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NXP - PSMN1R7-30YL - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N溝道 30V 100A SOT669

NXP - PSMN1R7-30YL - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N溝道 30V 100A SOT669
制造商:NXP
庫(kù)存編號(hào):
制造商編號(hào):PSMN1R7-30YL
庫(kù)存狀態(tài):无库存
包裝規(guī)格:1
最小訂單量:1
多重訂單量:1
單位價(jià)格(不含稅):CNY 25.38
價(jià)格:
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描述信息:
  • 晶體管極性:N Channel
  • 漏極電流, Id 最大值:15A
  • 電壓, Vds 最大:30V
  • 開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):1.29mohm
  • 電壓 @ Rds測(cè)量:10V
  • 電壓, Vgs 最高:20V
  • 功耗:109W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類(lèi)型:SOT-669
  • 功率, Pd:109W
  • 封裝類(lèi)型:SOT-669
  • 晶體管類(lèi)型:MOSFET
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:30V
  • 電流, Id 連續(xù):100A
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 通態(tài)電阻, Rds on 最大:0.0017ohm
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.7V
產(chǎn)品屬性:

重量(公斤):0.00001
原產(chǎn)地:
最近制造加工所發(fā)生的國(guó)家:

描述信息:
  • 晶體管極性:N Channel
  • 漏極電流, Id 最大值:15A
  • 電壓, Vds 最大:30V
  • 開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):1.29mohm
  • 電壓 @ Rds測(cè)量:10V
  • 電壓, Vgs 最高:20V
  • 功耗:109W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類(lèi)型:SOT-669
  • 功率, Pd:109W
  • 封裝類(lèi)型:SOT-669
  • 晶體管類(lèi)型:MOSFET
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:30V
  • 電流, Id 連續(xù):100A
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 通態(tài)電阻, Rds on 最大:0.0017ohm
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.7V