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VISHAY SILICONIX - SI2312BDS-T1-GE3 - 場效應(yīng)管 MOSFET N SOT-23

VISHAY SILICONIX - SI2312BDS-T1-GE3 - 場效應(yīng)管 MOSFET N SOT-23
制造商：VISHAY SILICONIX
庫存編號：
制造商編號：SI2312BDS-T1-GE3
庫存狀態(tài)：上海160, 新加坡36, 英國895
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價格(不含稅)：CNY 4.16
價格：
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描述信息：
  • 晶體管極性:N
  • 漏極電流, Id 最大值:5A
  • 電壓, Vds 最大:20V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.031ohm
  • 電壓 @ Rds測量:20V
  • 電壓, Vgs 最高:8V
  • 功耗:750mW
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:SOT-23
  • 針腳數(shù):3
  • 上升時間:30ns
  • 功率, Pd:0.75W
  • 封裝類型:SOT-23
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:4.5V
  • 電壓, Vds 典型值:20V
  • 電流, Id 連續(xù):5A
  • 結(jié)溫, Tj 最高:150°C
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:8V
  • 閾值電壓, Vgs th 最低:0.45V
  • 閾值電壓, Vgs th 最高:0.85V
產(chǎn)品屬性：

重量（公斤）：0.00001
原產(chǎn)地：
最近制造加工所發(fā)生的國家：

描述信息：
  • 晶體管極性:N
  • 漏極電流, Id 最大值:5A
  • 電壓, Vds 最大:20V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.031ohm
  • 電壓 @ Rds測量:20V
  • 電壓, Vgs 最高:8V
  • 功耗:750mW
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:SOT-23
  • 針腳數(shù):3
  • 上升時間:30ns
  • 功率, Pd:0.75W
  • 封裝類型:SOT-23
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:4.5V
  • 電壓, Vds 典型值:20V
  • 電流, Id 連續(xù):5A
  • 結(jié)溫, Tj 最高:150°C
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:8V
  • 閾值電壓, Vgs th 最低:0.45V
  • 閾值電壓, Vgs th 最高:0.85V