VISHAY SILICONIX - SI7174DP-T1-GE3 - 場效應管 MOSFET N SO-8
制造商：VISHAY SILICONIX
庫存編號：
制造商編號：SI7174DP-T1-GE3
庫存狀態(tài)：上海 0 , 新加坡6, 英國 0
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價格(不含稅)：CNY 28.34
價格：
庫存編號：
制造商編號：SI7174DP-T1-GE3
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最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價格(不含稅)：CNY 28.34
價格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 28.34 |
描述信息：
- 晶體管極性:N
- 漏極電流, Id 最大值:60A
- 電壓, Vds 最大:75V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):0.007ohm
- 電壓 @ Rds測量:20V
- 電壓, Vgs 最高:4.5V
- 功耗:6.25W
- 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
- 封裝類型:PowerPAK
- 針腳數(shù):8
- 上升時間:11ns
- 功率, Pd:104W
- 封裝類型:PowerPAK
- 晶體管類型:MOSFET
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
- 電壓, Vds 典型值:75V
- 電流, Id 連續(xù):60A
- 結(jié)溫, Tj 最高:150°C
- 表面安裝器件:表面安裝
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:4.5V
- 閾值電壓, Vgs th 最低:2.5V
- 閾值電壓, Vgs th 最高:4.5V
產(chǎn)品屬性：
重量（公斤）：0.0004
原產(chǎn)地：
最近制造加工所發(fā)生的國家：
描述信息：
- 晶體管極性:N
- 漏極電流, Id 最大值:60A
- 電壓, Vds 最大:75V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):0.007ohm
- 電壓 @ Rds測量:20V
- 電壓, Vgs 最高:4.5V
- 功耗:6.25W
- 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
- 封裝類型:PowerPAK
- 針腳數(shù):8
- 上升時間:11ns
- 功率, Pd:104W
- 封裝類型:PowerPAK
- 晶體管類型:MOSFET
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
- 電壓, Vds 典型值:75V
- 電流, Id 連續(xù):60A
- 結(jié)溫, Tj 最高:150°C
- 表面安裝器件:表面安裝
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:4.5V
- 閾值電壓, Vgs th 最低:2.5V
- 閾值電壓, Vgs th 最高:4.5V
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