IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH26N50 - 場效應管 MOSFET N TO-247
制造商：IXYS SEMICONDUCTOR
庫存編號：
制造商編號：IXFH26N50
庫存狀態(tài)：上海 0 , 新加坡21, 英國59
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價格(不含稅)：CNY 74.70
價格：
庫存編號：
制造商編號：IXFH26N50
庫存狀態(tài)：上海 0 , 新加坡21, 英國59
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價格(不含稅)：CNY 74.70
價格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 9 | CNY 74.70 |
| 10 - 49 | CNY 57.60 |
| 50+ | CNY 51.01 |
描述信息：
- 晶體管極性:N溝道
- 漏極電流, Id 最大值:26A
- 電壓, Vds 最大:500V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):0.2ohm
- 電壓 @ Rds測量:10V
- 電壓, Vgs 最高:4V
- 功耗:300W
- 封裝類型:TO-247
- 針腳數(shù):3
- 功率, Pd:300W
- 封裝類型:TO-247
- 封裝類型, 替代:SOT-249
- 晶體管數(shù):1
- 晶體管類型:MOSFET
- 溫度 @ 電流測量:25°C
- 滿功率溫度:25°C
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
- 電壓, Vds 典型值:500V
- 電流, Id 連續(xù):26A
- 電流, Idm 脈沖:104A
- 表面安裝器件:通孔安裝
- 通態(tài)電阻, Rds on 最大:0.2ohm
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:4V
- 閾值電壓, Vgs th 最高:4V
產(chǎn)品屬性：
重量（公斤）：0.006
原產(chǎn)地：
最近制造加工所發(fā)生的國家：
描述信息：
- 晶體管極性:N溝道
- 漏極電流, Id 最大值:26A
- 電壓, Vds 最大:500V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):0.2ohm
- 電壓 @ Rds測量:10V
- 電壓, Vgs 最高:4V
- 功耗:300W
- 封裝類型:TO-247
- 針腳數(shù):3
- 功率, Pd:300W
- 封裝類型:TO-247
- 封裝類型, 替代:SOT-249
- 晶體管數(shù):1
- 晶體管類型:MOSFET
- 溫度 @ 電流測量:25°C
- 滿功率溫度:25°C
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
- 電壓, Vds 典型值:500V
- 電流, Id 連續(xù):26A
- 電流, Idm 脈沖:104A
- 表面安裝器件:通孔安裝
- 通態(tài)電阻, Rds on 最大:0.2ohm
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:4V
- 閾值電壓, Vgs th 最高:4V
