5W
- 封裝類型:PowerPAK
- 晶體管類型:MOSFET
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
- 電壓, Vds 典型值:60V
- 電流, Id 連續(xù):10A
- 結溫, Tj 最高:150°C
- 表面安裝器件:表面安裝
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:2.5V
- 閾值電壓, Vgs th 最低:1.5V
- 閾值電壓, Vgs th 最高:3.5V
產(chǎn)品屬性：
重量（公斤）：0.002
原產(chǎn)地：
最近制造加工所發(fā)生的國家：
描述信息：
- 晶體管極性:N
- 漏極電流, Id 最大值:6.3A
- 電壓, Vds 最大:60V
- 開態(tài)電???, Rds(on):0.019ohm
- 電壓 @ Rds測量:10V
- 電壓, Vgs 最高:20V
- 功耗:1.5W
- 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
- 封裝類型:PowerPAK
- 上升時間:12ns
- 功率, Pd:1.5W
- 封裝類型:PowerPAK
- 晶體管類型:MOSFET
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
- 電壓, Vds 典型值:60V
- 電流, Id 連續(xù):10A
- 結溫, Tj 最高:150°C
- 表面安裝器件:表面安裝
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:2.5V
- 閾值電壓, Vgs th 最低:1.5V
- 閾值電壓, Vgs th 最高:3.5V
