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VISHAY SILICONIX - SI4565ADY-T1-E3 - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N/P SO-8

VISHAY SILICONIX - SI4565ADY-T1-E3 - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N/P SO-8
制造商:VISHAY SILICONIX
庫(kù)存編號(hào):
制造商編號(hào):SI4565ADY-T1-E3
庫(kù)存狀態(tài):上海 0 , 新加坡 0 , 英國(guó)314
包裝規(guī)格:1
最小訂單量:1
多重訂單量:1
單位價(jià)格(不含稅):CNY 12.28
價(jià)格:
数量 单位价格(不含税)
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描述信息:
  • 模塊配置:NP
  • 晶體管極性:NP
  • 漏極電流, Id 最大值:6.6A
  • 電壓, Vds 最大:40V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.04ohm
  • 電壓 @ Rds測(cè)量:10V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:2.2V
  • 功耗:3.1W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:SO
  • 封裝類型:SO-8
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 結(jié)溫, Tj 最低:150°C
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 功耗, N溝道 1:1.1W
  • 功耗, P溝道 1:1.1W
  • 最低閾值電壓, Vgs th N溝道 1:0.6V
  • 最低閾值電壓, Vgs th P溝道:0.8V
  • 最高閾值電壓, Vgs th P溝道:2.2V
  • 漏極連續(xù)電流, Id N溝道:5.2A
  • 漏極連續(xù)電流, Id P溝道:4.5A
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:40V
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V N溝道:0.04ohm
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V P溝道:0.054ohm
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N溝道:0.045ohm
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 4.5V P溝道:0.072ohm
產(chǎn)品屬性:

重量(公斤):0.0004
原產(chǎn)地:
最近制造加工所發(fā)生的國(guó)家:

描述信息:
  • 模塊配置:NP
  • 晶體管極性:NP
  • 漏極電流, Id 最大值:6.6A
  • 電壓, Vds 最大:40V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.04ohm
  • 電壓 @ Rds測(cè)量:10V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:2.2V
  • 功耗:3.1W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:SO
  • 封裝類型:SO-8
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 結(jié)溫, Tj 最低:150°C
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 功耗, N溝道 1:1.1W
  • 功耗, P溝道 1:1.1W
  • 最低閾值電壓, Vgs th N溝道 1:0.6V
  • 最低閾值電壓, Vgs th P溝道:0.8V
  • 最高閾值電壓, Vgs th P溝道:2.2V
  • 漏極連續(xù)電流, Id N溝道:5.2A
  • 漏極連續(xù)電流, Id P溝道:4.5A
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:40V
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V N溝道:0.04ohm
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V P溝道:0.054ohm
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N溝道:0.045ohm
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 4.5V P溝道:0.072ohm