VISHAY SILICONIX - SI4486EY-T1-E3 - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N溝道
制造商：VISHAY SILICONIX
庫(kù)存編號(hào)：
制造商編號(hào)：SI4486EY-T1-E3
庫(kù)存狀態(tài)：上海 0 , 美國(guó) 0 , 新加坡 0 , 英國(guó)16
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價(jià)格(不含稅)：CNY 25.45
價(jià)格：
庫(kù)存編號(hào)：
制造商編號(hào)：SI4486EY-T1-E3
庫(kù)存狀態(tài)：上海 0 , 美國(guó) 0 , 新加坡 0 , 英國(guó)16
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價(jià)格(不含稅)：CNY 25.45
價(jià)格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 25.45 |
描述信息：
- 晶體管極性:N Channel
- 漏極電流, Id 最大值:7.9A
- 電壓, Vds 最大:100V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):0.025ohm
- 電壓 @ Rds測(cè)量:10V
- 電壓, Vgs 最高:2V
- 功耗:1.8W
- 工作溫度范圍:-55°C to +175°C
- 封裝類型:SOIC
- 針腳數(shù):8
產(chǎn)品屬性：
重量（公斤）：0.002
原產(chǎn)地：
最近制造加工所發(fā)生的國(guó)家：
描述信息：
- 晶體管極性:N Channel
- 漏極電流, Id 最大值:7.9A
- 電壓, Vds 最大:100V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):0.025ohm
- 電壓 @ Rds測(cè)量:10V
- 電壓, Vgs 最高:2V
- 功耗:1.8W
- 工作溫度范圍:-55°C to +175°C
- 封裝類型:SOIC
- 針腳數(shù):8
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