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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS6680 - 場效應(yīng)管 MOSFET N SO-8

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS6680 - 場效應(yīng)管 MOSFET N SO-8
制造商:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
庫存編號:
制造商編號:FDS6680
庫存狀態(tài):上海 0 , 新加坡 0 , 英國1128
包裝規(guī)格:1
最小訂單量:1
多重訂單量:1
單位價格(不含稅):CNY 10.10
價格:
数量 单位价格(不含税)
1  - 9 CNY 10.10
10  - 99 CNY 8.70
100  - 249 CNY 6.60
250  - 499 CNY 5.70
500  - 749 CNY 5.10
750+  CNY 4.63

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描述信息:
  • 晶體管極性:N溝道
  • 漏極電流, Id 最大值:11.5A
  • 電壓, Vds 最大:30V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.01ohm
  • 電壓 @ Rds測量:10V
  • 電壓, Vgs 最高:20V
  • 功耗:2.5W
  • 工作溫度范圍:-55oC to +150oC
  • 封裝類型:SOIC
  • 針腳數(shù):8
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
  • SMD標(biāo)號:FDS 6680
  • 功率, Pd:2.5W
  • 封裝類型:SOIC
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds:30V
  • 電壓, Vds 典型值:30V
  • 電流, Id 連續(xù):11.5A
  • 電流, Idm 脈沖:50A
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.7V
  • 閾值電壓, Vgs th 最低:3V
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附???):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
產(chǎn)品屬性:

重量(公斤):0.0005
原產(chǎn)地:
最近制造加工所發(fā)生的國家:

描述信息:
  • 晶體管極性:N溝道
  • 漏極電流, Id 最大值:11.5A
  • 電壓, Vds 最大:30V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.01ohm
  • 電壓 @ Rds測量:10V
  • 電壓, Vgs 最高:20V
  • 功耗:2.5W
  • 工作溫度范圍:-55oC to +150oC
  • 封裝類型:SOIC
  • 針腳數(shù):8
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
  • SMD標(biāo)號:FDS 6680
  • 功率, Pd:2.5W
  • 封裝類型:SOIC
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds:30V
  • 電壓, Vds 典型值:30V
  • 電流, Id 連續(xù):11.5A
  • 電流, Idm 脈沖:50A
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.7V
  • 閾值電壓, Vgs th 最低:3V
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附???):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)