VISHAY SILICONIX - SIB419DK-T1-GE3 - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET P PPAK SC-75
制造商：VISHAY SILICONIX
庫(kù)存編號(hào)：
制造商編號(hào)：SIB419DK-T1-GE3
庫(kù)存狀態(tài)：上海80, 新加坡90, 英國(guó)1800
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價(jià)格(不含稅)：CNY 9.20
價(jià)格：
庫(kù)存編號(hào)：
制造商編號(hào)：SIB419DK-T1-GE3
庫(kù)存狀態(tài)：上海80, 新加坡90, 英國(guó)1800
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價(jià)格(不含稅)：CNY 9.20
價(jià)格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 9.20 |
描述信息：
- 晶體管極性:P
- 漏極電流, Id 最大值:-9A
- 電壓, Vds 最大:-12V
- 開??電阻, Rds(on):0.06ohm
- 電壓 @ Rds測(cè)量:8V
- 電壓, Vgs 最高:-1V
- 功耗:2.45W
- 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
- 封裝類型:SC-75
- 針腳數(shù):6
- 上升時(shí)間:42ns
- 功率, Pd:13.1W
- 封裝類型:SC-75
- 晶體管類型:MOSFET
- 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:4.5V
- 電壓, Vds 典型值:12V
- 電流, Id 連續(xù):9A
- 結(jié)溫, Tj 最高:150°C
- 表面安裝器件:表面安裝
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:-1V
- 閾值電壓, Vgs th 最低:0.4V
- 閾值電壓, Vgs th 最高:1V
產(chǎn)品屬性：
重量（公斤）：0.0025
原產(chǎn)地：
最近制造加工所發(fā)生的國(guó)家：
描述信息：
- 晶體管極性:P
- 漏極電流, Id 最大值:-9A
- 電壓, Vds 最大:-12V
- 開??電阻, Rds(on):0.06ohm
- 電壓 @ Rds測(cè)量:8V
- 電壓, Vgs 最高:-1V
- 功耗:2.45W
- 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
- 封裝類型:SC-75
- 針腳數(shù):6
- 上升時(shí)間:42ns
- 功率, Pd:13.1W
- 封裝類型:SC-75
- 晶體管類型:MOSFET
- 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:4.5V
- 電壓, Vds 典型值:12V
- 電流, Id 連續(xù):9A
- 結(jié)溫, Tj 最高:150°C
- 表面安裝器件:表面安裝
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:-1V
- 閾值電壓, Vgs th 最低:0.4V
- 閾值電壓, Vgs th 最高:1V
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