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NXP - PSMN2R0-30YL - 場效應(yīng)管 MOSFET N溝道 30V 100A SOT669

NXP - PSMN2R0-30YL - 場效應(yīng)管 MOSFET N溝道 30V 100A SOT669
制造商:NXP
庫存編號:
制造商編號:PSMN2R0-30YL
庫存狀態(tài):上海 0 , 新加坡18, 英國 0
包裝規(guī)格:1
最小訂單量:1
多重訂單量:1
單位價格(不含稅):CNY 20.40
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描述信息:
  • 晶體管極性:N Channel
  • 漏極電流, Id 最大值:100A
  • 電壓, Vds 最大:30V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):1.55mohm
  • 電壓 @ Rds測量:10V
  • 電壓, Vgs 最高:20V
  • 功耗:97W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:SOT-669
  • 功率, Pd:97W
  • 封裝類型:SOT-669
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:30V
  • 電流, Id 連續(xù):100A
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 通態(tài)電阻, Rds on 最大:0.00155ohm
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.7V
產(chǎn)品屬性:

重量(公斤):0.00001
原產(chǎn)地:
最近制造加工所發(fā)生的國家:

描述信息:
  • 晶體管極性:N Channel
  • 漏極電流, Id 最大值:100A
  • 電壓, Vds 最大:30V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):1.55mohm
  • 電壓 @ Rds測量:10V
  • 電壓, Vgs 最高:20V
  • 功耗:97W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:SOT-669
  • 功率, Pd:97W
  • 封裝類型:SOT-669
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:30V
  • 電流, Id 連續(xù):100A
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 通態(tài)電阻, Rds on 最大:0.00155ohm
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.7V