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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDP3652 - 場效應(yīng)管 MOSFET N TO-220

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDP3652 - 場效應(yīng)管 MOSFET N TO-220
制造商：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
庫存編號：
制造商編號：FDP3652
庫存狀態(tài)：无库存
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價(jià)格(不含稅)：CNY 17.80
價(jià)格：
数量 单位价格(不含税)
1+  CNY 17.80

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描述信息：
  • 晶體管極性:N
  • 漏極電流, Id 最大值:61A
  • 電壓, Vds 最大:100V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.014ohm
  • 電壓 @ Rds測量:10V
  • 電壓, Vgs 最高:4V
  • 功耗:150W
  • 封裝類型:TO-220AB
  • 針腳數(shù):3
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 功率, Pd:150W
  • 單脈沖雪崩能量 Eas:182mJ
  • 封裝類型:TO-220AB
  • 引腳節(jié)距:2.54mm
  • 總功率, Ptot:150W
  • 時(shí)間, trr 典型值:62ns
  • 晶體管數(shù):1
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 溫度 @ 電流測量:25°C
  • 滿功率溫度:25°C
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:100V
  • 電容值, Ciss 典型值:2880pF
  • 電流, Id 連續(xù):61A
  • 電流, Idm 脈沖:70A
  • 表面安裝器件:通孔安裝
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.014ohm
  • 針腳格式: 1G 2+插口 D 3S
  • 針腳配置:a
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:4V
  • 閾值電壓, Vgs th 最低:2V
  • 閾值電壓, Vgs th 最高:4V
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
產(chǎn)品屬性：

重量（公斤）：0.002
原產(chǎn)地：
最近制造加工所發(fā)生的國家：

描述信息：
  • 晶體管極性:N
  • 漏極電流, Id 最大值:61A
  • 電壓, Vds 最大:100V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.014ohm
  • 電壓 @ Rds測量:10V
  • 電壓, Vgs 最高:4V
  • 功耗:150W
  • 封裝類型:TO-220AB
  • 針腳數(shù):3
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 功率, Pd:150W
  • 單脈沖雪崩能量 Eas:182mJ
  • 封裝類型:TO-220AB
  • 引腳節(jié)距:2.54mm
  • 總功率, Ptot:150W
  • 時(shí)間, trr 典型值:62ns
  • 晶體管數(shù):1
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 溫度 @ 電流測量:25°C
  • 滿功率溫度:25°C
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:100V
  • 電容值, Ciss 典型值:2880pF
  • 電流, Id 連續(xù):61A
  • 電流, Idm 脈沖:70A
  • 表面安裝器件:通孔安裝
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.014ohm
  • 針腳格式: 1G 2+插口 D 3S
  • 針腳配置:a
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:4V
  • 閾值電壓, Vgs th 最低:2V
  • 閾值電壓, Vgs th 最高:4V
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)