FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDP14AN06LA0 - 場效應管 MOSFET N溝道 60A 60V TO220AB
制造商：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
庫存編號：
制造商編號：FDP14AN06LA0
庫存狀態(tài)：上海 0 , 新加坡20, 英國11
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價格(不含稅)：CNY 33.46
價格：
庫存編號：
制造商編號：FDP14AN06LA0
庫存狀態(tài)：上海 0 , 新加坡20, 英國11
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價格(不含稅)：CNY 33.46
價格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 33.46 |
描述信息：
- 晶體管極性:N
- 漏極電流, Id 最大值:67A
- 電壓, Vds 最大:60V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):12.8mohm
- 電壓 @ Rds測量:10V
- 電壓, Vgs 最高:3V
- 功耗:125W
- 工作溫度范圍:-55°C to +175°C
- 封裝類型:TO-220AB
- 針腳數:3
- 封裝類型:TO-220AB
- 晶體管類型:MOSFET
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:5V
- 電壓, Vds 典型值:60V
- 電流, Id 連續(xù):60A
- 表面安裝器件:通孔安裝
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:3V
產品屬性：
重量（公斤）：0.002
原產地：
最近制造加工所發(fā)生的國家：
描述信息：
- 晶體管極性:N
- 漏極電流, Id 最大值:67A
- 電壓, Vds 最大:60V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):12.8mohm
- 電壓 @ Rds測量:10V
- 電壓, Vgs 最高:3V
- 功耗:125W
- 工作溫度范圍:-55°C to +175°C
- 封裝類型:TO-220AB
- 針腳數:3
- 封裝類型:TO-220AB
- 晶體管類型:MOSFET
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:5V
- 電壓, Vds 典型值:60V
- 電流, Id 連續(xù):60A
- 表面安裝器件:通孔安裝
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:3V
