SANYO - 3LN01C-TB-E - 場效應管 MOSFET N溝道 400V 3A SOT89
制造商：SANYO
庫存編號：
制造商編號：3LN01C-TB-E
庫存狀態(tài)：无库存
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價格(不含稅)：CNY 2.73
價格：
庫存編號：
制造商編號：3LN01C-TB-E
庫存狀態(tài)：无库存
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價格(不含稅)：CNY 2.73
價格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 2.73 |
| 25 - 99 | CNY 2.40 |
| 100 - 249 | CNY 1.85 |
| 250 - 499 | CNY 1.64 |
| 500+ | CNY 1.31 |
描述信息：
- 晶體管極性:N
- 漏極電流, Id 最大值:150mA
- 電壓, Vds 最大:30V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):3.7ohm
- 電壓 @ Rds測量:4V
- 電壓, Vgs 最高:10V
- 功耗:0.25W
- 封裝類型:SOT-89
- 封裝類型:CP
- 晶體管類型:MOSFET
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:4V
- 電壓, Vds 典型值:30V
- 電流, Id 連續(xù):0.15A
- 表面安裝器件:表面安裝
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.3V
產品屬性：
重量（公斤）：0.00001
原產地：
最近制造加工所發(fā)生的國家：
描述信息：
- 晶體管極性:N
- 漏極電流, Id 最大值:150mA
- 電壓, Vds 最大:30V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):3.7ohm
- 電壓 @ Rds測量:4V
- 電壓, Vgs 最高:10V
- 功耗:0.25W
- 封裝類型:SOT-89
- 封裝類型:CP
- 晶體管類型:MOSFET
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:4V
- 電壓, Vds 典型值:30V
- 電流, Id 連續(xù):0.15A
- 表面安裝器件:表面安裝
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.3V
